本发明专利技术涉及通式Ⅰ六芳基二咪唑衍生物及其制备方法。其中：Ｒ↓［１］，Ｒ↓［２］独立是烷基、含氟烷基；Ｘ↓［１］，Ｘ↓［２］，Ｘ↓［３］，Ｘ↓［４］，Ｘ↓［５］独立是氢，氟，烷基，烷氧基，含氟烷基；且Ｘ↓［１］，Ｘ↓［２］，Ｘ↓［３］，Ｘ↓［４］，Ｘ↓［５］中至少有一个基团为含氟烷基。本发明专利技术同时涉及到利用聚酰亚胺前体化合物与通式Ⅰ化合物合并用作光敏性组合物，其具有优异的光敏性和热稳定性。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及新型六芳基二咪唑化合物，其在光聚合反应体系中用作光引发剂； 本专利技术同时涉及含有该光引发剂及聚酰亚胺光敏组合物。本专利技术同时提供了利用上述光敏 组合物获得生成图象及相应电子元件的方法。
技术介绍
光敏树脂组合物已经广泛产业中得到应用，包括UV油墨、屏幕打印、近期发 展起来的激光全息照相以及其它特定领域。光敏耐热性聚合物可作为正性光刻胶用以实现 半导体日趋微型化，也可以用作保护涂层，负缓冲涂层及钝化涂膜。JP5-67026及JP63-3139 报道了利用芳香二胺化合物与芳香族四羧基二酸酐反应而得到光敏耐热性材料。随和半导体产业的高速发展，步进机设备已经从g-线(435nm)逐渐过渡到i-线(365nm),迎合更高标准微型设计尺寸的要求。具有芳香单体骨架结构的聚酰亚胺前体化合物具有优异的抗热性和用作光刻胶的机械特性；但是上述聚酰亚胺前体化合物本身具有光吸收特性，其在UV波段，尤其是在i-线波 段(365nm)透明性差。相应地，聚酰亚胺前体涂层的光刻胶在曝光范围内的光化学反应性 低，光敏性不足，从而导致图象生成效果恶化。随着LOC技术的出现，更厚料的聚酰亚胺涂膜被应用于半导体元件的高密度封装技术 中，而聚酰亚胺前体化合物的低透光性已经成为半导体器件进行光刻的严重缺陷。通常地， 需要要求光敏聚酰亚胺组合物应该具有优异的光敏感性，以使得清晰图象的形成成为可能， 上述的应用特征甚至被要求在半导体元件表面保护涂层的底部，而在此场合中i-线步进机的 光强相当弱。在光敏性树脂组合物中，加入光聚合反应引发剂可以大大的提升整个体系的光敏性。 一般来说，可以在上述应用场合具有高光敏性的光聚合反应引发剂包括l)肟酯化合物(例 如l-苯基-l,2-丙基二酮-2-(0-乙氧基羰基)肟)；2)六芳香二咪唑化合物(例如2，2'-双邻 氯苯基-4,4',5，5'-四苯基二咪唑，通常简称为o-Cl-HABI)。然而，肟酯化合物的热稳定性差；而含氯六芳基二咪唑(例如o-Cl-HABI)用于半导 体元件时，其中的氯离子分离是一个难题。由于这些因素，上述两种光聚合反应引发剂难以得到满意的应用结果。此外，由于o-CI-HABI在溶液中的溶解性往往不足，在可溶解 的范围内难以实现足够的光敏性。此外，六芳基二咪唑的衍生物可以作为一类重要的光致变色功能材料，其用途广泛， 特别在光信息储存、生物分子活性的光调控、分子识别过程的光调控、自显影感光胶片和 全息摄影材料、光计算、新型变色玻璃等领域。本专利技术涉及一类新型六芳基二咪唑衍生物，其具有优异的溶解性和光敏性，可以用于 多种光聚合反应体系中，尤其适用于光敏聚酰亚胺体系。
技术实现思路
本专利技术涉及到通式I结构六芳基二咪唑衍生物，其用作光聚合反应引发剂。斜Rrr R2独^^S、舍麟基XT，先，X-3-， X4-， X5独立是氢，氟，烷基，货 氧基，含氟烷基；且Xt， X2, X3， X4， X5中至少有一个基团为含氟烷基。针对Rp R2独立是烷基、含氟垸基，其优选为d"o垸基及Cwo含氟烷基，更优选为C卜2烷基及C卜2含氟烷基。针对X^ X2， X3， X4， Xs可能是垸基，烷氧基，含氟烷基；且Xi， X2， X3， X4， X5 至少有一个基团为含氟垸基；优选为Cwo烷基，Cwo垸氧基及Cwo含氟烷基，更优选为C卜2垸基，C^2烷氧基及C卜2含氟烷基。本专利技术涉及一类光敏性组合物，其特征在于可以在低水平曝光的情况下实现优异的光 敏感性和优异光刻清晰图象。其包括A)至少一种含有碳碳双键的可光聚合化合物；B) 至少含有一种六芳基二咪唑化合物，其特征为通式I化合物。在本专利技术中，光敏性组合物中组份A优选为含有碳碳双键的可光聚合聚酰亚胺前体化合物。特定的，本专利技术涉及一类光敏性组合物，其组成包括1) 100份Wty。组份A; 2)0.1 20份Wt。/。组份B。特定的，本专利技术涉及一类光敏性组合物，其组成物中含有可光聚合组份A在大气压情 况下，具有高于100'C的沸点。本专利技术也涉及一种获得图象的方法，其步骤包括l)利用上述光敏性组合物形成涂膜; 2)带有特定设计图象的掩膜加以涂膜覆盖，进行曝光；3)在有机溶剂或碱性水相溶液中进行扩散。特定的，本专利技术涉及一种获得图象的方法，其扩散步骤是在碱性水相溶液中进行。 具体的，针对通式I结构的六芳基二咪唑衍生物。通式I化合物是具有异构体形式的二聚体结构，其中具有优势的异构体构型如Ia所示:在通式Ia结构中R1; R2独立是垸基、含氟垸基；Xi， X2， X3， X4， Xs独立是氢， 氟，烷基，垸氧基，含氟垸基；且Xp X2， X3， X4， Xs中至少有一个基团为含氟垸基。针对Ri， R2独立是烷基、含氟烷基，其优选为Cwo烷基及Cw()含氟垸基，更优选为C卜2烷基及C卜2含氟烷基。针对X!， X2， X3， X4， Xs可能是烷基，烷氧基，含氟烷基；且X!， X2， X3， X4， X5 至少有一个基团为含氟烷基；优选为Cwo烷基，Cwo烷氧基及Cwo含氟烷基，更优选为C卜2烷基，Ch2垸氧基及C卜2含氟垸基。在通式I和Ia所示六芳基二咪唑衍生物结构，在其中两个含有Xp X2， X3， X4， X5 的苯环上优选为其中有1 2个Xi(i^ 6)为C卜2含氟垸基，或同时存在1 3个Xj(j4 6)为氟。本专利技术涉及的通式I和Ia六芳基二咪唑化合物的苯环结构中至少含有一个含氟垸基， 或同时存在1 3个氟取代，其较之已报导的六芳基二咪唑(HABI)，例如o-C1-HABI，作为 光聚合反应的引发剂具有更优良的光敏特性。因此，本专利技术涉及的通式I和Ia结构的六芳 基二咪唑化合物可适用于低辐射曝光水平场合的光刻胶体系中，并通过光刻技术生成清晰图象。以下是本专利技术关于通式I和Ia六芳基二咪唑化合物的具体示例，但不局限于如下示例 所包括的范围之内。2,2，-双(2-三氟甲基苯基)-4，4，，5,5，-四(间-甲氧基苯基)-1，2，-二咪唑2,2，-双(3-三氟甲基苯基)-4，4，，5,5，-四(间-甲氧基苯基)-1，2，-二咪唑2，2，-双(4-三氟甲基苯基)-4,4，,5，5，-四(间-甲氧基苯基)-1，2，-二咪唑2,2，-双(2，4-二(三氟甲基)-苯基)-4，4，，5,5，-四(间-甲氧基苯基)-1，2，-二咪唑2，2，-双(2,6-二(三氟甲基)-苯基)-4,4，,5，5，-四(间-甲氧基苯基)-1，2，-二咪唑2,2，-双(2-氟-4-三氟甲基苯基)-4，4，,5,5，-四(间-甲氧基苯基)-1,2，-二咪唑2，2，-双(2-三氟甲基-4-氟苯基)-4，4，,5，5，-四(间-甲氧基苯基)-1,2，-二咪唑2,2，-双(2-三氟甲基-6-氟苯基)-4，4，，5,5，-四(间-甲氧基苯基)-1，2，-二咪唑2，2，-双(2-三氟甲基-4，6-二氟苯基)-4,4，,5,5，-四(间-甲氧基苯基)-1,2，-二咪唑2,2，-双(2,3-二氟-4-三氟甲基苯基)-4，4，,5,5，-四(间-甲氧基苯基)-1，2，-二咪唑2,2，-双(2-三氟甲基苯基)-4,4，，5,5，-四(间-乙氧基苯基)-1，2，-二咪唑2，2，-双(3-三氟甲基苯基)-4,4，,5,5，-四(间-乙氧本文档来自技高网...
【技术保护点】
本专利技术涉及到通式Ⅰ结构六芳基二咪唑衍生物，其用作光聚合反应引发剂。 ＊＊＊ Ⅰ 其中：Ｒ↓［１］，Ｒ↓［２］独立是烷基、含氟烷基；Ｘ↓［１］，Ｘ↓［２］，Ｘ↓［３］，Ｘ↓［４］，Ｘ↓［５］独立是氢，氟，烷基，烷氧基，含氟烷基； 且Ｘ↓［１］，Ｘ↓［２］，Ｘ↓［３］，Ｘ↓［４］，Ｘ↓［５］中至少有一个基团为含氟烷基。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：戈国平，
申请(专利权)人：池州群兴化工有限公司，
类型：发明
国别省市：34[]
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