一种平边朝外铝盘下盖及晶圆料盘制造技术

本实用新型专利技术属于晶圆加工技术领域，提供了一种平边朝外铝盘下盖及晶圆料盘，平边朝外铝盘下盖包括盖体，盖体上具有若干均匀排列设置的小岛以及分别环绕小岛的晶圆限位环，小岛和晶圆限位环间形成胶圈放置槽，小岛和晶圆限位环的平边结构均靠近盖体的边缘设置；晶圆料盘包括如上述所述的平边朝外铝盘下盖，还包括铝盘上盖，铝盘上盖开设有若干分别与小岛对应设置的晶圆刻蚀口，铝盘上盖上沿晶圆刻蚀口的周向设有若干压爪。本实用新型专利技术在不改变腔室内刻蚀环境、保障刻蚀稳定性的前提下，改善了片内均匀性的问题，使得刻蚀产品片内均匀性大大提升，刻蚀加工后的产品，片内区域性问题得到有效消除，STD值及产品因均匀性差而报废的比例均大大降低。均大大降低。均大大降低。

【技术实现步骤摘要】
一种平边朝外铝盘下盖及晶圆料盘


[0001]本技术涉及晶圆加工
，尤其涉及一种平边朝外铝盘下盖及晶圆料盘。

技术介绍

[0002]晶圆在生产加工过程中，依据加工工艺需求，需要进行晶圆的ICP刻蚀加工。ICP刻蚀工艺前，通常需要将多片晶圆排列放置到料盘内，以便于在刻蚀加工时，将承载有晶圆的整个料盘放入等离子刻蚀机中进行刻蚀加工。晶圆料盘包括铝盘下盖和铝盘上盖，使用时，将晶圆依次排列放置到铝盘下盖上，然后将铝盘上盖扣合到铝盘下盖上并固定即可。
[0003]目前，大多通过对刻蚀线圈的调整来改变刻蚀腔体内的刻蚀环境，以减小料盘内区域间的刻蚀速率差异，但刻蚀线圈的调整无法改善片内各区域间的刻蚀速率差异，因片内不同区域刻蚀速率的差异导致片内不同位置的图形尺寸不一致，使得对产品的刻蚀均匀性较差，刻蚀后的产品出现区域性发红的问题，只能进行降级报废处理，一盘料盘内的产品，因刻蚀均匀性问题而报废的比例高达65%以上，产品合格率较低。

技术实现思路

[0004]为了克服上述所指出的现有技术的缺陷，本专利技术人对此进行了深入研究，在付出了大量本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种平边朝外铝盘下盖，包括盖体，所述盖体上具有若干均匀排列设置的小岛以及分别环绕所述小岛的晶圆限位环，所述小岛和所述晶圆限位环间形成胶圈放置槽，其特征在于：所述小岛和所述晶圆限位环的平边结构均靠近所述盖体的边缘设置。2.如权利要求1所述的平边朝外铝盘下盖，其特征在于：所述小岛的顶面自中间位置至边缘位置呈渐低设置。3.如权利要求2所述的平边朝外铝盘下盖，其特征在于：所述小岛顶面的中间位置高于边缘位置30～100μm。4.如权利要求3所述的平边朝外铝盘下盖，其特征在于：所述小岛的顶面为锥面结构。5.如权利要求3所述的平边朝外铝盘下盖，其特征在于：所述小岛的顶面包括平面部和锥面部，所述平面部位于所述小岛顶面的中间位置，所述锥面部环绕所述平面部设置。6.如权利要求1
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5任一项所述的平边朝外铝盘下盖，其特征在于：所述晶圆限位环的平边位置...

【专利技术属性】
技术研发人员：席光义，刘志刚，席庆男，郭文平，赵京武，许春林，娄文海，玄成帅，高宁波，
申请(专利权)人：元旭半导体科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：