一种平边朝外铝盘下盖及晶圆料盘制造技术

本实用新型专利技术属于晶圆加工技术领域，提供了一种平边朝外铝盘下盖及晶圆料盘，平边朝外铝盘下盖包括盖体，盖体上具有若干均匀排列设置的小岛以及分别环绕小岛的晶圆限位环，小岛和晶圆限位环间形成胶圈放置槽，小岛和晶圆限位环的平边结构均靠近盖体的边缘设置；晶圆料盘包括如上述所述的平边朝外铝盘下盖，还包括铝盘上盖，铝盘上盖开设有若干分别与小岛对应设置的晶圆刻蚀口，铝盘上盖上沿晶圆刻蚀口的周向设有若干压爪。本实用新型专利技术在不改变腔室内刻蚀环境、保障刻蚀稳定性的前提下，改善了片内均匀性的问题，使得刻蚀产品片内均匀性大大提升，刻蚀加工后的产品，片内区域性问题得到有效消除，STD值及产品因均匀性差而报废的比例均大大降低。均大大降低。均大大降低。

【技术实现步骤摘要】
一种平边朝外铝盘下盖及晶圆料盘


[0001]本技术涉及晶圆加工
，尤其涉及一种平边朝外铝盘下盖及晶圆料盘。

技术介绍

[0002]晶圆在生产加工过程中，依据加工工艺需求，需要进行晶圆的ICP刻蚀加工。ICP刻蚀工艺前，通常需要将多片晶圆排列放置到料盘内，以便于在刻蚀加工时，将承载有晶圆的整个料盘放入等离子刻蚀机中进行刻蚀加工。晶圆料盘包括铝盘下盖和铝盘上盖，使用时，将晶圆依次排列放置到铝盘下盖上，然后将铝盘上盖扣合到铝盘下盖上并固定即可。
[0003]目前，大多通过对刻蚀线圈的调整来改变刻蚀腔体内的刻蚀环境，以减小料盘内区域间的刻蚀速率差异，但刻蚀线圈的调整无法改善片内各区域间的刻蚀速率差异，因片内不同区域刻蚀速率的差异导致片内不同位置的图形尺寸不一致，使得对产品的刻蚀均匀性较差，刻蚀后的产品出现区域性发红的问题，只能进行降级报废处理，一盘料盘内的产品，因刻蚀均匀性问题而报废的比例高达65%以上，产品合格率较低。

技术实现思路

[0004]为了克服上述所指出的现有技术的缺陷，本专利技术人对此进行了深入研究，在付出了大量创造性劳动后，从而完成了本技术。
[0005]具体而言，本技术所要解决的技术问题是：提供一种平边朝外铝盘下盖及晶圆料盘，以解决目前无法改善片内各区域间的刻蚀速率差异，使得对产品的刻蚀均匀性较差，刻蚀后的产品出现区域性发红的问题，因刻蚀均匀性问题而报废的比例高，产品合格率较低的技术问题。
[0006]为解决上述技术问题，本技术的技术方案是：
[0007]一种平边朝外铝盘下盖，包括盖体，所述盖体上具有若干均匀排列设置的小岛以及分别环绕所述小岛的晶圆限位环，所述小岛和所述晶圆限位环间形成胶圈放置槽，所述小岛和所述晶圆限位环的平边结构均靠近所述盖体的边缘设置。
[0008]作为一种改进的技术方案，所述小岛的顶面自中间位置至边缘位置呈渐低设置。
[0009]作为一种改进的技术方案，所述小岛顶面的中间位置高于边缘位置30～100μm。
[0010]作为一种改进的技术方案，所述小岛的顶面为锥面结构。
[0011]作为一种改进的技术方案，所述小岛的顶面包括平面部和锥面部，所述平面部位于所述小岛顶面的中间位置，所述锥面部环绕所述平面部设置。
[0012]作为一种改进的技术方案，所述晶圆限位环的平边位置处开设有缺口。
[0013]作为一种改进的技术方案，所述小岛上均开设有若干通气孔，所述盖体的背面开设有与所述通气孔相连通的气道槽。
[0014]本技术同时公开了一种晶圆料盘，包括如上述所述的平边朝外铝盘下盖，还包括铝盘上盖，所述铝盘上盖开设有若干分别与所述小岛对应设置的晶圆刻蚀口，所述铝
盘上盖上沿所述晶圆刻蚀口的周向设有若干压爪。
[0015]作为一种改进的技术方案，所述铝盘上盖还设有与所述盖体的平边结构对应设置的胶圈遮挡部，所述胶圈遮挡部靠近所述铝盘上盖的边缘设置。
[0016]作为一种改进的技术方案，所述盖体上设有至少一个定位块，所述铝盘上盖上开设有与所述定位块对应设置的定位孔，所述定位孔与所述定位块相适配；
[0017]所述盖体上还开设有若干第一螺栓孔，所述铝盘上盖朝向所述盖体的一侧开设有若干分别与所述第一螺栓孔对应设置的第二螺栓孔。
[0018]采用了上述技术方案后，本技术的有益效果是：
[0019]（1）该平边朝外铝盘下盖，小岛和晶圆限位环的平边结构均靠近盖体的边缘设置，使得晶圆于铝盘下盖上定位放置后，外圈晶圆的平边朝向外侧，通过对料盘外圈放片布局的改变，改善了片内区域间刻蚀速率的差异，使得刻蚀加工时，大大降低了料盘边缘刻蚀速率快的区域对晶圆的影响，进而使得对产品的刻蚀均匀性好，刻蚀加工后产品区域性发红的问题得到有效消除，产品合格率大大提高。
[0020]（2）小岛的顶面自中间位置至边缘位置呈渐低设置，相较传统小岛结构的平面设计，改变了对腔室内等离子体的诱导性，小岛离晶圆越近的部分，越会加速等离子体的运动，从而使得刻蚀加工时，晶圆自中间向边缘区域刻蚀速率渐快的问题得到有效补偿，进而进一步改善了对产品的刻蚀均匀性，提升了对产品的刻蚀加工质量，产品合格率大大提高。
[0021]（3）晶圆限位环的平边位置朝外且开设有缺口，便于将密封胶圈抠出，为密封胶圈的更换提供了便利。
[0022]（4）小岛上均开设有若干通气孔，盖体的背面开设有与通气孔相连通的气道槽，刻蚀加工时，通过气道槽和通气孔向料盘内通入氦气，氦气具有良好的热传导性，能够将晶圆料片的温度均匀化，确保对晶圆料片的有效刻蚀，保证晶圆的刻蚀质量。
[0023]（5）该晶圆料盘，在不改变腔室内刻蚀环境、保障刻蚀稳定性的前提下，改善了片内均匀性的问题，使得刻蚀产品片内均匀性大大提升，刻蚀加工后的产品，片内区域性问题得到有效消除，STD值及产品因均匀性差而报废的比例均大大降低，进而使得产品刻蚀加工的质量及合格率均大大提高。
[0024]（6）铝盘上盖设有的胶圈遮挡部，铝盘上盖扣合于铝盘下盖上后，胶圈遮挡部实现对铝盘下盖平边结构位置处密封胶圈的遮挡，避免腔室内等离子体对密封胶圈的腐蚀，延长密封胶圈的使用寿命，避免氦气泄漏。
附图说明
[0025]为了更清楚地说明本技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。在所有附图中，类似的元件或部分一般由类似的附图标记标识。附图中，各元件或部分并不一定按照实际的比例绘制。
[0026]图1为本技术铝盘下盖的结构示意图；
[0027]图2为本技术铝盘下盖的另一立体结构示意图；
[0028]图3为本技术铝盘下盖的部分结构示意图；
[0029]图4为本技术实施例一铝盘下盖边缘部分的剖视结构示意图；
[0030]图5为本技术实施例二铝盘下盖边缘部分的剖视结构示意图；
[0031]图6为本技术晶圆料盘的结构示意图；
[0032]图7为本技术铝盘上盖的结构示意图；
[0033]图8为本技术铝盘上盖的另一立体结构示意图；
[0034]图9为图7中I部位的放大结构示意图；
[0035]附图标记：1
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盖体；101
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小岛；102
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晶圆限位环；1021
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缺口；103
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胶圈放置槽；104
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通气孔；105
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气道槽；106
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定位块；107
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第一螺栓孔；2
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铝盘上盖；201
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晶圆刻蚀口；202
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压爪；203
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定位孔；204
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第二螺栓孔；205
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胶圈遮挡部。
具体实施方式
[0036本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种平边朝外铝盘下盖，包括盖体，所述盖体上具有若干均匀排列设置的小岛以及分别环绕所述小岛的晶圆限位环，所述小岛和所述晶圆限位环间形成胶圈放置槽，其特征在于：所述小岛和所述晶圆限位环的平边结构均靠近所述盖体的边缘设置。2.如权利要求1所述的平边朝外铝盘下盖，其特征在于：所述小岛的顶面自中间位置至边缘位置呈渐低设置。3.如权利要求2所述的平边朝外铝盘下盖，其特征在于：所述小岛顶面的中间位置高于边缘位置30～100μm。4.如权利要求3所述的平边朝外铝盘下盖，其特征在于：所述小岛的顶面为锥面结构。5.如权利要求3所述的平边朝外铝盘下盖，其特征在于：所述小岛的顶面包括平面部和锥面部，所述平面部位于所述小岛顶面的中间位置，所述锥面部环绕所述平面部设置。6.如权利要求1
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5任一项所述的平边朝外铝盘下盖，其特征在于：所述晶圆限位环的平边位置...

【专利技术属性】
技术研发人员：席光义，刘志刚，席庆男，郭文平，赵京武，许春林，娄文海，玄成帅，高宁波，
申请(专利权)人：元旭半导体科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：