半导体基板的制造方法及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体基板的制造方法及半导体装置的制造方法。将生长基板(3)上形成的氮化物半导体层(1)经由可逆性粘接层(4)与支承基板(5)贴合。其次，除去生长基板(3)，将新的基板(2)接合于露出的氮化物半导体层(1)，然后，将可逆性粘接层(4)和支承基板(5)除去。其结果，将氮化物半导体层(1)从生长基板(3)上转移到新的基板(2)上。在将氮化物半导体层(1)与新的基板(2)接合的工序中，进行使氮化物半导体层(1)与新的基板(2)加压接触的工序、使可逆性粘接层(4)软化的工序、和使可逆性粘接层(4)再固化的工序。固化的工序。固化的工序。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】SEMICONDUCTOR第20卷第7期第41页
[0011]非专利文献2：D.Francis等“Formation and characterization of 4
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inch GaN
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on
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diamond substrates”Diamond&Related Materials 19(2010)229
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233

技术实现思路

[0012]专利技术要解决的课题
[0013]上述的专利文献1的技术也可应用于将氮化物半导体层向金刚石基板等异种基板上转移的技术。但是，就金刚石而言，由于是制造难度高、加工性低的材料，因此金刚石基板与Si基板、SiC基板相比，基板的翘曲量、基板的厚度的均匀性等品质倾向于低。在支承基板上转移的氮化物半导体层的上表面贴合金刚石基板的工序中，如果金刚石基板的翘曲大，或者金刚石基板的厚度不均匀，则用于贴合的加压没有在金刚石基板整体均匀地施加，全面均匀地进行氮化物半导体层与金刚石基板的贴合变得困难。
[0014]本公开为了解决以上的课题而本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体基板的制造方法，其具备：(a)将生长基板上形成的氮化物半导体层与支承基板经由由可逆性粘接剂构成的可逆性粘接层来贴合、使所述可逆性粘接层固化的工序；(b)在所述工序(a)之后，除去所述生长基板而使所述氮化物半导体层露出的工序；(c)在所述工序(b)之后，将新的基板接合到所述氮化物半导体层的工序；和(d)在所述工序(c)之后，将所述可逆性粘接层及所述支承基板除去的工序，所述工序(c)包含：(c
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1)使所述氮化物半导体层与新的基板加压接触的工序；(c
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2)使所述可逆性粘接层软化的工序；和(c
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3)在所述工序(c
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1)及(c
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【专利技术属性】
技术研发人员：桧座秀一，西村邦彦，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：