一种用于大型晶圆研磨机改善晶圆形貌的研磨工艺制造技术

本发明专利技术公开一种用于大型晶圆研磨机改善晶圆形貌的研磨工艺，属于半导体晶圆加工技术领域。该研磨工艺包括以下步骤：(1)使用A磨砂研磨晶圆，A磨砂配制的研磨液各组分所占质量百分比为：A磨砂15％

【技术实现步骤摘要】
一种用于大型晶圆研磨机改善晶圆形貌的研磨工艺


[0001]本专利技术涉及一种半导体晶圆加工工艺，具体涉及一种用于大型晶圆研磨机改善晶圆形貌的研磨工艺，属于半导体晶圆加工


技术介绍

[0002]晶圆的加工过程一般包括切片、倒角、研磨、腐蚀和抛光等。切片过程会在晶圆表面产生深度约为20
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50μm的机械应力损伤层，如果这些机械损伤残留在晶圆表面，会在氧化过程中产生氧化诱导层错等缺陷，因此，切片得到的晶圆需要进行研磨处理。
[0003]晶圆研磨的主要目的是消除晶圆的表面损伤层，同时提高晶圆的平坦度。TTV是衡量晶圆平坦度的一个重要指标。TTV指的是晶圆的总厚度变化，即晶圆在厚度测量值中的最大厚度与最小厚度的差值，单位为微米(μm)。TTV越小，表明晶圆的平坦度越高，因此质量越高。
[0004]晶圆的平坦度与研磨工艺有密切的关系。因此，有必要研究一种新的研磨工艺，保证研磨后得到高平坦度晶圆的同时避免边缘塌陷。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种用于大型晶圆研磨机改善晶圆形貌本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于大型晶圆研磨机改善晶圆形貌的研磨工艺，其特征在于，包括以下步骤：(1)使用A磨砂研磨晶圆，A磨砂配制的研磨液各组分所占质量百分比为：A磨砂15％
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38％、研磨剂1.5％
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2.8％，其余为水；研磨晶圆时使用的磨液流量为900
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1500mL/min；研磨压力为600
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1500kg；研磨转速为25
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50rpm，转速比为0.3
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0.6；(2)使用B磨砂研磨晶圆，B磨砂配制的研磨液各组分所占质量百分比为：B磨砂13％
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36％、研磨剂2.2％
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3.8％，其余为水；研磨晶圆时使用的磨液流量为900
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1500mL/min；研磨压力为600...

【专利技术属性】
技术研发人员：何丙才，郑宇，韩萍，李广振，刘鹏亮，张亮，姜伟，田凤阁，陈克强，韩佩鑫，
申请(专利权)人：有研半导体硅材料股份公司，
类型：发明
国别省市：