一种半导体器件及其制作方法技术

本申请提供了一种半导体器件及其制作方法，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括第一类型衬底，位于第一类型衬底顶部的第一类型体区与第二类型飘移区，其中，第一类型体区与第二类型飘移区接触，位于第一类型体区表面的第一电极区，位于第一类型体区与第二类型飘移区表面的控制电极区，位于第二类型飘移区表面的第二电极区，位于控制电极区与第二电极区之间的阶梯场板结构，其中，阶梯场板结构与控制电极区相连并与的第二电极区隔离；且阶梯场板结构的中间区域最厚，并沿控制电极区与第二电极区的方向逐渐变薄。本申请提供的半导体器件及其制作方法具有降低了器件导通电阻，提升了器件可靠性的优点。器件可靠性的优点。器件可靠性的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制作方法


[0001]本申请涉及半导体
，具体而言，涉及一种半导体器件及其制作方法。

技术介绍

[0002]高压MOSFET(Metal
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Oxide
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Semiconductor Field
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Effect Transistor，金属
‑
氧化物半导体场效应晶体管)是一种半导体器件，一般是指可以耐受超过5V以上的一种MOSFET。在应用上，可以用来切换负载，或是用于电源管理上并进行电压切换，或是作为高功率放大器中的功率元件。
[0003]现有的高压MOSFET中，存在导通电阻Rdson较大，器件性能并不好的问题。

技术实现思路

[0004]本申请的目的在于提供一种半导体器件及其制作方法，以解决现有技术中存在的导通电阻Rdson较大，器件性能较差的问题。
[0005]为了实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：
[0006]一方面，本申请实施例提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：
[0007]第一类型衬底；
[0008]位于所述第一类型衬底顶部的第一类型体区与第二类型飘移区，其中，所述第一类型体区与所述第二类型飘移区接触；
[0009]位于所述第一类型体区表面的第一电极区；
[0010]位于所述第一类型体区与所述第二类型飘移区表面的控制电极区；
[0011]位于所述第二类型飘移区表面的第二电极区；
[0012]位于控制电极区与所述第二电极区之间的阶梯场板结构，其中，所述阶梯场板结构与所述控制电极区相连并与所述的第二电极区隔离；且所述阶梯场板结构的中间区域最厚，并沿所述控制电极区与所述第二电极区的方向逐渐变薄。
[0013]可选地，所述阶梯场板结构的至少一个台阶连接有导电柱，每个所述导电柱与所述第一电极区、所述第二电极区或所述控制电极区互连。
[0014]可选地，所述阶梯场板结构的每个台阶均连接有导电柱，部分或者全部导电柱与所述第一电极区、所述第二电极区和/或所述控制电极区互连。
[0015]可选地，多个所述导电柱对称设置，且所述阶梯场板结构的最高台阶上连接有两个导电柱。
[0016]可选地，所述最高台阶上的两个导电柱浮空，位于所述最高台阶一侧的导电柱与所述第一电极区互连，位于所述最高台阶另一侧的导电柱与所述第二电极区互连。
[0017]可选地，所述阶梯场板结构包括至少两阶场板，每阶所述场板均包括互连的氧化层与氮化物层。
[0018]可选地，所述第一类型为P型，所述第二类型为N型；
[0019]所述第一电极区为源极区，所述第二电极区为漏极区，所述控制电极区为栅极区。
[0020]可选地，所述第一类型体区中设置有第一欧姆接触区，所述第一电极区与所述第一欧姆接触区互连；
[0021]所述第二类型飘移区中设置有第二欧姆接触区，所述第二电极区与所述第二欧姆接触区互连。
[0022]另一方面，本申请实施例还提供了一种半导体器件制作方法，所述半导体器件制作方法包括：
[0023]提供第一类型衬底；
[0024]基于所述第一类型衬底顶部制作第一类型体区与第二类型飘移区，其中，所述第一类型体区与所述第二类型飘移区接触；
[0025]基于所述第一类型体区与所述第二类型飘移区的表面制作控制电极区；
[0026]基于所述控制电极区制作阶梯场板结构；
[0027]基于所述第一类型体区表面的第一电极区，并基于二类型飘移区表面的第二电极区；其中，
[0028]所述阶梯场板结构与所述控制电极区相连并与所述的第二电极区隔离；且所述阶梯场板结构的中间区域最厚，并沿所述控制电极区与所述第二电极区的方向逐渐变薄。
[0029]可选地，所述基于所述控制电极区制作阶梯场板结构的步骤包括：
[0030]沿所述控制电极区与所述第二电极区之间沉积多阶场板；
[0031]沿所述多阶场板的表面涂布光刻胶；
[0032]重复执行刻蚀与光刻胶修剪的步骤，直至形成阶梯场板结构。
[0033]相对于现有技术，本申请实施例具有以下有益效果：
[0034]本申请提供了一种半导体器件及其制作方法，该半导体器件包括第一类型衬底，位于第一类型衬底顶部的第一类型体区与第二类型飘移区，其中，第一类型体区与第二类型飘移区接触，位于第一类型体区表面的第一电极区，位于第一类型体区与第二类型飘移区表面的控制电极区，位于第二类型飘移区表面的第二电极区，位于控制电极区与第二电极区之间的阶梯场板结构，其中，阶梯场板结构与控制电极区相连并与的第二电极区隔离；且阶梯场板结构的中间区域最厚，并沿控制电极区与第二电极区的方向逐渐变薄。由于本申请设置了阶梯场板结构，因此使得在控制电极区的区域的电势为向下压状态，而在第二电极区的区域的电势为向上吸的状态，进而可以降低器件的导通电阻Rdson，同时提升器件的可靠性。
[0035]为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
附图说明
[0036]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它相关的附图。
[0037]图1为本申请实施例提供的半导体器件的第一种剖面示意图。
[0038]图2为本申请实施例提供的半导体器件的第二种剖面示意图。
[0039]图3为本申请实施例提供的半导体器件的电势分布示意图。
[0040]图4为本申请实施例提供的半导体器件的第三种剖面示意图。
[0041]图5为本申请实施例提供的半导体器件的第四种剖面示意图。
[0042]图6为本申请实施例提供的半导体器件的第五种剖面示意图。
[0043]图7为本申请实施例提供的半导体器件的第六种剖面示意图。
[0044]图8为本申请实施例提供的半导体器件的第七种剖面示意图。
[0045]图9为本申请实施例提供的半导体器件的第八种剖面示意图。
[0046]图10为本申请实施例提供的半导体器件的第九种剖面示意图。
[0047]图11为本申请实施例提供的半导体器件制作方法的示例性流程图。
[0048]图12为本申请实施例提供的S1082对应的剖面示意图。
[0049]图13为本申请实施例提供的对图12结构进行刻蚀后对应的剖面示意图。
[0050]图14为本申请实施例提供的对图13结构中的光刻胶进行修剪后的剖面示意图。
[0051]图15为本申请实施例提供的对图14结构进行刻蚀后对应的剖面示意图。
[0052]图中：
[0053]101
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衬底；102
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：第一类型衬底(101)；位于所述第一类型衬底(101)顶部的第一类型体区(102)与第二类型飘移区(103)，其中，所述第一类型体区(102)与所述第二类型飘移区(103)接触；位于所述第一类型体区(102)表面的第一电极区(14)；位于所述第一类型体区(102)与所述第二类型飘移区(103)表面的控制电极区(105)；位于所述第二类型飘移区(103)表面的第二电极区(106)；位于控制电极区(105)与所述第二电极区(106)之间的阶梯场板结构(107)，其中，所述阶梯场板结构(107)与所述控制电极区(105)相连并与所述的第二电极区(106)隔离；且所述阶梯场板结构(107)的中间区域最厚，并沿所述控制电极区(105)与所述第二电极区(106)的方向逐渐变薄。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述阶梯场板结构(107)的至少一个台阶连接有导电柱(112)，每个所述导电柱(112)与所述第一电极区(14)、所述第二电极区(106)或所述控制电极区(105)互连。3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述阶梯场板结构(107)的每个台阶均连接有导电柱(112)，部分或者全部导电柱(112)与所述第一电极区(14)、所述第二电极区(106)和/或所述控制电极区(105)互连。4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，多个所述导电柱(112)对称设置，且所述阶梯场板结构(107)的最高台阶上连接有两个导电柱(112)。5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述最高台阶上的两个导电柱(112)浮空，位于所述最高台阶一侧的导电柱(112)与所述第一电极区(14)互连，位于所述最高台阶另一侧的导电柱(112)与所述第二电极区(106)互连。6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：王蓝翔，曹立，刘坤，
申请(专利权)人：思瑞浦微电子科技上海有限责任公司，
类型：发明
国别省市：