一种N型基质材料及其制备方法、发光层材料、发光器件技术

技术编号:39047103 阅读:19 留言:0更新日期:2023-10-10 12:00
本申请适用于有机材料技术领域,提供了一种N型基质材料及其制备方法、发光层材料、发光器件。本申请提供了一种由可溶液溶解的特定发光层主体材料组合制备的有机发光器件,其发光层主体材料是由具有强吸电子特性的N型基质材料和相对具有强推电子空穴特性的P型基质材料构成的混合型材料,且发光层通过湿式成膜法而形成,实现平衡电子和空穴在主体材料传输和浓度,减少能量损失,实现掺杂材料有效发光,从而使其主体材料所制备的有机电致发光器件的使用寿命及效率也明显提高。用寿命及效率也明显提高。用寿命及效率也明显提高。

【技术实现步骤摘要】
一种N型基质材料及其制备方法、发光层材料、发光器件


[0001]本申请属于有机材料
,尤其涉及一种N型基质材料及其制备方法、发光层材料、发光器件。

技术介绍

[0002]近年来,有机电致发光器件(OLED)经过多次技术革新,以主动发光、低能耗和柔性可弯曲等传统显示和照明技术所无法比拟的优势渗透至各个领域,在智能包装及显示领域有着广阔的应用前景。但是目前商用化的发光器件严重依赖全蒸镀工艺制备,需要使用高精度的蒸镀掩模版(FMM)定义红绿蓝子像素,这种工艺设备价格高昂,操作复杂,不利于低成本、大批量、简化制造过程。而印刷OLED显示屏的基本特点是发光层采用印刷工艺制备,其上层或是下层的其他功能层可以通过蒸镀工艺或是印刷工艺制备,且印刷OLED不需要FMM使得工艺简单、成本降低。
[0003]印刷OLED的发光层材料同样包括基质和掺杂剂。虽然现有技术中公开了一些材料,但是涉及有机小分子的较少,能在溶液化处理时仍保持空穴和电子的电荷平衡的有机小分子材料更少,以此制备的器件存在寿命短、发光效率低的问题。因此,一种在有机溶剂中溶解性好且制备的印刷OLED寿命长和效率高的基质材料仍是本邻域的研究重点。

技术实现思路

[0004]本申请的目的在于提供一种N型基质材料,旨在解决现有的发光层材料制备的器件存在寿命短、发光效率低的问题。
[0005]本申请是这样实现的,一种N型基质材料,所述N型基质材料的结构如式1所示,所述式1由式1

a和式1

b所示的结构组成
[0006][0007]其中,式1

a与式1

b中*表示式1

a与式1

b稠合的连接点;式1

a中任意两个相邻的*与式1

b连接;
[0008]其中,R1选自如下基团:
[0009][0010]其中,*表示连接位点;
[0011]X选自N或C;
[0012]R2‑
R6各自独立地选自氢、氘、经取代或未经取代的C3

C5的烷基、经取代或未经取代的C6

C18的芳基中的一种;
[0013]R7‑
R
16
各自独立地选自氢、氘、经取代或未经取代的C3

C5的烷基、经取代或未经取代的C6

C18的芳基中的一种,且R7‑
R
16
至少有一个选自经取代或未经取代的C3

C5的烷基。
[0014]本申请的另一目的在于一种发光层材料,所述发光层材料包括P型基质材料以及上述的N型基质材料;其中,所述P型基质材料的结构如式2所示:
[0015][0016]其中,R
18

R
19
各自独立地选自经取代或未经取代的C6

C12的芳基、经取代或未经取代的C3

C12的杂芳基中的一种,且R
18

R
19
至少一个被经取代或未经取代的C3

C5的烷基取代或R
18

R
19
至少一个被经取代或未经取代的四甲基四氢萘基取代。
[0017]本申请的另一目的在于一种上述的N型基质材料的制备方法,包括:
[0018]Hal选自Cl、Br、I;
[0019]氮气保护下,将反应物1和反应物2完全溶解于二甲苯后,向其中添加碱、钯催化剂以及膦配体,然后将所得物加热至130

140℃,经充分搅拌,得式1所示的N型基质材料。
[0020]本申请的另一目的在于一种发光器件,所述发光器件包括上述的发光层材料。
[0021]本申请提供了一种由可溶液溶解的特定发光层主体材料组合制备的有机发光器件,其发光层主体材料是由具有强吸电子特性的N型基质材料和相对具有强推电子空穴特性的P型基质材料构成的混合型材料,且发光层通过湿式成膜法而形成,实现平衡电子和空穴在主体材料传输和浓度,减少能量损失,实现掺杂材料有效发光,从而使其主体材料所制备的有机电致发光器件的使用寿命及效率也明显提高。
附图说明
[0022]图1为本申请实施例1提供的化合物N

51的核磁共振氢谱图。
[0023]图2为本申请实施例2提供的化合物N

76的核磁共振氢谱图。
[0024]图3为本申请实施例3提供的反应物2

N101的核磁共振氢谱图。
[0025]图4为本申请实施例3提供的化合物N

101的核磁共振氢谱图。
[0026]图5为本申请实施例4提供的化合物N

23的核磁共振氢谱图。
具体实施方式
[0027]为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本申请进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请,并不用于限定本申请。
[0028]本申请实施例提供了一种N型基质材料,其结构通式1由式1

a和式1

b所示的结构组成:
[0029][0030]式1

a和式1

b中,*表示式1

a与式1

b稠合的连接点;式1

a中任意两个相邻的*与式1

b连接;
[0031]式1中,R1选自如下基团:
[0032][0033]其中,*表示连接位点;
[0034]X选自N或C,优选N;
[0035]R2‑
R6各自独立地选自氢,氘,经取代或未经取代的C3

C5的烷基,或经取代或未经取代的C6

C18的芳基;
[0036]R7‑
R
16
各自独立地选自氢,氘,经取代或未经取代的C3

C5的烷基,或经取代或未经取代的C6

C18的芳基,且R7‑
R
16
至少有一个选自经取代或未经取代的C3

C5的烷基。
[0037]进一步优选,R2‑
R6,R7‑
R
16
各自独立地选自氢,氘,正丙基,异丙基,正丁基,异丁基,仲丁基,叔丁基,正戊基,仲戊基,叔戊基,2

戊基,新戊基,异丙基苯基,叔丁基苯基,间二异丙基苯基,间二叔丁基苯基,四甲基四氢萘基。
[0038]进一步优选,R2‑
R6,R7‑
R
16
各自独立地选自氢,氘,异丙基,叔丁基,叔戊基,间二异丙基苯基,间二叔丁基苯基,四甲基四氢本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种N型基质材料,其特征在于,所述N型基质材料的结构如式1所示,所述式1是由式1

a和式1

b所示的结构组成;其中,式1

a与式1

b中*表示式1

a与式1

b稠合的连接点;式1

a中任意两个相邻的*与式1

b连接;其中,R1选自如下基团中的一种:其中,*表示连接位点;X选自N或C;R2‑
R6各自独立地选自氢、氘、经取代或未经取代的C3

C5的烷基、经取代或未经取代的C6

C18的芳基中的一种;R7‑
R
16
各自独立地选自氢、氘、经取代或未经取代的C3

C5的烷基、经取代或未经取代的C6

C18的芳基中的一种,且R7‑
R
16
至少有一个选自经取代或未经取代的C3

C5的烷基。2.根据权利要求1所述的N型基质材料,其特征在于,所述R2‑
R6,R7‑
R
16
各自独立地选自氢、氘、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、仲戊基、叔戊基、2

戊基、新戊基、异丙基苯基、叔丁基苯基、间二异丙基苯基、间二叔丁基苯基、四甲基四氢萘基中的一种。3.根据权利要求1或2所述的N型基质材料,其特征在于,所述R2‑
R6,R7‑
R
16
各自独立地选自氢、氘、异丙基、叔丁基、叔戊基、间二异丙基苯基、间二叔丁基苯基、四甲基四氢萘基中...

【专利技术属性】
技术研发人员:马晓宇韩文坤徐佳楠李贺王春梅张颖华伟东
申请(专利权)人:吉林奥来德光电材料股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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