半导体装置制造方法及图纸

实施方式的半导体装置具有：第1框；第1芯片，设置于第1框之上；第2框，在第1方向上与第1框分离；第2芯片，设置于第2框之上；以及第1接合端子，设置于第2芯片的上方。第1框包含向第2框侧延伸的第1端子部。第1接合端子包含向第1框侧延伸的第2端子部。第2端子部包含分别向第1框侧突出且彼此在第2方向分离的第1突出部和第2突出部。第1突出部的端部及第2突出部的端部分别接合于第1端子部之上。部分别接合于第1端子部之上。部分别接合于第1端子部之上。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请享有以日本专利申请2022－48217号(申请日：2022年3月24日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。


[0003]实施方式主要涉及半导体装置。

技术介绍

[0004]已知使用了引线框的半导体装置。

技术实现思路

[0005]实施方式提供能够提高成品率的半导体装置。
[0006]实施方式的半导体装置具有：第1框；第1芯片，设置于第1框之上；第2框，在第1方向上与第1框分离；第2芯片，设置于第2框之上；以及第1接合端子，设置于第2芯片的上方，与第2芯片电连接。第1框包含向第2框侧延伸的第1端子部。第1接合端子包含向第1框侧延伸的第2端子部。第2端子部包含分别向第1框侧突出且彼此在与第1方向交叉的第2方向上分离的第1突出部和第2突出部。第1突出部的端部及第2突出部的端部分别接合于第1端子部之上。
附图说明
[0007]图1是表示第1实施方式所涉及的半导体装置的结构的一个例子的俯视图。
[0008]图2是表示第1实施方式所涉及的半导体装置的内部结构的一个例子的俯视图。
[0009]图3是表示第1实施方式所涉及的半导体装置的内部结构的一部分的放大图。
[0010]图4是表示第1实施方式所涉及的半导体装置的内部结构的一部分的立体图。
[0011]图5是表示第1实施方式所涉及的半导体装置的剖面构造的一个例子的剖视图。
[0012]图6是对第1实施方式所涉及的半导体装置的制造工序中的树脂的形成工序进行说明的图。
[0013]图7是对第1实施方式所涉及的半导体装置的制造工序中的树脂形成时的树脂的流动进行说明的图。
[0014]图8是表示第1实施方式的第1变形例所涉及的半导体装置的内部结构的一部分的立体图。
[0015]图9是表示第1实施方式的第2变形例所涉及的半导体装置的内部结构的一部分的立体图。
[0016]图10是表示第2实施方式所涉及的半导体装置的结构的一个例子的俯视图。
[0017]图11是表示第2实施方式所涉及的半导体装置的内部结构的一个例子的俯视图。
[0018]图12是表示第2实施方式所涉及的半导体装置的内部结构的一部分的放大图。
[0019]图13是表示第2实施方式所涉及的半导体装置的内部结构的一部分的立体图。
[0020]图14是表示第2实施方式所涉及的半导体装置的剖面构造的一个例子的剖视图。
[0021]图15是表示第2实施方式的第1变形例所涉及的半导体装置的内部结构的一部分的立体图。
[0022]图16是表示第2实施方式的第2变形例所涉及的半导体装置的内部结构的一部分的立体图。
具体实施方式
[0023]以下参照附图对实施方式进行记述。在下面的记述中，对具有大致同一功能及结构的构成要素附加相同附图标记，有时省略重复的说明。另外，与某个实施方式有关的记述全部只要没有明示被排除或者显而易见被排除，则也适合作为其他实施方式的记述。
[0024]1.第1实施方式
[0025]对第1实施方式所涉及的半导体装置进行说明。下面，以使用了引线框的半导体装置为例进行说明。半导体装置例如在晶体管封装中使用。
[0026]1.1半导体装置的结构
[0027]使用图1及图2对本实施方式所涉及的半导体装置的结构进行说明。图1是表示半导体装置的结构的一个例子的俯视图。此外，在图1的例子中，树脂通过实线示出。由树脂覆盖的内部的构成要素通过虚线示出。树脂的外侧(没有由树脂覆盖的部分)通过实线示出。图2是表示半导体装置的内部结构的一个例子的俯视图。此外，在图2的例子中，树脂被省略。
[0028]如图1所示，半导体装置1包含引线框10、芯片11、电极12、电极12a、接合部件13、接合端子14、电极端子15、布线16、电极端子17、引线框20、芯片21、电极22、电极22a、接合部件23、接合端子24、电极端子25、布线26及树脂30。此外，在下面的说明中，X方向与引线框10的表面大致平行，例如，与从引线框10朝向引线框20的方向(从电极端子17朝向电极端子15的方向)相对应。Y方向与引线框10的表面大致平行，例如，与从引线框10朝向电极端子17的方向相对应。Z方向与引线框10的表面大致垂直，与从引线框10朝向芯片11的方向相对应。
[0029]树脂30例如是环氧树脂。树脂30将引线框10的一部分、芯片11、电极12、电极12a、接合部件13、接合端子14、电极端子15的一部分、布线16、电极端子17的一部分、引线框20的一部分、芯片21、电极22、电极22a、接合部件23、接合端子24、电极端子25的一部分及布线26覆盖。
[0030]如图2所示，引线框10是对芯片11进行支撑及固定的框。引线框10例如具有板状的形状。引线框10的与电极端子17相反侧的端部在Y方向上延伸。引线框10由导电材料构成，例如可以是金属材料。关于引线框10的详细内容在后面记述。
[0031]芯片11例如是IC(Integrated Circuit)芯片。芯片11设置于引线框10之上。
[0032]电极12例如是栅极电极。电极12设置于芯片11之上。电极12由导电材料构成，例如可以是金属材料。此外，电极12例如可以具有接合端子。
[0033]电极12a例如是源极电极。电极12a在俯视观察时(在从图2的纸面上侧观察时)，例如具有大致L字型的形状。电极12a设置于芯片11之上。电极12a由导电材料构成，例如可以是金属材料。
[0034]接合部件13例如是焊料。接合部件13在俯视观察时，例如具有大致L字型的形状。接合部件13设置于电极12a之上。接合部件13将电极12a与接合端子14电连接。
[0035]接合端子14例如是将电极12a与电极端子17电连接的端子。接合端子14在俯视观察时，例如具有大致L字型的形状。接合端子14设置于接合部件13之上。接合端子14经由接合部件13及电极12a而与芯片11电连接。接合端子14由导电材料构成，例如可以是金属材料。关于接合端子14的详细内容在后面记述。
[0036]电极端子15例如是栅极端子。电极端子15在Y方向上与引线框10分离而设置。电极端子15的与引线框10相反侧的端部在Y方向上延伸。电极端子15由导电材料构成，例如可以是金属材料。
[0037]电极端子15包含基部15a、弯曲部15b及接合部15c。电极端子15例如在基部15a与弯曲部15b的边界向上方弯曲，在弯曲部15b与接合部15c的边界向Y方向弯曲。基部15a的表面与接合部15c的表面大致平行。接合部15c的表面位于比基部15a的表面靠上方的位置。换言之，电极端子15在Y方向上具有台阶。
[0038]布线16例如是键合线。布线16的一端与电极12接合。布线16的另一端与电极端子15的接合部15c接合。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其中，具有：第1框；第1芯片，设置于所述第1框之上；第2框，在第1方向上与所述第1框分离；第2芯片，设置于所述第2框之上；以及第1接合端子，设置于所述第2芯片的上方，与所述第2芯片电连接，所述第1框包含向所述第2框侧延伸的第1端子部，所述第1接合端子包含向所述第1框侧延伸的第2端子部，所述第2端子部包含第1突出部和第2突出部，所述第1突出部和第2突出部分别向所述第1框侧突出且彼此在与所述第1方向交叉的第2方向上分离，所述第1突出部的端部及所述第2突出部的端部分别接合于所述第1端子部之上。2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第2端子部的被所述第1突出部与所述第2突出部夹持且朝向所述第1框的第1面，位于比所述第1端子部的朝向所述第2框的第2面靠所述第2框侧的位置。3.如权利要求2所述的半导体装置，其中，所述半导体装置具有由所述第2端子部的所述第1面、所述第1端子部的所述第2面、所述第1突出部的朝向所述第2突出部的第3面及所述第2突出部的朝向所述第1突出部的第4面包围的区域。4.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述半导体装置具有由所述第1端子部及所述第2端子部形成的开口。5.如权利要求4所述的半导体装置，其中，所述开口由所述第1突出部、所述第2突出部及所述第1端子部形成。6.如权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第1端子部包含第3突出部和第4突出部，所述第3突出部和第4突出部分别向所述第2框侧突出且彼此在所述第2方向上分离，所述第1突出部的端部接合于所述第3突出部之上，所述第2突出部的端部接合于所述第4突出部之上，所述第1端子部的所述第2面被所述第3突出部与所述第4突出部夹持。7.如权利要求6所述的半导体装置，其中，所述半导体装置具有由所述第1突出部、所述第2突出部、所述第3突出部及所述第4突出部形成的开口。8.一种半导体装置，其中，具有：第1框；第1芯片，设置于所述第1框之上；第2框，在第1方向上与所述第1框分离；第2芯片，设置于所述第2框之上；以及第1接合端子，设置于所述第2芯片的上方，与所述第2芯片电连接，所述第1框包含向所述第2框侧延伸的第1端子部，所述第1接合端子包含向所述第1框侧延伸的第2端子部，
所述第1端子部包含第5突出部和第6突出部，所述第5突出部和第6突出部分别向所述第2框侧突出且彼此在与所述第1方向交叉的...

【专利技术属性】
技术研发人员：田中敦士，
申请(专利权)人：东芝电子元件及存储装置株式会社，
类型：发明
国别省市：