太阳能电池片、电池组件和光伏系统技术方案

技术编号:39026756 阅读:12 留言:0更新日期:2023-10-07 11:08
本实用新型专利技术适用于太阳能电池技术领域,提供了一种太阳能电池片、电池组件和光伏系统,太阳能电池片包括基片和层叠设置在所述基片背面上的背面膜层结构,所述背面膜层结构包括依次层叠设置在所述基片背面上的氧化铝膜层、氧化硅膜层、氮化硅膜层和氮化碳膜层。如此,氮化碳膜层具有较好的化学惰性和稳定性以及优质的透光性,在氮化硅膜层上引入氮化碳膜层,可以在在保证钝化效果的同时提高太阳能电池片的抗PID性能,使太阳能电池片具有良好的抗PID效果。PID效果。PID效果。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池片、电池组件和光伏系统


[0001]本技术涉及太阳能电池
,尤其涉及一种太阳能电池片、电池组件和光伏系统。

技术介绍

[0002]目前,现有的太阳能电池片(例如太阳能电池片)的背面钝化结构通产依次在基片的背面沉积氧化铝层、氧化硅层和一层或者多层氮化硅层以实现背面钝化。然而,在这样的技术方案中,虽然氮化硅里有很多的氢(H)离子,能够钝化电池内部的悬挂键,减少复合,但是电池片的抗PID效果有限。因此,如何进一步提高太阳能电池片的抗PID能力成为了技术人员研究的技术问题。

技术实现思路

[0003]本技术提供一种太阳能电池片、电池组件和光伏系统,旨在解决如何进一步提高太阳能电池片的抗PID能力的技术问题。
[0004]本技术是这样实现的,本技术实施例的太阳能电池片包括基片和层叠设置在所述基片背面上的背面膜层结构,所述背面膜层结构包括依次层叠设置在所述基片背面上的氧化铝膜层、氧化硅膜层、氮化硅膜层和氮化碳膜层。
[0005]更进一步地,所述氮化碳膜层的厚度为13nm

20nm。
[0006]更进一步地,所述氧化铝膜层的厚度为8nm

12nm。
[0007]更进一步地,所述氧化硅膜层的厚度为4nm

10nm。
[0008]更进一步地,所述氮化硅膜层为复合膜层,所述氮化硅膜层包括沿所述基片的正面朝所述基片背面的方向排列且折射率依次降低至少两层氮化硅膜。
[0009]更进一步地,所述氮化硅膜层包括层叠设置在所述氧化硅膜层上的顶层氮化硅膜和层叠设置在所述顶层氮化硅膜上的底层氮化硅膜,所述顶层氮化硅膜的折射率为2.13

2.15,所述底层氮化硅膜的折射率为2.10

2.13。
[0010]更进一步地,所述顶层氮化硅膜的厚度为20nm

26nm。
[0011]更进一步地,所述底层氮化硅膜的厚度为22nm

28nm。
[0012]本技术还提供了一种电池组件,所述电池组件包括多片上述任一项所述的太阳能电池片。
[0013]本技术还提供了一种光伏系统,所述光伏系统包括上述的电池组件。
[0014]在本技术实施例的太阳能电池片、电池组件和光伏系统中,太阳能电池片的背面的钝化膜层为依次层叠设置的氧化铝膜层、氧化硅膜层、氮化硅膜层和氮化碳膜层。如此,氮化碳膜层具有较好的化学惰性和稳定性以及优质的透光性,在氮化硅膜层上引入氮化碳膜层,可以在在保证钝化效果的同时提高太阳能电池片的抗PID性能,使太阳能电池片具有良好的抗PID效果。
[0015]本技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述
中变得明显,或通过本技术的实践了解到。
附图说明
[0016]图1是本技术实施例提供的光伏系统的结构示意图;
[0017]图2是本技术实施例提供的电池组件的结构示意图;
[0018]图3是本技术实施例提供的太阳能电池片的结构示意图;
[0019]图4是本技术实施例提供的背面膜层结构的结构示意图;
[0020]图5是本技术实施例提供的太阳能电池片的另一结构示意图;
[0021]图6是本技术实施例提供的背面膜层结构的另一结构示意图。
[0022]主要元件符号说明:
[0023]光伏系统1000、电池组件200、太阳能电池片100、基片10、背面膜层结构20、氧化铝膜层21、氧化硅膜层22、氮化硅膜层23、顶层氮化硅膜231、底层氮化硅膜232、氮化碳膜层24、正面膜层结构30、背面电极40、正面电极50。
具体实施方式
[0024]为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本技术进行进一步详细说明。所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,仅用于解释本技术,而不能理解为对本技术的限制。此外,应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术,并不用于限定本技术。
[0025]在本技术的描述中,需要理解的是,术语“顶”、“底”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本技术和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本技术的限制。
[0026]在本技术的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
[0027]在本技术的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接或可以相互通讯;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0028]在本技术中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0029]下文的公开提供了许多不同的实施例或例子用来实现本技术的不同结构。为
了简化本技术的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本技术。此外,本技术可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施例和/或设置之间的关系。此外,本技术提供了的各种特定的工艺和材料的例子,但是本领域普通技术人员可以意识到其它工艺的应用和/或其它材料的使用场景。
[0030]本技术中,通过在太阳能电池片的背面膜层结构中上引入氮化碳膜层,氮化碳膜层具有较好的化学惰性和稳定性以及优质的透光性,可以在在保证钝化效果的同时提高太阳能电池片的抗PID性能,使太阳能电池片具有良好的抗PID效果。
[0031]实施例一
[0032]请参阅图1和图2,本技术实施例中的光伏系统1000可包括本技术实施例中的电池组件200,本技术实施例中的电池组件200可包括多片本技术实施例中的太阳能电池片100,太阳能电池片100可为PERC太阳能电池片。
[0033]请参阅图3和图4,本技术本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池片,其特征在于,包括基片和层叠设置在所述基片背面上的背面膜层结构,所述背面膜层结构包括依次层叠设置在所述基片背面上的氧化铝膜层、氧化硅膜层、氮化硅膜层和氮化碳膜层。2.根据权利要求1所述的太阳能电池片,其特征在于,所述氮化碳膜层的厚度为13nm

20nm。3.根据权利要求1所述的太阳能电池片,其特征在于,所述氧化铝膜层的厚度为8nm

12nm。4.根据权利要求1所述的太阳能电池片,其特征在于,所述氧化硅膜层的厚度为4nm

10nm。5.根据权利要求1所述的太阳能电池片,其特征在于,所述氮化硅膜层为复合膜层,所述氮化硅膜层包括沿所述基片的正面朝所述基片背面的方向排列且折射率依次降低至少两层氮化硅膜。6.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员:孙洪全吕闯张笛庞瑞卿顾生刚时宝陈刚
申请(专利权)人:天津爱旭太阳能科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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