光伏电池及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种光伏电池及其制备方法，属于光伏电池技术领域，其可至少部分解决现有的光伏电池寄生吸收高，或掺杂多晶硅层容易被烧穿的问题。本发明专利技术的光伏电池包括：基底；位于所述基底一侧的钝化接触结构；所述钝化接触结构包括多个叠置的子结构，每个所述子结构包括隧穿子层和位于所述隧穿子层背离所述基底一侧的掺杂多晶硅子层，所述掺杂多晶硅子层中含有氧；位于所述钝化接触结构背离所述基底一侧的绝缘层；位于所述钝化接触结构背离所述基底一侧的第一电极，所述第一电极穿过所述绝缘层和所述钝化接触结构的一部分而与所述钝化接触结构中最靠近所述基底的隧穿子层接触。结构中最靠近所述基底的隧穿子层接触。结构中最靠近所述基底的隧穿子层接触。

【技术实现步骤摘要】
光伏电池及其制备方法


[0001]本专利技术属于光伏电池
，具体涉及一种光伏电池及其制备方法。

技术介绍

[0002]隧穿氧化层钝化接触光伏电池(TOPCon，Tunnel Oxide Passivating Contacts)具有间接复合(SHR复合)少、接触电阻低、效率高等优点。
[0003]但TOPCon光伏电池的背光侧需要覆盖掺杂多晶硅层(Poly
‑
Si)，而这会导致寄生吸收高，或导致掺杂多晶硅层容易被烧穿。

技术实现思路

[0004]本专利技术至少部分解决现有的光伏电池寄生吸收高，或掺杂多晶硅层容易被烧穿的问题，提供一种光伏电池制备的方法。
[0005]第一方面，本专利技术实施例提供一种光伏电池，其包括：
[0006]基底；
[0007]位于所述基底一侧的钝化接触结构；所述钝化接触结构包括多个叠置的子结构，每个所述子结构包括隧穿子层和位于所述隧穿子层背离所述基底一侧的掺杂多晶硅子层，所述掺杂多晶硅子层中含有氧；
[0008]位于所述钝化接触结构背离所述基底一侧的绝缘层；
[0009]位于所述钝化接触结构背离所述基底一侧的第一电极，所述第一电极穿过所述绝缘层和所述钝化接触结构的一部分而与所述钝化接触结构中最靠近所述基底的隧穿子层接触。
[0010]可选的，所述掺杂多晶硅子层中氧的质量百分含量在2％至30％之间。
[0011]可选的，任意两个所述掺杂多晶硅子层中，较远离所述基底的所述掺杂多晶硅子层中氧的含量比较靠近所述基底的所述掺杂多晶硅子层中氧的含量高。
[0012]可选的，所述掺杂多晶硅子层中还含有磷。
[0013]可选的，最靠近所述基底的所述掺杂多晶硅子层的厚度在20nm至40nm之间；所有所述掺杂多晶硅子层的总厚度在50nm至120nm之间。
[0014]可选的，最靠近所述基底的所述隧穿子层的厚度在1nm至2nm之间；所有所述隧穿子层的总厚度在2nm至7nm之间。
[0015]可选的，所述子结构的个数为两个；其中，
[0016]较靠近所述基底的子结构中，所述掺杂多晶硅子层的厚度在20nm至30nm，所述隧穿子层的厚度在1nm至2nm之间；
[0017]较远离所述基底的子结构中，所述掺杂多晶硅子层的厚度在30nm至60nm，所述隧穿子层的厚度在1nm至5nm之间。
[0018]可选的，所述光伏电池为隧穿氧化层钝化接触光伏电池；
[0019]所述钝化接触结构位于所述基底的背光侧。
[0020]第二方面，本专利技术实施例提供一种光伏电池制备的方法，其包括：
[0021]在基底一侧形成钝化接触结构；所述钝化接触结构包括多个叠置的子结构，每个所述子结构包括隧穿子层和设于所述隧穿子层背离所述基底一侧的掺杂多晶硅子层，所述掺杂多晶硅子层中含有氧；
[0022]在所述钝化接触结构上形成绝缘层；
[0023]在所述绝缘层上设置电极浆料；
[0024]进行烧结，使所述电极浆料形成穿过所述绝缘层和所述钝化接触结构的一部分而与所述钝化接触结构中最靠近所述基底的隧穿子层接触的第一电极。
[0025]可选的，所述在基底一侧形成钝化接触结构包括：
[0026]通过等离子体增强化学化学气相沉积形成所述掺杂多晶硅子层，其中使用的工艺气氛中含有二氧化碳。
[0027]本专利技术实施例中，掺杂多晶硅子层中含有氧，从而其透光性提高，可降低寄生吸收，同时，掺杂多晶硅子层的抗烧穿性也会提高，从而其更不容易被烧穿，电极浆料的烧结时间和烧结温度有更大的窗口；而通过设置多个掺杂多晶硅子层和隧穿子层，可在保证最靠近基底的掺杂多晶硅子层不被烧穿的情况下，使掺杂多晶硅子层的总厚度进一步降低，更好的降低寄生吸收，提高电池效率。
附图说明
[0028]图1为相关技术中一种光伏电池的剖视结构示意图；
[0029]图2为本专利技术实施例的一种光伏电池的剖视结构示意图；
[0030]图3为本专利技术实施例的另一种光伏电池的剖视结构示意图；
[0031]图4为本专利技术实施例的一种光伏电池制备的方法的流程示意图。
[0032]其中，附图标记为：1、钝化接触结构；11、子结构；111、隧穿子层；112、掺杂多晶硅子层；2、绝缘层；31、第一电极；32、第二电极；41、轻掺杂区；42、重掺杂区；5、钝化层；71、隧穿层；72、掺杂多晶硅层；9、基底。
具体实施方式
[0033]为使本领域技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细描述。
[0034]可以理解的是，此处描述的具体实施例和附图仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。
[0035]可以理解的是，在不冲突的情况下，本专利技术的各实施例及实施例中的各特征可相互组合。
[0036]可以理解的是，为便于描述，本专利技术的附图中仅示出了与本专利技术实施例相关的部分，而与本专利技术实施例无关的部分未在附图中示出。
[0037]光伏电池(太阳能电池)是将光照转变为电能的器件，具有清洁、安全、资源丰富等优势，是可再生能源利用的重要方式之一。
[0038]参照图1，光伏电池的形式之一是隧穿氧化层钝化接触光伏电池(TOPCon，Tunnel Oxide Passivating Contacts)，TOPCon光伏电池的基底9的背光侧依次设有隧穿层71(如
氧化硅层)、掺杂多晶硅层72(Poly
‑
Si)、绝缘层2(如氮化硅减反射层)，绝缘层2上设有通过电极浆料(如银浆、铝浆)烧结形成的第一电极31(栅线，如负极)，该第一电极31需要烧穿绝缘层2而与掺杂多晶硅层72接触；以上结构形成选择性钝化接触，从而可降低间接复合(SHR复合)和接触电阻，提高电池效率(最高效率可达26.8％以上，量产效率可达24.5％以上)。
[0039]但是，参照图1，掺杂多晶硅层72的透光性不好，有较严重寄生吸收，故限制电池效率的进一步提高；虽然通过减小掺杂多晶硅层72的厚度可降低其寄生吸收，但由于第一电极31需要烧穿绝缘层2与掺杂多晶硅层72接触，故若掺杂多晶硅层72太薄则抗烧穿性不足，容易在烧结过程中也被高温的电极浆料烧穿，导致第一电极31穿过掺杂多晶硅层72而与隧穿层71或基底9接触，电池结构不正确。
[0040]第一方面，参照图2，本专利技术实施例提供一种光伏电池，其包括：
[0041]基底9；
[0042]位于基底9一侧的钝化接触结构1；钝化接触结构1包括多个叠置的子结构11，每个子结构11包括隧穿子层111和位于隧穿子层111背离基底9一侧的掺杂多晶硅子层112，掺杂多晶硅子层112中含有氧；
[0043]位于钝化接触结构1背离基底9一侧的绝缘层2；
[0044]位于钝化接触结构1背离基底9一侧的第一电极31，第一电极31穿过绝缘层2和钝化接触结构1的一部分而与钝化接触结构1中最靠近基底9本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光伏电池，其特征在于，包括：基底；位于所述基底一侧的钝化接触结构；所述钝化接触结构包括多个叠置的子结构，每个所述子结构包括隧穿子层和位于所述隧穿子层背离所述基底一侧的掺杂多晶硅子层，所述掺杂多晶硅子层中含有氧；位于所述钝化接触结构背离所述基底一侧的绝缘层；位于所述钝化接触结构背离所述基底一侧的第一电极，所述第一电极穿过所述绝缘层和所述钝化接触结构的一部分而与所述钝化接触结构中最靠近所述基底的隧穿子层接触。2.根据权利要求1所述的光伏电池，其特征在于，所述掺杂多晶硅子层中氧的质量百分含量在2％至30％之间。3.根据权利要求1所述的光伏电池，其特征在于，任意两个所述掺杂多晶硅子层中，较远离所述基底的所述掺杂多晶硅子层中氧的含量比较靠近所述基底的所述掺杂多晶硅子层中氧的含量高。4.根据权利要求1所述的光伏电池，其特征在于，所述掺杂多晶硅子层中还含有磷。5.根据权利要求1所述的光伏电池，其特征在于，最靠近所述基底的所述掺杂多晶硅子层的厚度在20nm至40nm之间；所有所述掺杂多晶硅子层的总厚度在50nm至120nm之间。6.根据权利要求1所述的光伏电池，其特征在于，最靠近所述基底的所述隧穿子层的厚度在1nm至2nm之间；所有所述隧穿子层的总...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭致远，刘成法，陈红，吴晓鹏，汪宏迪，
申请(专利权)人：天合光能宿迁光电有限公司，
类型：发明
国别省市：