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【技术实现步骤摘要】
一种隧道氧化物钝化接触的太阳能电池及其制备方法
[0001]本专利技术属于晶硅太阳能电池制备
,特别涉及一种隧道氧化物钝化接触的太阳能电池及其制备方法。
技术介绍
[0002]TOPCon(隧道氧化物钝化接触)系列太阳能电池自2013年由德国弗郎霍夫研究所提出后,由于其TOPCon层(隧穿氧化层+掺杂多晶硅层)优异的钝化性能及导电性能,在晶硅电池效率提升方面具有很大潜能。其中TOPCon电池理论效率为28.2~28.7%,更接近晶硅电池理论极限效率29.43%。另外,TOPCon系列电池由于产线升级改造成本低(基于占光伏市场主流的P
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PERC电池产线及N
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PERT产线而言)、双面发电率高、温度系数低等优点逐渐成为各大光伏生产厂商技术转型升级的目标。现有的TOPCon电池工艺正面采用整面硼扩散方法制备发射极,背面采用LPCVD设备或PECVD设备制备TOPCon层,再用氧化铝或氮化硅膜充当正背面钝化层。以全域硼扩散作为发射极时存在以下问题:1.采用高浓度的掺杂,可以减小硅片和电极之间的接触电阻,降低电池的串联电阻,但是高的掺杂浓度会导致载流子复合变大,少子寿命降低,影响电池的开路电压和短路电流;2.采用低浓度的掺杂,可以降低表面复合,提高少子寿命,但是必然会导致接触电阻的增大,影响电池的串联电阻。因此,有必要提供一种TOPCon电池及其制备方法,解决全域硼扩散高浓度掺杂或低浓度掺杂矛盾。
技术实现思路
[0003]针对上述问题,本专利技术提供了一种隧道氧化物 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种隧道氧化物钝化接触的太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括:以单晶硅片作为基底,进行双面制绒,然后将制绒后硅片的正面进行纳米硼浆印刷,印刷完成后烘干,随后进行热推进和第一次酸洗,获得重掺硅片;将重掺硅片的正面进行硼扩散,得硼扩散硅片;将硼扩散硅片的背面进行第二次酸洗和抛光,随后进行双面隧穿氧化模及多晶硅膜的制备,得多膜层硅片;将多膜层硅片进行双面磷扩散,得磷扩散硅片;将磷扩散硅片的正面进行第三次酸洗和第一次碱洗,再对硅片进行第四次酸洗,获得处理后硅片;将处理后硅片进行正面氧化铝沉积,再进行正面及背面的氮化硅沉积和电极印刷,得太阳能电池。2.根据权利要求1所述的一种隧道氧化物钝化接触的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述烘干的温度为200
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230℃。3.根据权利要求1所述的一种隧道氧化物钝化接触的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述烘干后硅片表面的纳米硼浆厚度为1.5
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2μm。4.根据权利要求1所述的一种隧道氧化物钝化接触的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述热推进的温度为900
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950℃,热推进的时间为20
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25min。5.根据权利要求1所述的一种隧道氧化物钝化接触的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述第一次酸洗后纳米硼浆印刷区域方阻为40
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80Ω/sq。6.根据权利要求1所述的一种隧道氧化...
【专利技术属性】
技术研发人员:李得银,赵邦桂,马岩青,常洛嘉,魏云,
申请(专利权)人:青海黄河上游水电开发有限责任公司西安太阳能电力分公司青海黄河上游水电开发有限责任公司国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司,
类型:发明
国别省市:
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