硅片及其磷扩散方法、太阳能电池技术

本发明专利技术公开了一种硅片及其磷扩散方法、太阳能电池，涉及太阳能电池领域。其中，磷扩散方法包括：提供硅片，将其加载至扩散炉的炉腔中；将炉腔升温至760‑775℃，进行一次氧化；将炉腔升温至775‑790℃，进行一次沉积；维持炉腔温度为775‑790℃，进行二次氧化；将炉腔升温至820‑850℃，进行有氧推进；将炉腔降温至760‑780℃，进行无氧推进；维持炉腔温度为760‑780℃，进行二次沉积；将炉腔降温，并取出硅片；其中，一次氧化、二次氧化时氧气流量大于有氧推进时的氧气流量；二次氧化的温度大于一次氧化的温度。实施本发明专利技术，可提升方阻均匀性，提升转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池领域，尤其涉及一种硅片及其磷扩散方法、太阳能电池。

技术介绍

1、高方阻太阳能电池可以增加电池片的短波效应，提升其短路电流；同时表面复合的暗电流也减小，可以提升开路电压。因此，高方阻太阳能电池的转换效率较高，已经成为目前硅晶体太阳能电池的必然发展趋势。然而，高方阻意味着pn结的深度比较小，这会导致串联电阻增加，填充因子下降，进而使得转换效率大幅下降。另外，高方阻也意味着扩散均匀性大幅下降，后期印刷电极以后欧姆接触变差，短路电流、填充因子波动较大，造成转换效率变小，这种现象在大规格硅片(≥200mm)上表现更为明显。

技术实现思路

1、

2、本专利技术所要解决的技术问题在于，提供一种硅片的磷扩散方法，可提升扩散均匀性，在保证提升短路电流、开路电压的同时，避免了转换效率的大幅下降。

3、本专利技术还要解决的技术问题在于，提供一种硅片。

4、本专利技术还要解决的技术问题在于，提供一种太阳能电池。

5、为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种硅本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种硅片磷扩散方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的硅片磷扩散方法，其特征在于，步骤(2)中，氧气的流量为500-2500sccm；

3.如权利要求1所述的硅片磷扩散方法，其特征在于，所述硅片的宽度≥200mm。

4.如权利要求1所述的硅片磷扩散方法，其特征在于，步骤(2)中，将所述炉腔升温至765-775℃，并通入流量为500-700sccm的大氮，流量为500-700sccm的小氮，流量为1000-1100sccm的氧气，对所述硅片进行一次氧化，一次氧化的时间为200-400s。

5.如权利要求1所述的硅片磷扩散方法，其特...

【技术特征摘要】

1.一种硅片磷扩散方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的硅片磷扩散方法，其特征在于，步骤(2)中，氧气的流量为500-2500sccm；

3.如权利要求1所述的硅片磷扩散方法，其特征在于，所述硅片的宽度≥200mm。

4.如权利要求1所述的硅片磷扩散方法，其特征在于，步骤(2)中，将所述炉腔升温至765-775℃，并通入流量为500-700sccm的大氮，流量为500-700sccm的小氮，流量为1000-1100sccm的氧气，对所述硅片进行一次氧化，一次氧化的时间为200-400s。

5.如权利要求1所述的硅片磷扩散方法，其特征在于，步骤(3)中，将所述炉腔升温至775-785℃，并通入流量为1100-1300sccm的大氮，流量为1100-1200sccm的小氮，流量为600-700sccm的氧气，且控制磷源流量为100-200mg/min，对一次氧化后的硅片进行一次沉积，一次沉积的时间为500-800s。

6.如权利要求1所述的硅片磷扩散方法，其特征在于，步骤(4)中，维持所述炉腔的温度至775-7...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘思杨，杨永平，逯承承，时宝，陈刚，
申请(专利权)人：天津爱旭太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：