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本发明公开了一种硅片及其磷扩散方法、太阳能电池，涉及太阳能电池领域。其中，磷扩散方法包括：提供硅片，将其加载至扩散炉的炉腔中；将炉腔升温至760‑775℃，进行一次氧化；将炉腔升温至775‑790℃，进行一次沉积；维持炉腔温度为775‑79...
该专利属于天津爱旭太阳能科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天津爱旭太阳能科技有限公司授权不得商用。

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