一种硅基OLED蒸镀序号标记装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术属于硅基OLED制备技术领域，更具体地说，是涉及一种硅基OLED晶片蒸镀序号标记装置。包括掩模板(2)，掩模板(2)上设置多个晶片布置位(3)，每个晶片布置位(3)包括显示区位(4)和非显示区位(5)，每个晶片布置位(3)的非显示区位(5)分别设置网格部(8)，每个网格布(8)设置序号部位(7)。本实用新型专利技术所述的硅基OLED晶片蒸镀序号标记装置，结构简单，能够方便快捷在整块的晶片基材对应于每个晶片(Wafer)做出序号，以便于后续切割晶片基材形成多个晶片后，每个晶片上都会形成对应的序号，便于对不同晶片进行区分，使得不同晶片准确匹配对应硅基OLED位置。确匹配对应硅基OLED位置。确匹配对应硅基OLED位置。

【技术实现步骤摘要】
一种硅基OLED蒸镀序号标记装置


[0001]本技术属于硅基OLED制备
，更具体地说，是涉及一种硅基OLED蒸镀序号标记装置。

技术介绍

[0002]在硅基OLED晶片加工过程中，在晶片基材上很难对应于每个晶片位置做出序号，而在整块的晶片基材切割后形成多个晶片后，在每个晶片上分别做序号会耗费大量的时间精力；在晶片布置到硅基OLED后做序号，则因为产品过多而无法一一对应于每个晶片进行序号标记。而没有序号区分，导致每个晶片（Wafer）无法有效区分，从而无法准确匹配到对应的硅基OLED位置。这样，存在晶片匹配误差的问题。
[0003]现有技术中有名称为“一种红外增强吸收金属纳米材料及其制备方法”、公开号为“112786772A”的技术，该技术包括：钽酸锂晶片，钽酸锂晶片的下表面自上而下依次设有Ti/Cr层和Au层，钽酸锂晶片的上表面自下而上依次设有Ti/Cr层以及Al层和金黑层。方法包括：在钽酸锂晶片的下表面自上而下依次制备Ti/Cr层和Au层，在钽酸锂晶片的上表面自下而上依次制备Ti/Cr层以及Al层；在Al层表面制备一层高分子粘附层；将不锈钢掩模板置于钽酸锂晶片的上方；采用高纯金粒为原料，通过惰性气体氛围热蒸镀的方式，在高分子粘附层的上表面制备金黑层。
[0004]然而，该技术没有涉及本申请的技术问题和技术方案。

技术实现思路

[0005]本技术所要解决的技术问题是：针对现有技术的不足，提供一种结构简单，能够方便快捷在整块的晶片基材对应于每个晶片（Wafer）做出序号，以便于后续切割晶片基材形成多个晶片后，每个晶片上都会形成对应的序号，便于对不同晶片进行区分，使得不同晶片准确匹配对应硅基OLED位置的硅基OLED晶片蒸镀序号标记装置（硅基OLED晶片蒸镀序号标记装置）。
[0006]要解决以上所述的技术问题，本技术采取的技术方案为：
[0007]本技术为一种硅基OLED晶片蒸镀序号标记装置，包括掩模板，掩模板上设置多个晶片布置位，每个晶片布置位包括显示区位和非显示区位，每个晶片布置位的非显示区位分别设置网格部，每个网格部设置序号部位。
[0008]所述的硅基OLED包括晶片基材，掩模板上的不同晶片布置位的非显示区位的序号部位的序号不同。
[0009]所述的晶片基材放置在掩模板上进行蒸镀序号标记时，掩模板上方的每个晶片布置位分别设置为能够对应一个晶片的结构；蒸镀部件位于掩模板下方。
[0010]所述的序号部位的序号为镂空结构。
[0011]所述的掩模板上设置多组晶片布置位组件，每组晶片布置位组件包括多个按间隙布置的晶片布置位。
[0012]多组晶片布置位组件按间隙布置，每组晶片布置位组件的多个按间隙布置的晶片布置位设置为布置在一条直线的结构。
[0013]多组晶片布置位组件平行布置。
[0014]所述的序号部位的序号为英文字母或阿拉伯数字。
[0015]所述的掩模板为invar（因瓦合金）材料制成的结构。
[0016]所述的蒸镀部件为OLED（Organic Light
‑
Emitting Diode，OLED）材料制成的结构。
[0017]采用本技术的技术方案，工作原理及有益效果如下所述：
[0018]本技术所述的硅基OLED晶片蒸镀序号标记装置，设置结构特殊的掩模板，掩模板用于放置整块的未切割的晶片基材，而针对晶片基材的每个晶片的位置，在掩模板上设置多个晶片布置位，每个晶片布置位包括显示区位和非显示区位，每个晶片布置位的非显示区位分别设置网格部，每个网格部设置序号部位。这样，晶片基材放置到掩模板后，晶片基材的每个晶片的位置刚好对应一个晶片布置位，每个晶片的显示区对应于显示区位，每个晶片的非显示器对应于非显示区位。这样，蒸镀时加热蒸镀有机材料，使有机材料透过掩模板上的每个网格部位置的序号部位，每个序号位分别有有机材料透过，在晶片基材的对应的晶片位置的非显示区形成对应的序号。这样，对晶片基材进行横向和纵向切割后，会形成多个晶片，每个晶片的非显示区位都有对应的序号。通过不同晶片上的不同序号，可以区分不同晶片，确保不同晶片在布置时，都能够快捷准确匹配对应硅基OLED位置。
附图说明
[0019]下面对本说明书各附图所表达的内容及图中的标记作出简要的说明：
[0020]图1为本技术所述的硅基OLED晶片蒸镀序号标记装置进行蒸镀时的示意图；
[0021]图2为本技术所述的硅基OLED晶片蒸镀序号标记装置的掩模板的结构示意图；
[0022]图3为本技术所述的硅基OLED晶片蒸镀序号标记装置的掩模板的局部放大结构示意图；
[0023]图4为本技术所述的硅基OLED晶片蒸镀序号标记装置的晶片布置位的局部放大结构示意图；
[0024]附图中标记分别为：1、蒸镀部件；2、掩模板；3、晶片布置位；4、显示区位；5、非显示区位；7、序号部位；8、网格部；9、晶片基材。
具体实施方式
[0025]下面对照附图，通过对实施例的描述，对本技术的具体实施方式如所涉及的各构件的形状、构造、各部分之间的相互位置及连接关系、各部分的作用及工作原理等作进一步的详细说明：
[0026]如附图1
‑
附图4所示，本技术为一种硅基OLED晶片蒸镀序号标记装置，包括掩模板2，掩模板2上设置多个晶片布置位3，每个晶片布置位3包括显示区位4和非显示区位5，每个晶片布置位3的非显示区位5分别设置网格部8，每个网格部8设置序号部位7。上述结构，针对现有技术中的不足，提出改进的技术方案。结构设置时，设置结构特殊的掩模板2，
掩模板2用于放置整块的未切割的晶片基材，而针对晶片基材的每个晶片的位置，在掩模板2上设置多个晶片布置位3，每个晶片布置位3包括显示区位4和非显示区位5，每个晶片布置位3的非显示区位5分别设置网格部8，每个网格部8设置序号部位7。这样，晶片基材放置到掩模板2后，晶片基材的每个晶片的位置刚好对应于一个晶片布置位，而每个晶片的显示区对应于显示区位4，每个晶片的非显示器对应于非显示区位5。这样，蒸镀时加热蒸镀有机材料，使有机材料透过掩模板上的每个网格部位置的序号部位7，每个序号位7分别有有机材料透过，从而在晶片基材的对应的晶片位置的非显示区形成对应的序号。这样，对晶片基材进行横向和纵向切割后，会形成多个晶片，而每个晶片的非显示区位都有对应的序号。通过不同晶片上的不同序号，可以区分不同晶片，确保不同晶片在布置时，都能够快捷准确匹配对应硅基OLED位置。本技术所述的硅基OLED晶片蒸镀序号标记装置，结构简单，能够方便快捷在整块的晶片基材对应于每个晶片（Wafer）做出序号，以便于后续切割晶片基材形成多个晶片后，每个晶片上都会形成对应的序号，便于对不同晶片进行区分，使得不同晶片准确匹配对应硅基OLED位置。
[0027]所述的硅基OLED包括晶片基材9，掩模板2上的不同晶片布本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅基OLED晶片蒸镀序号标记装置，其特征在于：包括掩模板（2），掩模板（2）上设置多个晶片布置位（3），每个晶片布置位（3）包括显示区位（4）和非显示区位（5），每个晶片布置位（3）的非显示区位（5）分别设置网格部（8），每个网格部（8）设置序号部位（7）。2.根据权利要求1所述的硅基OLED晶片蒸镀序号标记装置，其特征在于：所述的硅基OLED包括晶片基材（9），掩模板（2）上的不同晶片布置位（3）的非显示区位（5）的序号部位（7）的序号不同。3.根据权利要求2所述的硅基OLED晶片蒸镀序号标记装置，其特征在于：所述的晶片基材（9）放置在掩模板（2）上进行蒸镀序号标记时，掩模板（2）上方的每个晶片布置位（3）分别设置为能够对应一个晶片（6）的结构；蒸镀部件（1）位于掩模板（2）下方。4.根据权利要求1或2所述的硅基OLED晶片蒸镀序号标记装置，其特征在于：所述的序号部位（7）的序号为镂空结构。5.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：余瑶，朱平，卢晓雅，刘晓佳，
申请(专利权)人：安徽熙泰智能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：