背接触太阳能电池、电池组件和光伏系统技术方案

本实用新型专利技术适用于太阳能电池技术领域，提供了一种背接触太阳能电池、电池组件和光伏系统，硅基底的背面形成有若干间隔的凹槽以将硅基底的背面划分为若干交替排列的第一区域和第二区域，相邻的第一区域和第二区域通过凹槽隔离。P型掺杂层形成在第一区域上，N型掺杂层形成在第二区域上，N型掺杂层在硅基底内形成有第一内扩层。N型掺杂层的宽度小于第二区域的宽度，沿第一区域和第二区域的排列方向，N型掺杂层与凹槽之间具有第一预设距离。如此，可以使得N型掺杂层在硅基底内所形成的第一内扩层完全位于硅基底的内而不会暴露在凹槽所形成的截面上，避免第一内扩层所形成的空间电荷区暴露在凹槽所形成的截面上，减少空间电荷区的复合，提升效率。提升效率。提升效率。

【技术实现步骤摘要】
背接触太阳能电池、电池组件和光伏系统


[0001]本技术涉及太阳能电池
，尤其涉及一种背接触太阳能电池及其制作方法、电池组件和光伏系统。

技术介绍

[0002]背接触太阳能电池是一种将发射极和基极接触电极均放置在电池背面(非受光面)的电池，该电池的受光面无任何金属电极遮挡，从而有效增加了电池片的短路电。
[0003]在相关技术中，背接触太阳能电池的P去和N区通常采用沟槽进行隔离，在采用N型钝化接触时，N型掺杂层往往需要形成深入至硅衬底的内扩层，而此内扩层会暴露在沟槽的一个截面上，而截面的表面为缺陷的聚集区域会严重影响到内扩层空间电荷区的复合，导致电池的效率降低。因此，如何提高背接触太阳能电池的效率成为了技术人员研究的技术问题。

技术实现思路

[0004]本技术提供一种背接触太阳能电池、电池组件和光伏系统，旨在解决如何背接触太阳能电池的效率的技术问题。
[0005]本技术是这样实现的，本技术实施例的背接触太阳能电池包括：
[0006]硅基底，所述硅基底的背面形成有若干间隔设置的凹槽，若干所述凹槽将所述硅基底的背面划分为若干排列设置的多个第一区域和多个第二区域，相邻的所述第一区域和所述第二区域通过所述凹槽隔离；
[0007]形成在所述第一区域的P型掺杂层；和
[0008]形成在所述第二区域的N型掺杂层，所述N型掺杂层在所述硅基底内形成有第一内扩层，所述N型掺杂层的宽度小于所述第二区域的宽度，沿所述第一区域和第二区域的排列方向，所述N型掺杂层与所述凹槽之间具有第一预设距离。
[0009]更进一步地，所述第一预设距离的大小为0.3um
‑
50um。
[0010]更进一步地，所述第一预设距离的大小为1um
‑
20um。
[0011]更进一步地，所述第一内扩层的宽度与所述N型掺杂层的宽度一致且在所述硅基底的厚度方向上平齐。
[0012]更进一步地，所述第一内扩层的宽度大于所述N型掺杂层的宽度，沿所述第一区域和第二区域的排列方向，所述第一内扩层与所述凹槽之间具有第二预设距离。
[0013]更进一步地，所述第二预设距离的大小为0.5um
‑
49.5um。
[0014]更进一步地，所述凹槽的宽度为1um
‑
1mm。
[0015]更进一步地，位于所述硅基底边缘的所述N型掺杂层与所述硅基底的边缘平齐；或者
[0016]位于所述硅基底边缘的所述N型掺杂层与所述硅基底的边缘之间具有第三预设距离。
[0017]更进一步地，所述P型掺杂层在所述硅基底内形成有第二内扩层，所述P型掺杂层的宽度小于所述第一区域的宽度，沿所述第一区域和第二区域的排列方向，所述P型掺杂层与所述凹槽之间具有第四预设距离。
[0018]更进一步地，所述第四预设距离的大小为0.3um
‑
50um。
[0019]更进一步地，所述第四预设距离的大小为1um
‑
20um。
[0020]更进一步地，所述第二内扩层的宽度与所述P型掺杂层的宽度一致且在所述硅基底的厚度方向上平齐。
[0021]更进一步地，所述第二内扩层的宽度大于所述P型掺杂层的宽度，沿所述第一区域和第二区域的排列方向，所述第二内扩层与所述凹槽之间具有第五预设距离。
[0022]更进一步地，所述第五预设距离的大小为0.5um
‑
49.5um。
[0023]更进一步地，位于所述硅基底边缘的所述P型掺杂层与所述硅基底的边缘平齐；或者
[0024]位于所述硅基底边缘的所述P型掺杂层与所述硅基底的边缘之间具有第六预设距离。
[0025]更进一步地，所述硅基底的背面为抛光表面或者纹理化表面。
[0026]更进一步地，所述第二区域中被所述N型掺杂层覆盖的区域为抛光表面，所述第二区域中未被所述N型掺杂层覆盖的区域为纹理化表面。
[0027]本技术还提供一种电池组件，所述电池组件包括上述任一项所述的背接触太阳能电池。
[0028]本技术还提供一种光伏系统，所述光伏系统包括上述的电池组件。
[0029]在本技术实施例的背接触太阳能电池、电池组件和光伏系统中，通过将N型掺杂层的宽度设置成小于第二区域的宽度且与凹槽之间具有第一预设距离，可以使得N型掺杂层在硅基底内所形成的第一内扩层完全位于硅基底的内而不会暴露在凹槽所形成的截面上，进而避免第一内扩层所形成的空间电荷区暴露在凹槽所形成的截面上，而是将其保护在硅基底的体区之中，减少空间电荷区的复合，提升背接触太阳能电池片效率。
[0030]本技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。
附图说明
[0031]图1是本技术实施例提供的光伏系统的模块示意图；
[0032]图2是本技术实施例提供的电池组件的模块示意图；
[0033]图3是本技术实施例提供的背接触太阳能电池的剖面结构示意图；
[0034]图4是本技术实施例提供的背接触太阳能电池的另一剖面结构示意图；
[0035]图5是本技术实施例提供的背接触太阳能电池的又一剖面结构示意图；
[0036]图6是本技术实施例提供的背接触太阳能电池的再一剖面结构示意图；
[0037]图7是本技术实施例提供的背接触太阳能电池的再一剖面结构示意图。
[0038]主要元件符号说明：
[0039]光伏系统1000、电池组件200、背接触太阳能电池100、硅基底10、第一区域111、第二区域112、凹槽11、P型掺杂层20、第二内扩层21、N型掺杂层30、第一内扩层31、隧穿层40、
钝化膜层50、P型电极60、N型电极70。
具体实施方式
[0040]为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。此外，应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
[0041]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“厚度”、“宽度”、“上”、“下”、“横向”、“纵向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0042]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种背接触太阳能电池，其特征在于，包括：硅基底，所述硅基底的背面形成有若干间隔设置的凹槽，若干所述凹槽将所述硅基底的背面划分为若干排列设置的多个第一区域和多个第二区域，相邻的所述第一区域和所述第二区域通过所述凹槽隔离；形成在所述第一区域的P型掺杂层；和形成在所述第二区域的N型掺杂层，所述N型掺杂层在所述硅基底内形成有第一内扩层，所述N型掺杂层的宽度小于所述第二区域的宽度，沿所述第一区域和第二区域的排列方向，所述N型掺杂层与所述凹槽之间具有第一预设距离。2.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第一预设距离的大小为0.3um
‑
50um。3.根据权利要求2所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第一预设距离的大小为1um
‑
20um。4.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第一内扩层的宽度与所述N型掺杂层的宽度一致且在所述硅基底的厚度方向上平齐。5.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第一内扩层的宽度大于所述N型掺杂层的宽度，沿所述第一区域和第二区域的排列方向，所述第一内扩层与所述凹槽之间具有第二预设距离。6.根据权利要求5所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第二预设距离的大小为0.5um
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49.5um。7.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述凹槽的宽度为1um
‑
1mm。8.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，位于所述硅基底边缘的所述N型掺杂层与所述硅基底的边缘平齐；或者位于所述硅基底边缘的所述N型掺杂层与所述硅基底的边缘之间具有第三预设距离。9.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述P型掺杂层...

【专利技术属性】
技术研发人员：王永谦，陈刚，
申请(专利权)人：珠海富山爱旭太阳能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：