一种太阳能电池及光伏组件制造技术

本申请公开了一种太阳能电池及光伏组件，太阳能电池包括：基底，具有前表面和与前表面相对的背表面；形成于第一区域上的第一导电层；形成于第二区域上的第二导电层，第二导电层与第一导电层的导电类型相反；间隔区对应的背表面上形成有若干第一金字塔状纹理结构，第一导电层和/或第二导电层的侧壁与相邻的间隔区的侧壁之间具有曲面交界区。与现有技术相比，本申请通过对IBC电池的局部结构设计进行了优化，在第一导电层和/或第二导电层的侧壁与相邻的间隔区的侧壁之间形成曲面交界区，从而增加了基底背表面的入射光反射，增加了太阳能电池对光线的吸收数量，提高了太阳能电池的转换效率。转换效率。转换效率。

【技术实现步骤摘要】
一种太阳能电池及光伏组件


[0001]本申请涉及光伏电池
，特别是一种太阳能电池及光伏组件。

技术介绍

[0002]IBC(Interdigitated Back Contact)太阳能电池是指受光面无电极，正负电极呈指状交叉排列于电池的背光面。与受光面有遮挡的太阳能电池相比，IBC电池具有更高的短路电流和光电转换效率，
[0003]如何进一步提升IBC电池的效率，是一个函待解决的技术问题。

技术实现思路

[0004]本申请的目的是提供一种太阳能电池及光伏组件，以解决现有技术中的技术问题，它能够提高IBC电池的效率。
[0005]本申请提供了一种太阳能电池，包括：
[0006]基底，具有前表面和与所述前表面相对的背表面，所述背表面上具有沿第一方向交错间隔排列的第一区域和第二区域，相邻的所述第一区域与所述第二区域之间具有向所述基底内部凹陷的间隔区；
[0007]形成于所述第一区域上的第一导电层；
[0008]形成于所述第二区域上的第二导电层，所述第二导电层与所述第一导电层的导电类型相反；
[0009]与所述第一导电层形成电接触的第一电极；
[0010]与所述第二导电层形成电接触的第二电极；
[0011]其中：
[0012]所述间隔区对应的所述背表面上形成有若干第一金字塔状纹理结构，所述第一导电层和/或第二导电层的侧壁与相邻的间隔区的侧壁之间具有曲面交界区。
[0013]如上所述的一种太阳能电池，其中，优选的是，还包括背面钝化层，所述背面钝化层位于所述第一导电层、所述第二导电层以及所述间隔区的表面上，所述第一电极穿透所述背面钝化层后与所述第一导电层形成电接触，所述第二电极穿透所述背面钝化层后与所述第二导电层形成电接触。
[0014]如上所述的一种太阳能电池，其中，优选的是，所述基底的前表面上形成有正面钝化层。
[0015]如上所述的一种太阳能电池，其中，优选的是，所述基底为N型基底，所述第一导电层包括N型掺杂层，所述第二导电层包括P型掺杂层。
[0016]如上所述的一种太阳能电池，其中，优选的是，所述第一导电层和所述第二导电层的至少一个与所述基底的背表面之间设置电介质层。
[0017]如上所述的一种太阳能电池，其中，优选的是，所述电介质层包括氧化硅、氧化铝、氧化铪、氮化硅或氮氧化硅。
[0018]如上所述的一种太阳能电池，其中，优选的是，所述电介质层的厚度在0.5nm
‑
3nm。
[0019]如上所述的一种太阳能电池，其中，优选的是，所述电介质层不覆盖所述间隔区对应的所述基底的背表面。
[0020]如上所述的一种太阳能电池，其中，优选的是，所述第一金字塔状纹理结构的顶部表面与底部表面之间的距离范围为1um
‑
5um。
[0021]如上所述的一种太阳能电池，其中，优选的是，所述曲面交界区沿所述第一方向的距离范围为3um
‑
15um。
[0022]如上所述的一种太阳能电池，其中，优选的是，所述曲面交界区的顶部表面与底部表面之间的距离范围为2um
‑
5um。
[0023]如上所述的一种太阳能电池，其中，优选的是，所述间隔区沿所述第一方向的距离范围为50
‑
200um。
[0024]如上所述的一种太阳能电池，其中，优选的是，所述间隔区沿所述基板背表面的法线方向上的距离范围为1
‑
6um。
[0025]如上所述的一种太阳能电池，其中，优选的是，所述曲面交界区的至少部分表面具有若干线状突起纹理结构。
[0026]如上所述的一种太阳能电池，其中，优选的是，所述间隔区面积与基底背表面面积的比值为10％
‑
35％。
[0027]本申请还提供了一种太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：
[0028]提供一基底，所述基底具有前表面和与所述前表面相对的背表面，所述背表面上具有沿第一方向交错间隔排列的第一区域和第二区域，相邻的所述第一区域与所述第二区域之间具有向所述基底内部凹陷的间隔区；
[0029]在所述基底的背表面上形成第一导电层；
[0030]对基底的背表面进行激光开膜，去除位于所述第二区域以及所述间隔区上的第一导电层；
[0031]在所述基底的背表面上形成第二导电层；
[0032]在所述第二导电层表面对应于所述第二区域处形成有第一保护层；
[0033]去除未被所述第一保护层覆盖下的第二导电层；
[0034]去除所述第一保护层；
[0035]制绒，于所述间隔区对应的所述背表面上形成有若干第一金字塔状纹理结构，所述第一导电层和/或第二导电层的侧壁与相邻的间隔区的侧壁之间具有曲面交界区；
[0036]在所述第一导电层上形成第一电极，在所述第二导电层上形成第二电极。
[0037]如上所述的一种太阳能电池的制备方法，其中，优选的是，所述第一保护层为油墨INK保护层。本申请还提供了一种光伏组件，包括：
[0038]电池串，所述电池串由前述的太阳能电池连接而成；
[0039]封装层，所述封装层用于覆盖所述电池串的表面；
[0040]盖板，所述盖板用于覆盖所述封装层远离所述电池串的表面。
[0041]与现有技术相比，本申请通过对IBC电池的局部结构设计进行了优化，在第一导电层和/或第二导电层的侧壁与相邻的间隔区的侧壁之间形成曲面交界区，从而增加了基底背表面的入射光反射，增加了太阳能电池对光线的吸收数量，提高了太阳能电池的转换效
率。
附图说明
[0042]图1
‑
1是本申请提供的第一种结构的太阳能电池的结构示意图；
[0043]图1
‑
2是本申请提供的第二种结构的太阳能电池的结构示意图；
[0044]图1
‑
3是本申请提供的第三种结构的太阳能电池的结构示意图；
[0045]图2是本申请提供的太阳能电池的局部结构示意图；
[0046]图3是本申请提供的第一种结构的太阳能电池在制备过程中的结构示意图一；
[0047]图4是本申请提供的第一种结构的太阳能电池在制备过程中的结构示意图二；
[0048]图5是本申请提供的第一种结构的太阳能电池在制备过程中的结构示意图三；
[0049]图6是本申请提供的第一种结构的太阳能电池在制备过程中的结构示意图四；
[0050]图7是本申请提供的第一种结构的太阳能电池在制备过程中的结构示意图五；
[0051]图8是本申请提供的第一种结构的太阳能电池在制备过程中的结构示意图六；
[0052]图9是本申请提供的第一种结构的太阳能电池在制备过程中的结构示意图七；
[0053]图10是本申请提供的第一种结构的太阳能电池在制备过程中的结构示意图八；
[005本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：基底，具有前表面和与所述前表面相对的背表面，所述背表面上具有沿第一方向交错间隔排列的第一区域和第二区域，相邻的所述第一区域与所述第二区域之间具有向所述基底内部凹陷的间隔区；形成于所述第一区域上的第一导电层；形成于所述第二区域上的第二导电层，所述第二导电层与所述第一导电层的导电类型相反；与所述第一导电层形成电接触的第一电极；与所述第二导电层形成电接触的第二电极；其中：所述间隔区对应的所述背表面上形成有若干第一金字塔状纹理结构，所述第一导电层和/或第二导电层的侧壁与相邻的间隔区的侧壁之间具有曲面交界区。2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：还包括背面钝化层，所述背面钝化层位于所述第一导电层、所述第二导电层以及所述间隔区的表面上，所述第一电极穿透所述背面钝化层后与所述第一导电层形成电接触，所述第二电极穿透所述背面钝化层后与所述第二导电层形成电接触。3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述基底的前表面上形成有正面钝化层。4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述基底为N型基底，所述第一导电层包括P型掺杂层，所述第二导电层包括N型掺杂层。5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述第一导电层和所述第二导电层的至少一个与所述基底的背表面之间设置电介质层。6.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于：所述电介质层包括氧化硅、氧化铝、氧化铪、氮化硅或氮氧化硅。7.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于：所述电介质层的厚度在0.5...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈孔嵩，徐孟雷，杨洁，张昕宇，
申请(专利权)人：晶科能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：