一种硅异质结电池制造技术

本申请实施例提供了一种硅异质结电池，采用非绒面硅片将光管理需求转移至后续制备的绒面掺硼氧化锌薄膜层中，制得高效且成本低硅异质结电池。在保证硅异质结电池性能的前提下，省略了硅片绒面的制作过程，既简化了硅异质结电池的制备过程，降低了成本，又避免了硅片绒面对生产钝化层、掺杂层工艺的影响。另外，采用绒面掺硼氧化锌薄膜层替代以氧化铟系掺杂氧化物(ITO，InO2：H，IWO等)为主的透明导电氧化物(TCO)膜层，又降低了成本。又降低了成本。又降低了成本。

【技术实现步骤摘要】
一种硅异质结电池


[0001]本申请涉及新能源设备制造
，尤其涉及一种硅异质结电池。

技术介绍

[0002]太阳能是一种可再生的清洁能源，对于人类的可持续发展具有重要的意义。太阳能电池将太阳能转化为电能，其转化效率、制造(度电)成本是决定其工业化应用、平价上网以及实现能源替代最终目标的关键因素。目前，硅基太阳能电池占据市场95％以上，其中，硅异质结电池是硅基太阳能电池中的一种。
[0003]目前，基于硅异质结电池光管理的需求，硅基需要采用双面绒面硅片。这就使得在制备电池的过程中，需要先在硅片的表面制造绒面。
[0004]但是，硅片的绒面不仅制造工艺复杂，而且绒面织构不利于后续薄膜沉积工艺的完成，造成硅异质结电池制造工艺复杂且成本高。

技术实现思路

[0005]本申请实施例提供了一种硅异质结电池及其制备方法，解决现有的硅异质结电池制造工艺复杂且成本高的问题。
[0006]第一方面，本申请实施例提供一种硅异质结电池制备方法，包括：
[0007]清洗硅片，以在硅片上形成相背设置的第一抛光面和第二抛光面本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅异质结电池，其特征在于，包括：硅片、本征半导体薄膜、N型半导体薄膜掺杂层、P型半导体薄膜掺杂层以及绒面掺硼氧化锌薄膜层；所述硅片具有相背设置的第一抛光面和第二抛光面；所述第一抛光面上自远离所述硅片的方向依次层叠设置有所述本征半导体薄膜和所述N型半导体薄膜掺杂层；所述第二抛光面上自远离所述硅片的方向依次层叠设置有所述本征半导体薄膜和所述P型半导体薄膜掺杂层；所述N型半导体薄膜掺杂层和所述P型半导体薄膜掺杂层上分别设置有绒面掺硼氧化锌薄膜层。2.根据权利要求1所述的硅异质结电池，其特征在于，所述绒面掺硼氧化锌薄膜层至少包括第一绒面掺硼氧化锌薄膜层，所述第一绒面掺硼氧化锌薄膜层设置在所述N型半导体薄膜掺杂层背向所述硅片的表面和所述P型半导体薄膜掺杂层背向所述硅片的表面上，所述第一绒面掺硼氧化锌薄膜层的光学迁移率为45cm2·
V
‑1·
s
‑1‑
40cm2·
V
‑1·
s
‑1，载流子的浓度为9*10
18
cm
‑3‑
3*10
19
cm
‑3，表面类金字塔的特征尺寸为
‑
1.5μm
‑
3μm。3.根据权利要求2所述的硅异质结电池，其特征在于，所述绒面掺硼氧化锌薄膜层还包括第二绒面掺硼氧化锌薄膜层和第三绒面掺硼氧化锌薄膜层中的至少一者；当所述绒面掺硼氧化锌薄膜层还包括第二绒面掺硼氧化锌薄膜层时，所述第二绒面掺硼氧化锌薄膜层设置在所述N型半导体薄...

【专利技术属性】
技术研发人员：来霸，倪志春，连维飞，杨飞，
申请(专利权)人：江苏爱康科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：