一种N型单晶硅HBC太阳能电池结构及其制备方法技术

本发明专利技术涉及的一种N型单晶硅HBC太阳能电池结构及其制备方法，它包括单晶硅衬底，所述单晶硅衬底的正面由上至下依次设有氮化硅层和非晶硅n+型晶体硅层；所述单晶硅衬底的背面设有交替排布的第一背面单元和第二背面单元，所述第一背面单元包括由上至下依次设置的二氧化硅隧穿层、P+型多晶硅层和第一复合膜层，所述第二背面单元包括由上至下依次设置的本征非晶硅层、N+型非晶硅层和第二复合膜层；所述第一复合膜层和第二复合膜层的外侧均设有电极。本发明专利技术通过沉积隧穿氧化层和多晶硅的技术，代替非晶硅，解决非晶硅掺杂效率低的问题。解决非晶硅掺杂效率低的问题。解决非晶硅掺杂效率低的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种N型单晶硅HBC太阳能电池结构及其制备方法


[0001]本专利技术涉及绒面叠层太阳能电池
，尤其涉及一种N型单晶硅HBC太阳能电池结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]叉指型背接触异质结单晶硅太阳电池(Interdigitated Back Contact Silicon HeterojunctionSolarCell，简称HBC太阳电池)兼具叉指型背接触太阳电池 (Interdigitated back contact Solar Cell，简称IBC太阳电池)和带有薄本征层的异质结太阳电池(Heterojunction with Intrinsic Thin layer Solar Cell，简称HIT太阳电池) 的优点，既移除了前表面金属电极，减少了遮光损失，获得了较大的短路电流，又通过在重掺的非晶硅与晶体硅之间插入了一层高质量的本征非晶硅钝化层大幅降低了界面态，减少了表面复合，提高了开路电压，是目前世界上光电转换效率最高的单晶硅太阳电池。
[0003]HBC电池代表晶硅电池最高效率水平，HBC却一直受限于较高的量产本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种N型单晶硅HBC太阳能电池结构，其特征在于：它包括单晶硅衬底（1），所述单晶硅衬底（1）的正面由上至下依次设有氮化硅层（3）和非晶硅n+型晶体硅层（2）；所述单晶硅衬底（1）的背面设有交替排布的第一背面单元（4）和第二背面单元（5），所述第一背面单元（4）包括由上至下依次设置的二氧化硅隧穿层（41）、P+型多晶硅层（42）和第一复合膜层（43），所述第二背面单元（5）包括由上至下依次设置的本征非晶硅层（51）、N+型非晶硅层（52）和第二复合膜层（53）；所述第一复合膜层（43）和第二复合膜层（53的外侧均设有电极（6）。2.根据权利要求1所述的一种N型单晶硅HBC太阳能电池结构，其特征在于：所述第一复合膜层（43）为TCO导电膜和金属膜的复合膜层，所述第二复合膜层（53）与第一复合膜层（43）的结构相同，也为TCO导电膜和金属膜的复合膜层。3.根据权利要求2所述的一种N型单晶硅HBC太阳能电池结构，其特征在于：所述第一复合膜层（43）中的TCO导电膜采用功函数大于5.2ev的材料，其厚度为10~130nm，第一复合膜层（43）中的金属膜的厚度为10~200nm。4.根据权利要求2所述的一种N型单晶硅HBC太阳能电池结构，其特征在于：所述第二复合膜层（53）中的TCO导电膜采用功函数小于4.2ev的材料，其厚度为10~130nm，第二复合膜层（53）中的金属膜的厚度为10~200nm。5.根据权利要求1所述的一种N型单晶硅HBC太阳能电池结构，其特征在于：所述P+型多晶硅层（42）和N+型非晶硅层（52）之间设有绝缘间隙，该绝缘间隙的间距为0.1~10μm。6.一种权利要求1所述的N型单晶硅HBC太阳能电池结构的制备方法，其特征在于，包括以下内容：步骤一、硅片清洗：选取N型硅片，对其进行清洗、制绒处理；硅片经清洗后制绒，硅片的正面形成绒面层；步骤二、隧穿氧化层、多晶硅沉积：将上...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨飞，连维飞，来霸，
申请(专利权)人：江苏爱康科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：