一种多层套刻式锥形电极铌酸锂电光调制器及其制备工艺制造技术

一种多层套刻式锥形电极铌酸锂电光调制器及其制备工艺，铌酸锂电光调制器包括从下到上依次设置的衬底、光波导、二氧化硅缓冲层和电极层，电极层包括间隔设置在二氧化硅缓冲层顶部两地电极和设置在两地电极之间的中心电极，所述地电极呈锥形，中心电极呈倒锥形；本申请通过限定地电极与中心电极的形状，采用锥形对应倒锥形的电极结构，提高电极平板相对面积，从而在有限的电极厚度内，将相对面积提高至最大，增大电场作用区达到提高带宽的目的。增大电场作用区达到提高带宽的目的。增大电场作用区达到提高带宽的目的。

【技术实现步骤摘要】
一种多层套刻式锥形电极铌酸锂电光调制器及其制备工艺


[0001]本专利技术属于电光调制器制备领域，具体涉及一种多层套刻式锥形电极铌酸锂电光调制器及其制备工艺。

技术介绍

[0002]随着时代的发展，网络流量、信息传输量正在以惊人的速度增长，这主要是由渴求带宽的各类应用场景驱动的，如5G网络、物联网(IoT)设备、视频流和基于云的服务。为了满足时代对高速、大容量、集成化通信技术日益的迫切需求，需要使用低成本、宽带宽的光网络来支持高速光链路。高性能电光调制器是高速光链路的关键组成部分，它们将高速电信息高保真地编码成光载波。为了实现低成本和高速的光链路，要尽量减少并行通道的电光(EO)接口的数量，这就是高符号速率传输发生的地方。在这种情况下，使用单一的光调制器将高码率的电信号编码成光载波。因此，未来EO调制器的带宽起着至关重要的作用，在未来，对电光调制器的带宽需求将超过100GHz。为了同时实现低驱动电压和高调制带宽，带有行波电极(TWEs)的EO调制器是一个更好的选择，同时铌酸锂晶体由于其优异的电光效应，在本领域也获得了广泛关注。在TWE结构中，微本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多层套刻式锥形电极铌酸锂电光调制器，其特征在于：包括从下到上依次设置的衬底、光波导、二氧化硅缓冲层和电极层，所述电极层包括间隔设置在二氧化硅缓冲层顶部两地电极和设置在两地电极之间的中心电极，所述地电极呈锥形，所述中心电极呈倒锥形。2.根据权利要求1所述的一种多层套刻式锥形电极铌酸锂电光调制器，其特征在于：所述地电极包括与二氧化硅缓冲层连接的第一连接部和设置在第一连接部上的地电极部，所述地电极部呈锥形。3.根据权利要求1所述的一种多层套刻式锥形电极铌酸锂电光调制器，其特征在于：所述中心电极包括与二氧化硅缓冲层连接的第二连接部和设置在第二连接部上的中心电极部，所述中心电极部呈倒锥形。4.根据权利要求1所述的一种多层套刻式锥形电极铌酸锂电光调制器，其特征在于：所述衬底为铌酸锂衬底。5.根据权利要求1所述的一种多层套刻式锥形电极铌酸锂电光调制器，其特征在于：所述地电极与中心电极均为金电极。6.根据权利要求1所述的一种多层套刻式锥形电极铌酸锂电光调制器，其特征在于：所述光波导的横截面呈弧形。7.根据权利要求1所述的一种多层套刻式锥形电极铌酸锂电光调制器的制备工艺，其特征在于：包括如下步骤：步骤一，利用镀膜机在衬底上镀一层二氧化硅形成二氧化硅缓冲层，然后在二氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：张维佳，罗雪婷，刘婷，李佳琦，张文轩，刘体辉，
申请(专利权)人：福建玻尔光电科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：