【技术实现步骤摘要】
本技术涉及内置电极的电光调制器。
技术介绍
1、随着光通信的发展，随着人们对于高速、大容量、集成化通信技术日益的迫切需求，光互联正逐步取代传统的电互连，目前社会上对光器件的要求越来越高，要求其具有低损耗、高集成度、小半波电压、宽带宽、高速通信等一系列的特点。电光调制器作为光通信中不可缺少的基本元件，受到了广泛的关注。电光调制器的远离是利用电光晶体的电光效应——当电压加到电光晶体上时，电光晶体的折射率将会发生变化，则会引起该晶体的光波特性的变化，实现对光信号的调制。铌酸锂晶体由于其优异的电光效应，在本领域获得了广泛关注。
2、但现有技术中的铌酸锂电光调制器，除了因射频信号与光信号之间存在相速差而导致的带宽受限的缺陷，还存在因电信号引入端设置不合理而导致不易对电极进行裸片测试的不足，在电光调制器制备过程中，若能够在电极制作完成后即对电极进行测试，即能够预先以去除不合格的样品，从而减小样品不合格率，也节省后续工序所耗费的时间与材料，但是现有技术中，因对电极进行测试的探针型号多种，不同型号探针针尖间距也各有不同，但现有的电极的电信号引入端通常是规整设计，即相邻两引入端各处之间的间隔相同，但不同型号或者不同使用环境的电光调制器的信号引入端之间的间隔也是不同的，这就使得若要对电极进行裸片测试，就需要准备合适的探针，在实际操作中这并不容易实现，因此现有技术中通常是在封装完成后再进行连线测试。
技术实现思路
1、本技术提出一种内置电极的电光调制器，能够提升器件带宽，保护电极，且方便对电
2、本技术通过以下技术方案实现：
3、内置电极的电光调制器，包括封装壳体、设置在封装壳体内的二氧化硅缓冲层、形成于二氧化硅缓冲层上的第一层电极、形成于第一层电极上的第二层电极、与二氧化硅缓冲层键合的铌酸锂薄膜、形成在铌酸锂薄膜下端的光波导、设置在封装壳体上的两端口和两连接线模块，第一层电极包括第一中心电极、分别间隔设置在第一中心电极上下两端的第一地电极和第二地电极，光波导嵌入第二层电极内且上端与第二层电极上端齐平，第一地电极、第一中心电极和第二地电极分别设置有向前延伸至二氧化硅缓冲层前端的第一过渡条、第二过渡条和第三过渡条，第一过渡条与第二过渡条之间的间隔宽度、第二过渡条与第三过渡条之间的间隔宽度均是变化的，铌酸锂薄膜前端设置有由侧边向内延伸以露出第一、第二和第三过渡条的两让位孔，连线模块一端与对应的端口连接，另一端穿过让位孔后与对应的第一、第二和第三过渡条连接。本技术的光波导上端与第二层电极上端齐平，即通过减小波导与电极之间的高度差来提高射频信号与光信号的相速匹配度，从而实现在不影响电光调制器半波电压的情况下提高光电调制器的带宽；其次，第一层电极和第二层电极被放置在中间层，能够降低电光调制器在使用过程中电极被损伤的可能性；第三，第一层电极和第二层电极在使用时是作为一个电极使用的，结构上形成两层电极，能够既使电极具有电信号引入部，又能为光波导提供插入间隙，进而完成整个光电调制器的制备，否则若仅设置一层电极，因光波导形状的限制，是不易既设置电信号引入部又提供插入间隙的；第四，第一过渡条与第二过渡条之间、以及第二过渡条与第三过渡条之间均具有变化的间隔宽度，在进行电极裸片测试时，有更大的可能使用现有的探针即可进行，因间隔宽度是变化的，现有探针的三根针尖总能在第一过渡条、第二过渡条和第三过渡条上找到合适的接触点，从而使裸片测试变得更为方便，即可尽早去除不合格品，从而减小样品不合格率，也节省后续工序所耗费的时间与材料。
4、进一步的，所述第一过渡条与第二过渡条之间、以及第二过渡条与第三过渡条之间的间隔宽度，由后至之前逐渐增大，设计更为合理。
5、进一步的，所述第一过渡条与第二过渡条之间、以及第二过渡条与第三过渡条之间的间隔宽度的变化范围为[10um，400um]，能够适应大部分型号的探针。
6、进一步的，所述第一过渡条由后至前向外倾斜，所述第二过渡条由后至前向内倾斜地延伸，所述第三过渡条由后至前向内倾斜地延伸，所述第第一地电极呈由上至下缩小的梯形以使第三过渡条倾斜角度大于第二过渡条，设计更为合理。
7、进一步的，所述端口包括水平贯穿封装壳体且间隔设置的三引出针，所述连接线模块包括分别与三引出针对应的三金线，三金线一端与对应的引出针位于封装壳体内的端部连接、另一端分别与对应的第一、第二和第三过渡条连接，使封装更为方便。
8、进一步的，还包括体铌酸锂衬底，所述二氧化硅缓冲层设置在体铌酸锂衬底上端，所述第二层电极包括分别对应于第一层电极的第二中心电极、分别间隔设置在第二中心电极上下两端的第三地电极和第四地电极，所述光波导嵌入在第二中心电极与第三、第四地电极之间的间隙内。
9、进一步的，还包括两支撑部和两光纤，所述体铌酸锂衬底、二氧化硅缓冲层和铌酸锂薄膜形成主体，两支撑部分别设置在主体左右两侧，两光纤分别与光波导两端连接且水平向外延伸，支撑部上端设置有与光纤匹配以供其嵌入的凹槽，封装壳体上设置有供光纤穿出的通孔。
10、进一步的，所述第二过渡条位于二氧化硅缓冲层边缘部分的宽度大于位于第一中心电极部分的宽度。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.内置电极的电光调制器，其特征在于：包括封装壳体、设置在封装壳体内的二氧化硅缓冲层、形成于二氧化硅缓冲层上的第一层电极、形成于第一层电极上的第二层电极、与二氧化硅缓冲层键合的铌酸锂薄膜、形成在铌酸锂薄膜下端的光波导、设置在封装壳体上的两端口和两连接线模块，第一层电极包括第一中心电极、分别间隔设置在第一中心电极上下两端的第一地电极和第二地电极，光波导嵌入第二层电极内且上端与第二层电极上端齐平，第一地电极、第一中心电极和第二地电极分别设置有向前延伸至二氧化硅缓冲层前端的第一过渡条、第二过渡条和第三过渡条，第一过渡条与第二过渡条之间的间隔宽度、第二过渡条与第三过渡条之间的间隔宽度均是变化的，铌酸锂薄膜前端设置有由侧边向内延伸以露出第一、第二和第三过渡条的两让位孔，连线模块一端与对应的端口连接，另一端穿过让位孔后与对应的第一、第二和第三过渡条连接。
2.根据权利要求1所述的内置电极的电光调制器，其特征在于：所述第一过渡条与第二过渡条之间、以及第二过渡条与第三过渡条之间的间隔宽度，由后至之前逐渐增大。
3.根据权利要求2所述的内置电极的电光调制器，其特征在于：所述
4.根据权利要求1或2或3所述的内置电极的电光调制器，其特征在于：所述第一过渡条由后至前向外倾斜，所述第二过渡条由后至前向内倾斜地延伸，所述第三过渡条由后至前向内倾斜地延伸，所述第一地电极呈由上至下缩小的梯形以使第三过渡条倾斜角度大于第二过渡条。
5.根据权利要求1或2或3所述的内置电极的电光调制器，其特征在于：所述端口包括水平贯穿封装壳体且间隔设置的三引出针，所述连接线模块包括分别与三引出针对应的三金线，三金线一端与对应的引出针位于封装壳体内的端部连接、另一端分别与对应的第一、第二和第三过渡条连接。
6.根据权利要求1或2或3所述的内置电极的电光调制器，其特征在于：还包括体铌酸锂衬底，所述二氧化硅缓冲层设置在体铌酸锂衬底上端，所述第二层电极包括分别对应于第一层电极的第二中心电极、分别间隔设置在第二中心电极上下两端的第三地电极和第四地电极，所述光波导嵌入在第二中心电极与第三、第四地电极之间的间隙内。
7.根据权利要求6所述的内置电极的电光调制器，其特征在于：还包括两支撑部和两光纤，所述体铌酸锂衬底、二氧化硅缓冲层和铌酸锂薄膜形成主体，两支撑部分别设置在主体左右两侧，两光纤分别与光波导两端连接且水平向外延伸，支撑部上端设置有与光纤匹配以供其嵌入的凹槽，封装壳体上设置有供光纤穿出的通孔。
8.根据权利要求1或2或3所述的内置电极的电光调制器，其特征在于：所述第二过渡条位于二氧化硅缓冲层边缘部分的宽度大于位于第一中心电极部分的宽度。
...【技术特征摘要】
1.内置电极的电光调制器，其特征在于：包括封装壳体、设置在封装壳体内的二氧化硅缓冲层、形成于二氧化硅缓冲层上的第一层电极、形成于第一层电极上的第二层电极、与二氧化硅缓冲层键合的铌酸锂薄膜、形成在铌酸锂薄膜下端的光波导、设置在封装壳体上的两端口和两连接线模块，第一层电极包括第一中心电极、分别间隔设置在第一中心电极上下两端的第一地电极和第二地电极，光波导嵌入第二层电极内且上端与第二层电极上端齐平，第一地电极、第一中心电极和第二地电极分别设置有向前延伸至二氧化硅缓冲层前端的第一过渡条、第二过渡条和第三过渡条，第一过渡条与第二过渡条之间的间隔宽度、第二过渡条与第三过渡条之间的间隔宽度均是变化的，铌酸锂薄膜前端设置有由侧边向内延伸以露出第一、第二和第三过渡条的两让位孔，连线模块一端与对应的端口连接，另一端穿过让位孔后与对应的第一、第二和第三过渡条连接。
2.根据权利要求1所述的内置电极的电光调制器，其特征在于：所述第一过渡条与第二过渡条之间、以及第二过渡条与第三过渡条之间的间隔宽度，由后至之前逐渐增大。
3.根据权利要求2所述的内置电极的电光调制器，其特征在于：所述第一过渡条与第二过渡条之间、以及第二过渡条与第三过渡条之间的间隔宽度的变化范围为[10um，400um]。
4.根据权利要求1或2或3所述的内置电极的电光调制器，其特征在于：所述第一过渡条由后至前向...
【专利技术属性】
技术研发人员：张维佳，罗雪婷，刘婷，李佳琦，张文轩，刘体辉，
申请(专利权)人：福建玻尔光电科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。