用于处理基板的方法和设备技术

本文中提供了用于处理基板的方法和设备。例如，使用扩展光谱椭偏术(ESE)处理基板的方法包括以下步骤：将来自扩展光谱椭偏仪的光束引导朝向基板的表面，以用于在基板处理期间从基板的表面确定原位ESE数据；测量在所确定的原位ESE数据中的相位和振幅的变化；以及同时使用来自原位ESE数据中的测得的相位和振幅的变化的复杂介电函数、光导率和电子相关性来确定基板的表面的各个方面。定基板的表面的各个方面。定基板的表面的各个方面。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于处理基板的方法和设备


[0001]本公开的实施例总体涉及用于处理基板的方法和设备。更具体地，本公开的实施例涉及半导体基板工艺中的表面/接口表征。

技术介绍

[0002]基板(晶片)制造可包括一种或多种工艺。例如，基板制造可包括使用一种或多种沉积工艺(例如，物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)等)、一种或多种蚀刻工艺(例如，湿式蚀刻、干式蚀刻等)，以及一种或多种抛光工艺(例如，化学机械抛光(CMP)或其他合适的抛光工艺)。常规方法和设备配置用于表面/接口表征，以检测感兴趣表面的清洁度。然而，此类方法和设备通常配置为在每个工艺的结束(完成)时执行表面/接口表征，这可能对感兴趣的表面具有高度破坏性。

技术实现思路

[0003]本文中提供了用于处理基板的方法和设备。在一些实施例中，一种处理基板的方法包括以下步骤：将来自扩展光谱椭偏仪的光束引导朝向基板的表面以用于在基板处理期间从基板的表面确定原位ESE数据；测量在所确定的原位ESE数据中的相位和振幅的变化；以及同时使用来自原位ESE数据中的测得的相位和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种使用扩展光谱椭偏术(ESE)处理基板的方法，包含以下步骤：将来自扩展光谱椭偏仪的光束引导朝向基板的表面，以用于在基板处理期间从所述基板的所述表面确定原位ESE数据；测量在所确定的原位ESE数据中的相位和振幅的变化；以及同时使用来自所述原位ESE数据中的测得的相位和振幅的变化的复杂介电函数、光导率和电子相关性来确定所述基板的所述表面的各个方面。2.如权利要求1所述的方法，其中所述原位ESE数据包含反射光束的相位和振幅的变化。3.如权利要求1所述的方法，其中确定所述基板的所述表面的所述各个方面包含以下各项中的至少一者：污染水平、接触电阻水平或泄漏电流水平。4.如权利要求1所述的方法，其中引导所述光束的步骤包含以下步骤：以约0
°
至约70
°
的入射角将所述光束引导朝向所述基板的所述表面。5.如权利要求1所述的方法，其中引导所述光束的步骤包含以下步骤：以约45
°
至约50
°
的入射角将所述光束引导朝向所述基板的所述表面。6.如权利要求1所述的方法，其中所述光束具有约1eV至约10eV的光子能量。7.如权利要求1所述的方法，其中所述光束具有约3.2eV至约6eV的光子能量。8.如权利要求1所述的方法，其中基板处理包含以下各项中的至少一者：执行预清洁工艺、湿式蚀刻工艺或化学机械抛光工艺。9.如权利要求1所述的方法，其中所述基板包含铝、铜、钽、钛或聚合物中的一者。10.如权利要求1至9中任一项所述的方法，其中所述基板的所述表面包括通孔、沟槽或互连件中的至少一者。11.一种非暂时性计算机可读存储介质，所述非暂时性计算机可读存储介质上存储有指令，所述指令在由处理器执行时，执行用于使用扩展光谱椭偏术(ESE)处理基板的方法，所述方法包含以下步骤：将来自扩展光谱椭偏仪的光束引导朝向基板的表面，以用于在基板处理期间从所述基板的所述表面确定原位ESE数据；测量在所确定的原位ESE数据中的相位和振幅的...

【专利技术属性】
技术研发人员：P，
申请(专利权)人：新加坡国立大学，
类型：发明
国别省市：