掩膜版及掩膜版质量测试方法技术

本公开提供了一种掩膜版及掩膜版质量测试方法，掩膜版包括曝光区和非曝光区，曝光区设置有主图形，非曝光区设置有至少一个图形密度监测标记，图形密度监测标记包括量测图形以及包围量测图形的密度填充图形；其中，至少一个图形密度监测标记中的密度填充图形的密集度与主图形的密集度匹配，图形密度监测标记中的量测图形的实际尺寸和目标尺寸的偏差用于监测掩膜版的质量。本公开提供的掩膜版中，通过设置包括量测图形以及密度填充图形的图形密度监测标记，通过监测量测图形的实际尺寸和目标尺寸之间的偏差，以确定主图形受图案的排布密集程度的尺寸偏差，从而确定掩膜版的质量，避免光刻工艺中采用存在缺陷的掩膜版，从而减少成本损失的风险。而减少成本损失的风险。而减少成本损失的风险。

【技术实现步骤摘要】
掩膜版及掩膜版质量测试方法


[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种掩膜版及掩膜版质量测试方法。

技术介绍

[0002]掩膜版上承载有用于形成集成电路的图形结构，在进行光刻制程的曝光工艺时，光线照射于掩膜版上，实现光线在特定位置被穿透或者被遮挡，从而将图形定义至晶圆上。随着关键尺寸(Critical Dimension，CD)的微缩，掩膜版上的图形线条越来越细，图形的面积以及复杂程度越来越大，需要对掩膜版上的图案的制作质量进行监测，以降低成本的浪费。
[0003]目前，通常在掩膜版的非曝光区设置监测标记，监测标记中设置的图案可以监测曝光区中的图案受线性度影响下的宽度尺寸，还可以监测其受光学邻近效应影响下的宽度尺寸。然而，在相同的制程工艺下，掩膜版图案的排布密集程度也会对图案的质量产生影响，导致图案产生畸变，目前通常使用的监测标记无法对该问题进行全面监测。

技术实现思路

[0004]以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
[0005]本公开提供了一种掩膜版及掩膜版质量本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掩膜版，其特征在于，所述掩膜版包括曝光区和非曝光区，所述曝光区设置有主图形，所述非曝光区设置有至少一个图形密度监测标记，所述图形密度监测标记包括量测图形以及包围所述量测图形的密度填充图形；其中，至少一个所述图形密度监测标记中的所述密度填充图形的密集度与所述主图形的密集度匹配，所述图形密度监测标记中的所述量测图形的实际尺寸和目标尺寸的偏差用于监测所述掩膜版的质量。2.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述图形密度监测标记包括多个第一图形密度监测标记；每个所述第一图形密度监测标记中，所述量测图形包括沿第一方向依次排布的多个第一图形单元，所述第一图形单元的形状包括条形、梯形、L形中的至少一种；多个所述第一图形密度监测标记中，各所述密度填充图形的密集度不同，所述密度填充图形的密集度的范围为5％
‑
85％。3.根据权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，多个所述第一图形密度监测标记中，各所述密度填充图形的密集度的差值为10％。4.根据权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述第一图形单元的形状为条形，各所述第一图形单元的宽度尺寸相同，每相邻两个所述第一图形单元的中心线之间的间距相等；所述第一方向为所述第一图形单元的宽度方向，所述第一图形单元的中心线沿所述第一图形单元的长度方向延伸。5.根据权利要求4所述的掩膜版，其特征在于，所述第一图形单元的宽度尺寸为125nm
‑
130nm；和/或，相邻两个所述第一图形单元的中心线之间的间距为295nm
‑
300nm。6.根据权利要求2
‑
5任一项所述的掩膜版，其特征在于，所述图形密度监测标记还包括至少一个第二图形密度监测标记；所述第二图...

【专利技术属性】
技术研发人员：金枝，唐星，张鑫，
申请(专利权)人：长鑫科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：