【技术实现步骤摘要】
一种高陡度高亮度负介电各向异性液晶组合物及其应用
[0001]本专利技术涉及液晶组合物及其应用,具体涉及一种高陡度高亮度负介电各向异性液晶组合物及其在液晶显示器中的应用,属于液晶材料
技术介绍
[0002]液晶显示技术已经广泛应用于当今社会各类尺寸显示。小尺寸显示如计算器、手机、仪表等;中尺寸显示如电脑显示器;大尺寸显示如电视。液晶显示具有高分辨率、高亮度和平板化显示等优点及重量轻、能耗低甚至柔性显示。因此,液晶将继续在信息技术时代扮演重要角色。
[0003]早期的液晶显示模式为TN显示,人们利用TN电光效应和集成电路相结合,将其做成液晶显示器件(TN
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LCD),为液晶的应用开拓了广阔前景。TN
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LCD大规模工业化生产以来已慢慢发展,STN
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LCD及TFT
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LCD技术逐渐成熟,显示模式类型逐渐增多,出现具有负介电各向异性的液晶介质,如ECB、DAP、VAN、MVA、ASV、PVA等。
[0004]相比于传统显示模式,一些具有负的介电各向异性液晶介质逐步发展起来,例如ECB(电控双折射)及其衍生模式DAP(排列相的变形)、VAN(垂直排列向列相)、MVA(多区域垂直排列)、ASV(先进超视角)、PVA(模式垂直排列)。对于TN型显示十分依赖对比度。另外,VA显示众所周知具有广视角。VA显示的LC层包含夹在两个透明电极之间的液晶介质,液晶介质具有负的介电各向异性。关态下LC层分子与电极表面垂直排列,具有预倾角,当在电 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种高陡度高亮度负介电各向异性液晶组合物,其特征在于,所述液晶组合物包含:占液晶组合物总质量的1~70%的一种或多种通式Ⅰ所示的液晶化合物:I占液晶组合物总质量的1~40%的一种或多种通式Ⅱ所示的液晶化合物:II占液晶组合物总质量的1~50%的一种或多种通式III所示的液晶化合物:III占液晶组合物总质量的1~60%的一种或多种通式IV所示的液晶化合物:IV占液晶组合物总质量的1~60%的一种或多种通式V所示的液晶化合物:V占液晶组合物总质量的1~10%的一种或多种通式VI所示的液晶化合物:VI其中,R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R
10
、R
11
、R
12
各自独立的选自C1~C15的取代或未被取代的直链或支链烷基、烷氧基或醚氧基、C2~C15的取代或未被取代的直链或支链烯基或烯氧基、C3~C5的取代或未被取代的环烷基,其中,取代基选自F、Cl、Br、I、O、S、CN、OH、
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CH=CH
‑
、C≡C
‑
;环A、B、C、D、E、F、G、I、J、K、M各自独立的选自环己基、亚苯基、苯基、含氧六环基、含有取代基的亚苯基,其中,取代基选自F、Cl、Br、I、CN;L1、L2、L3、L4、L5、L6各自独立的选自H、F、S、CN、Cl、Br、I、C1~C3的烷基或烷氧基、CF3、CF3O;m、n、p、q各自独立的选自0、1;Z1、Z2各自独立的选自
‑
C≡C
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、
‑
CH=CH
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、
‑
CF=CF
‑
、
‑
COO
‑
、
‑
OCO
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、
‑
OOC
‑
、
‑
CF2O
‑
、
‑
CH2O
‑
。2.根据权利要求1所述的高陡度高亮度负介电各向异性液晶组合物,其特征在于,通式Ⅰ所示的液晶化合物选自如下化合物:
Ⅱ‑
7其中,R
11
、R
12
各自独立的选自C1~C15的取代或未被取代的直链或支链烷基、烷氧基或醚氧基、C2~C15的取代或未被取代的直链或支链烯基或烯氧基,取代基选自F、Cl、Br、I、O、S、CN、OH、
‑
CH=CH
‑
、C≡C
‑
。4.根据权利要求1所述的高陡度高亮度负介电各向异性液晶组合物,其特征在于,通式III所示的液晶化合物选自如下化合物:
Ⅲ‑1Ⅲ‑2Ⅲ‑3Ⅲ‑4Ⅲ‑5Ⅲ‑6Ⅲ‑7Ⅲ‑8Ⅲ‑
9其中,R3、R4各自独立的选自C1~C15的取代或未被取代的直链或支链烷基、烷氧基或醚氧基、C2~C15的取代或未被取代的直链或支链烯基或烯氧基,取代基选自F、Cl、Br、I、O、S、CN、OH、
‑
CH=CH
‑
、C≡C
技术研发人员:徐瑞,孙云峰,房凤梅,谭小英,彭少磊,白欣羽,史子谦,
申请(专利权)人:烟台丰蓬液晶材料有限公司,
类型:发明
国别省市:
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