正介电各向异性液晶组合物及液晶显示器件制造技术

本发明专利技术涉及正介电各向异性液晶组合物及液晶显示器件。本发明专利技术的液晶组合物包含：至少一种1

【技术实现步骤摘要】
正介电各向异性液晶组合物及液晶显示器件


[0001]本专利技术涉及液晶材料
更具体地，涉及液晶组合物及液晶显示元器件。

技术介绍

[0002]液晶显示器件以时钟、台式电脑为代表而用于家庭用各种电气机器、工业用测定机器、汽车用面板、移动电话、智能手机、笔记本个人电脑、平板PC、电视机等中。作为液晶显示方式，其代表性者可列举：扭转向列(twisted nematic，TN)型、超扭转向列(super twisted nematic，STN)型、宾主(guest host，GH)型、共面切换(in
‑
plane switching，IPS)型、边缘场切换(fringe field switching，FFS)型、光学补偿双折射(optically compensated birefringence，OCB)型、电控双折射(electrically controlled birefringence，ECB)型、垂直取向(IVertical Alignment，IVA)型、颜色超级垂直(color super homeotropic，CSH)型、铁电性液晶(ferroelectric liquid crystal，FLC)等。另外，作为驱动方式，也可列举静态式驱动、多工式驱动、单纯矩阵方式、通过薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)或薄膜二极管(thin film diode，TFD)等进行驱动的有源矩阵(actIIIe matrix，AM)方式。
[0003]目前，对于用于平板和智能手机显示器的小尺寸和中尺寸显示器来说，面内转换(IPS)和边缘场切换(FFS)模式由于具有宽视角和更高的透射率和稳定性，普遍受到业内研究人士的欢迎。
[0004]随着技术的不断发展进步，为提升显示器的性能，适用不同的应用场景，满足客户更高要求的使用体验，对液晶的紫外辐射耐受性(更长的服务寿命)、低阈值电压(节省电能)、高透射率、低G1/K
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值(快速响应)的要求也随之越来越苛刻。
[0005]迄今为止公开的具有正介电各向异性的混晶材料难以满足所有这些方面的要求，因此，在液晶材料领域，需要具有改进性能的新型的具有正介电各向异性的液晶组合物。

技术实现思路

[0006]本专利技术的目的在于，提供一种具有低粘度、高电阻率、良好的低温互溶性、快的响应速度、优异的透过率特性、良好的抗紫外照射性，可用于多种显示模式的快响应液晶显示中的至少一种性能优异的正介电各向异性液晶组合物，尤其提供在TN、IPS、FFS模式显示器中的使用时能明显改善液晶显示器显示效果的正介电各向异性液晶组合物。
[0007]本专利技术人等为了解决上述课题而进行了深入研究，发现通过使用本申请的正介电各向异性液晶组合物可以解决上述课题，由此完成了本专利技术。
[0008]本专利技术一方面提供一种正介电各向异性液晶组合物，其含有正介电各向异性液晶化合物及介电各向异性为中性的化合物，所述正介电各向异性液晶化合物仅由至少一种式I所示化合物和至少一种式II所示化合物组成，
[0009]相对于所述正介电各向异性液晶组合物，所述式I所示化合物的总量为1～60重量％,，所述式II所示化合物的总量1～30％；
[0010][0011]式1中，R1表示碳原子数为2～5的烯基，q、p各自独立的表示0或1；
[0012]式II中，R2表示碳原子数为2～5的烯基。
[0013]另一方面，本专利技术还提供一种液晶显示器件，其包含本专利技术的正介电各向异性液晶组合物；所述液晶显示器件为有源矩阵显示器件，或无源矩阵显示器件。
[0014]专利技术的效果
[0015]通过采用本专利技术的正介电各向异性液晶组合物，能够获得低粘度、高电阻率、良好的低温互溶性、快的响应速度、优异的透过率特性、良好的抗紫外照射性，可用于多种显示模式的快响应液晶显示中的至少一种性能优异的正介电各向异性液晶组合物。采用了这样的正介电各向异性液晶组合物的液晶显示器件，尤其在TN、IPS、FFS模式的显示器件中的使用时能明显改善液晶显示器件的显示效果。
具体实施方式
[0016]下面，对本申请技术方案的实施方式进行描述。应当理解地是，以下实施方式仅用于更加清楚地说明本申请的技术方案，因此只作为示例，而不能以此来限制本申请的保护范围。
[0017][正介电各向异性液晶组合物][0018]本专利技术的正介电各向异性液晶组合物中含有正介电各向异性液晶化合物，前述正介电各向异性液晶化合物仅由至少一种式I所示化合物和至少一种式II所示化合物组成。也即，本专利技术的正介电各向异性液晶组合物所含有的正介电各向异性液晶化合物为下述的至少一种式I所示化合物以及至少一种式II所示化合物，不含有式I所示化合物、式II所示化合物之外的其他的正介电各向异性液晶化合物。
[0019][0020]式1中，R1表示碳原子数为2～5的烯基，q、p各自独立的表示0或1；
[0021]式II中，R2表示碳原子数为2～5的烯基。
[0022]本专利技术的正介电各向异性液晶组合物中，除了前述的正介电各向异性液晶组合物
之外，还含有介电各向异性为中性的化合物。另外，本专利技术的正介电各向异性液晶组合物中，任选还含有介电各向异性为负性的化合物。
[0023]介电各向异性是液晶分子在电场中行为的主要参数。若用ε
//
、ε
⊥
分别表示液晶平行、垂直于分子取向的介电常数，则介电各向异性可表示为Δε＝ε
//
‑
ε
⊥
。Δε＞0称为正介电各向异性，Δε＜0则称为负介电各向异性。在外电场作用下，正介电各向异性的液晶分子沿场方向排列，而负介电各向异性的液晶分子垂直于场方向排列。
[0024]通常，介电常数的测量方法有磁场法和电场法。磁场法是在磁场作用下使液晶分子发生Freedericksz转变，正性液晶在磁场作用下指向矢方向转动成与磁场方向一致，通过计算电容测试出垂直磁场时的ε
⊥
和平行排列时ε
//
，求得Δε。电场法与在磁场作用下相似，是液晶分子在电场作用下发生转动。测出平行盒的空盒电容Co，在低电压下测出C
⊥
，再加一个高电压使液晶分子随电场取向，测得C
//
，再利用C
//
在高电压下C
‑
1/V的线性关系，推算出Co，计算得出ε
//
、ε
⊥
以及Δε。
[0025]作为前述R1表示的“碳原子数2～5的烯基”，可以为直链或支链烯基，优选为直链烯基。作为这样的直链烯基，列举出例如乙烯基、1E
‑
丙烯基、2E
‑
丙烯基、1E
‑
丁烯基、2E
‑
丁烯基、3E
‑
丁烯基、1E
‑
戊烯基、2E
‑
戊烯基、3本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种正介电各向异性液晶组合物，其特征在于，其含有正介电各向异性液晶化合物及介电各向异性为中性的化合物，所述正介电各向异性液晶化合物仅由至少一种式I所示化合物和至少一种式II所示化合物组成，相对于所述正介电各向异性液晶组合物，所述式I所示化合物的含量为1～60重量％，所述式II所示化合物的含量为1～30％；式1中，R1表示碳原子数为2～5的烯基，q、p各自独立的表示0或1；式II中，R2表示碳原子数为2～5的烯基。2.如权利要求1所述的正介电各向异性液晶组合物，其中，所述式I所示的化合物为选自下述的式I
‑
1～I
‑
30所示的化合物中的至少一种，
3.如权利要求1或2所述的正介电各向异性液晶组合物，其中，所述式II所示的化合物为选自下述的式II
‑
1～II
‑
10所示的化合物中的至少一种，
4.如权利要求1～3的任一项所述的正介电各向异性液晶组合物，其中，所述介电各向异性为中性的化合物包含一种或多种选自式III
‑
1～III
‑
7所示的化合物，
其中，R
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、R
12
各自独立地表示碳原子数为1～5的烷基、碳原子数为1～5的烷氧基、碳原子数为2～5的烯基、或者、碳原子数为2～5的烯氧基。5.如权利要求1～4的任一项所述的正介电各向异性液晶组合物，其还包含至少一种下述的式IV所示的化合物，式IV中，R7、R8各自独立地表示碳原子数为1～5的烷基、碳原子数为1～5的烷氧基、碳原子数为2～5的烯基、或者、碳原子数为2～5的烯氧基；Z1、Z2各自独立地表示单键、
‑
OCH2‑
或
‑
CH2O
‑
；环A、环B各自独立地表示1,4
‑
亚环己基、1,4
‑
亚环己烯基、1,4
‑
亚苯基或氟代1,4
‑
亚苯基；m表示0、1或2；n表示0或1。6.如权利要求5所述的正介电各向异性液晶组合物，其中，所述式IV所示的化合物为选自下述的式IV
‑
1～IV
‑
18所示的化合物中的至少一种，
R7、R8各自独立地表示碳原子数为1～5的烷基、碳原子数为1～5的烷氧基、碳原子数为2～5的烯基、或者、碳原子数为2～5的烯氧基。7.如权利要求1～6的任一项所述的正介电各向异性液晶组合物，其中，还包含选自下述的式V
‑
1～V
‑
1...

【专利技术属性】
技术研发人员：舒克伦，闫凌凤，崔鹏，刘丽君，刘鑫，丰佩川，
申请(专利权)人：烟台京师材料基因组工程研究院，
类型：发明
国别省市：