负介电各向异性液晶组合物及液晶显示器件制造技术

本发明专利技术涉及负介电各向异性液晶组合物及液晶显示器件。本发明专利技术的液晶组合物包含：至少一种式I所示化合物；至少一种式Ⅱ所示化合物。与现有技术相比，本发明专利技术的液晶组合物在维持合适的光学各向异性值、介电各向异性的基础上具有降低的G1/K

【技术实现步骤摘要】
负介电各向异性液晶组合物及液晶显示器件


[0001]本专利技术涉及液晶材料
更具体地，涉及液晶组合物及液晶显示器件。

技术介绍

[0002]随着技术的发展和时代的进步，液晶混合物应用的领域逐步延伸至便携电脑和台式机、导航系统和视频应用的显示器。这些应用领域对液晶混合物的性能要求越来越高。
[0003]液晶中分子的空间排列对于液晶显示器具有重要的影响。其中，液晶介质的介电常数ε在相对于平行于电容器方向与垂直于电容器方向上的值不同。将分子纵轴垂直于电容器板取向时的介电常数比平行取向时更大的情况称为介电正性。换句话说，如果平行于分子纵轴的介电常数ε
||
大于垂直于分子纵轴的介电常数ε
⊥
，则介电各向异性Δε＝ε
||
‑
ε
⊥
大于0。常规显示器中使用的大部分液晶介质为介电正性的介质。与此相对低，Δε＝ε
||
‑
ε
⊥
小于0的液晶介质被称为负介电各向异性的液晶介质。
[0004]随着技术发展，发现例如在VA
‑
TFT(“垂直配向”)的显示模式中，通过负性采用负介电各向异性的液晶介质，能够获得视角依赖的改善。因而，负介电各向异性的液晶介质得到了广泛的研究，对于这类液晶介质，期望其具有快速响应时间并且残影少。然而，快速响应时间的提升往往导致液晶介质的残影增加，特别是光暴露之后的残影增加，从而影响其稳定性。因此，如何实现具有快速的响应时间并且光暴露后的残影缺陷改善从而稳定性提高的负介电各向异性液晶组合物是本领域亟待解决的问题之一。

技术实现思路

[0005]本专利技术人等通过深入研究后发现，通过采用含有式I所示化合物与式II所示化合物的组合的负介电各向异性液晶组合物，能够在维持合适的光学各向异性值、介电各向异性的基础上获得降低的G1/K
11
或G1/K
33
值从而具有快速的响应时间，并且在采用UV光辐照后具有提高的VHR，从而避免/减少显示器残像现象的发生，能够获得功耗降低及稳定性提高的显示优势。
[0006]本专利技术包含下述技术方案。
[0007]一方面，本专利技术提供一种负介电各向异性液晶组合物，所述液晶组合物包含：
[0008]至少一种式I所示化合物；以及，
[0009]至少一种式II所示化合物；
[0010][0011]其中，式I中，R1、R2各自独立地表示碳原子数为1～5的烷基或者碳原子数为2～5的烯基；R1、R2不同时为碳原子数为1～5的烷基，并且，R1、R2中任意碳原子上的H各自独立地任选被F取代；
[0012]式II中，R3、R4各自独立地表示碳原子数为1～5的烷基或者碳原子数为2～5的烯基；并且，R3、R4中任意碳原子上的H各自独立地任选被F取代；
[0013]X1、X2、X3各自独立地表示H、
‑
F、
‑
CF3或
‑
OCF3，并且X1、X2、X3不同时为H。
[0014]另一方面，本专利技术提供一种液晶显示器件，其包含本专利技术的负介电各向异性液晶组合物；所述液晶显示器件为有源矩阵显示器件，或无源矩阵显示器件。
[0015]专利技术效果
[0016]与现有技术相比，本专利技术的负介电各向异性液晶组合物能够在维持合适的光学各向异性值、介电各向异性的基础上获得降低的G1/K
11
或G1/K
33
的比值从而具有快速的响应时间，并且在采用UV光辐照后具有提高的VHR，从而避免/减少显示器残像现象的发生，能够获得功耗降低及稳定性提高的显示优势。
具体实施方式
[0017][液晶组合物][0018]本专利技术的负介电各向异性液晶组合物包含：
[0019]至少一种式I所示化合物；以及，
[0020]至少一种式II所示化合物；
[0021][0022]其中，式I中，R1、R2各自独立地表示碳原子数为1～5的烷基或者碳原子数为2～5的烯基；R1、R2不同时为碳原子数为1～5的烷基，并且，R1、R2中任意碳原子上的H各自独立地任选被F取代；
[0023]式II中，R3、R4各自独立地表示碳原子数为1～5的烷基或者碳原子数为2～5的烯基；并且，R3、R4中任意碳原子上的H各自独立地任选被F取代；
[0024]X1、X2、X3各自独立地表示H、
‑
F、
‑
CF3或
‑
OCF3，并且X1、X2、X3不同时为H。
[0025]对于液晶介质，根据显示模式的不同，液晶介质的响应时间与G1/K
11
或者G1/K
33
相关。VA(vertical alignment，垂直取向)或者PS
‑
VA(Polymer stabilized vertical alignment,聚合物稳定垂直取向)模式下，液晶介质的响应时间与G1/K
33
相关，而在FFS(Fringe Field Switching，边缘场开关)、IPS(In
‑
Plane Switching，平面转换)、PS
‑
FFS(Polymer stabilized Fringe Field Switching，聚合物稳定边缘场开关)、PS
‑
IPS(Polymer stabilized In
‑
Plane Switching，聚合物稳定平面转换)等模式下，液晶介质的响应时间与G1/K
11
相关。
[0026]本专利技术的负介电各向异性液晶组合物通过含有前述式I所示化合物以及式II所示化合物的组合，能够在维持合适的光学各向异性值、介电各向异性的基础上获得降低的G1/K
11
或G1/K
33
的比值从而具有快速的响应时间，并且在采用UV光辐照后具有提高的VHR，从而避免/减少显示器残像现象的发生，能够获得功耗降低及稳定性提高的显示优势。
[0027]前述的式I中，作为前述的R1、R2各自独立地表示的“碳原子数为1～5的烷基”，可以为直链烷基、支链烷基或者环状烷基，优选为直链烷基。作为这样的直链烷基，可以列举出例如甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基。
[0028]前述的式I中，作为前述的R1、R2各自独立地表示的“碳原子数为2～5的烯基”，可以列举出例如乙烯基、丙烯基、丁烯基、2
‑
甲基丙烯基、1
‑
戊烯基、2
‑
戊烯基、2
‑
甲基
‑1‑
丁烯基、3
‑
甲基
‑1‑
丁烯基、2
‑
甲基
‑2‑
丁烯基等。
[0029]前述的R1、R2中任意碳原子上的氢各自独立地任选被氟取代是指，R1、R2各本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种负介电各向异性液晶组合物，其特征在于，所述液晶组合物包含：至少一种式I所示化合物；以及，至少一种式Ⅱ所示化合物；其中，式I中，R1、R2各自独立地表示碳原子数为1～5的烷基或者碳原子数为2～5的烯基；R1、R2不同时为碳原子数为1～5的烷基，并且，R1、R2中任意碳原子上的H各自独立地任选被F取代；式II中，R3、R4各自独立地表示碳原子数为1～5的烷基或者碳原子数为2～5的烯基；并且，R3、R4中任意碳原子上的H各自独立地任选被F取代；X1、X2、X3各自独立地表示H、
‑
F、
‑
CF3或
‑
OCF3，并且X1、X2、X3不同时为H。2.根据权利要求1所述的负介电各向异性液晶组合物，其特征在于，所述式I所示化合物选自下述的式I
‑
1～I
‑
105所示化合物组成的组：
3.根据权利要求1所述的负介电各向异性液晶组合物，其特征在于，所述式II所示化合物选自下述的式II
‑
1～II
‑
60所示化合物组成的组：
R3、R4各自独立地表示碳原子数为1～5的烷基、碳原子数为2～5的烯基；R3、R4中任意碳原子上的H各自独立地任选被F取代。4.根据权利要求1～3的任一项所述的负介电各向异性液晶组合物，其特征在于，所述液晶组合物还包含一种或多种下述的式III
‑
1至III
‑
8所示的化合物：
R5、R6各自独立地表示碳原子数为1～5的烷基、碳原子数为1～5的烷氧基、碳原子数为2～5的烯基、或碳原子数为2～5的烯氧基；R5、R6中任意碳原子上的氢各自独立地任选被氟取代；(F)表示F或H。5.根据权利要求1～4的任一项所述的负介电各向异性液晶组合物，其特征在于，所述液晶组合物还包含一种或多种下述的式IV所示的化合物：R7、R8各自独立地表示碳原子数为1～5的烷基或者碳原子数为2～5的烯基；并且，R7、R8中任意碳原子上的H各自独立地任选被F取代；a、b各自独立地表示0、1或2；Z1表示单键、
‑
CH2O
‑
或者
‑
OCH2‑
；Y表示
‑
F、
‑
CF3或
‑
OCF3；各自独立地选自下述的基团组成的组：
优选地，前述的式IV所示的化合物选自下述的式IV
‑
1至IV
‑
40所示化合物组成的组，其中，R7、R8的定义与前述相同，
(F)表示F或H。6.根据权利要求1～5的任一项所述的负介电各向...

【专利技术属性】
技术研发人员：舒克伦，江德，刘鑫，崔鹏，刘丽君，丰佩川，
申请(专利权)人：烟台京师材料基因组工程研究院，
类型：发明
国别省市：