用于光刻介质组合物的化合物、聚合物以及光刻介质组合物制造技术

本申请涉及用于光刻介质组合物的化合物、聚合物以及光刻介质组合物，该聚合物具有下述通式(1)所示的结构单元。本申请的化合物以及聚合物在溶解性和耐刻蚀性方面均具有优异的性能，兼顾耐刻蚀性的同时优化了其溶解性，非常适合作为耐刻蚀介质层材料。常适合作为耐刻蚀介质层材料。常适合作为耐刻蚀介质层材料。

【技术实现步骤摘要】
用于光刻介质组合物的化合物、聚合物以及光刻介质组合物


[0001]本申请涉及用于光刻介质组合物的化合物、聚合物以及光刻介质组合物。

技术介绍

[0002]光刻工艺是半导体集成电路芯片制造过程中最为重要的工艺之一。具体来说，光刻工艺利用光刻胶(光致抗蚀剂、光阻)的感光功能将掩膜版上的集成电路精细线路图案转移到光刻胶，通过后续的蚀刻工艺实现在基底介质上形成最终图案，或离子注入工艺实现离子注入。随着半导体集成电路行业的发展，通过光刻工艺制备的集成电路图案愈发精细，已由几十纳米发展到了几纳米。在典型的光刻工艺技术中，光刻胶在曝光、显影后形成光刻图案，并作为下层衬底材料刻蚀时的掩膜。因此，需要光刻胶层具有一定程度的耐刻蚀性。随着光刻工艺的发展以及图案的精细度要求提高，光刻胶层厚度必须减薄以提高分辨率，导致光刻胶无法单独完全承担掩膜的作用。因此，必须设计多层叠构的工艺(如光刻胶
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抗反射中间层
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耐刻蚀中间层
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基底材料层)来满足高深宽比图案的制作需求。光刻图案在光刻胶层形成后，利用刻蚀气体对不同材料层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于光刻介质组合物的聚合物，其具有下述通式(1)所示的结构单元其中，X为杂原子，各自独立地选自氧原子、硫原子或氮原子；Ar1和Ar2相同或不同，各自独立地选自取代有0～3个R
A
的C6～C20芳基，取代有0～3个R
A
的含有3～20个骨架成环原子且含有一个或者多个相同或者不同的杂原子的杂芳基，取代有0～3个R
A
的含有3～20个骨架成环原子且含有一个或者多个相同或者不同的杂原子的杂环基，或者取代有0～3个R
A
的含有3～20个碳原子的环烃基；R1和R2各自独立地选自氢、卤素、氰基、C1～C8烷基、C2～C8烯基、C2～C8炔基、
‑
OR
11
、
‑
SR
11
、
‑
NR
11
R
12
、醚基或酯基；R3和R4各自独立地选自氢、卤素、氰基、C1～C8烷基、C2～C8烯基、C2～C8炔基、
‑
OR
11
、
‑
SR
11
、
‑
NR
11
R
12
、醚基或酯基；Z选自单键、取代有0～3个R
A
的C1～C10亚烷基、取代有0～3个R
A
的C6～C20亚芳基、取代有0～3个R
A
的C6～C20亚芳烷基、取代有0～3个R
A
的C4～C20亚杂芳烷基或者取代有0～3个R
A
的C1～C10亚杂烷基；R
A
各自独立地选自氢、卤素、氰基、C1～C8烷基、C2～C8烯基、C2～C8炔基、
‑
OR
11
、
‑
SR
11
、
‑
NR
11
R
12
、醚基或酯基；R
11
和R
12
各自独立地选自氢、C1～C8烷基、C2～C8烯基或C2～C8炔基。2.根据权利要求1所述的聚合物，其中，通式(1)所示的结构单元为通式(2)所示的结构单元其中，Ar1、Ar2、X和Z定义如权利要求1，且
‑
C(OH)Ar2位于羟基的邻位。3.根据权利要求1所述的聚合物，其中，通式(1)所示的结构单元为通式(3)所示的结构单元
其中，Ar1、Ar2、X和Z定义如权利要求1。4.根据权利要求1～3中任一项所述的聚合物，其中，X为氧原子。5.根据权利要求1～3中任一项所述的聚合物，其中，Ar1和Ar2相同，各自独立地选自取代有0～3个R
A
的C6～C20芳基。6.根据权利要求5所述的聚合物，其中，C6～C20芳基选自苯基、萘基、芴基、蒽基、菲基、芘基、联苯基和三联苯基。7.根据权利要求1～3中任一项所述的聚合物，其中，Z选自下列结构式8.根据权利要求1～7中任一项所述的聚合物，其中，所述聚合物的重均分子量为500～20000Da，优选1000～5000Da；分子量分布为1.1～5.0。9.一种用于光刻介质组合物的化合物，其具有下述通式(11)所示的结构式其中，X为杂原子，各自独立地选自氧原子、硫原子或氮原子；Ar1和Ar2相同或不同，各自独立地选自取代有0～3个R

【专利技术属性】
技术研发人员：张爱强，吴嘉龙，陈仁治，江一敏，师东，
申请(专利权)人：嘉庚创新实验室，
类型：发明
国别省市：