聚合物、组合物、聚合物的制造方法、组合物、膜形成用组合物、抗蚀剂组合物、辐射敏感组合物、光刻用下层膜形成用组合物、抗蚀图案形成方法、光刻用下层膜的制造方法、电路图案形成方法、及光学构件形成用组合物技术

技术编号:37702316 阅读:26 留言:0更新日期:2023-06-01 23:48
一种聚合物,其具有源自选自由式(1A)及(1B)所示的芳香族羟基化合物组成的组中的至少1种单体的重复单元,前述重复单元彼此通过芳香环彼此的直接键合来连接。(式(1A)及(1B)中,R各自独立地为任选具有取代基的碳数1~40的烷基、任选具有取代基的碳数6~40的芳基、任选具有取代基的碳数2~40的烯基、碳数2~40的炔基、任选具有取代基的碳数1~40的烷氧基、卤素原子、硫醇基、氨基、硝基、氰基、硝基、杂环基、羧基或羟基,至少1个R为包含羟基的基团,m各自独立地为1~10的整数。)))

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】聚合物、组合物、聚合物的制造方法、组合物、膜形成用组合物、抗蚀剂组合物、辐射敏感组合物、光刻用下层膜形成用组合物、抗蚀图案形成方法、光刻用下层膜的制造方法、电路图案形成方法、及光学构件形成用组合物


[0001]本专利技术涉及聚合物、组合物、聚合物的制造方法、组合物、膜形成用组合物、抗蚀剂组合物、辐射敏感组合物、光刻用下层膜形成用组合物、抗蚀图案形成方法、光刻用下层膜的制造方法、电路图案形成方法、及光学构件形成用组合物。

技术介绍

[0002]作为半导体用的密封剂、涂布剂、抗蚀剂用材料、半导体下层膜形成材料,已知有具有源自羟基取代芳香族化合物等的重复单元的多酚系树脂。例如,下述专利文献1~2中提出了使用具有特定骨架的多酚化合物或树脂。
[0003]另一方面,作为多酚系树脂的制造方法,已知有:利用酸、碱催化剂,使酚类与福尔马林加成及缩合而制造酚醛清漆树脂、甲阶酚醛树脂的方法等。但是,在该酚醛树脂的制造方法中,近年,由于使用甲醛作为前述酚醛树脂的原材料,因此从安全性的方面出发,对使用甲醛的替代物质的其它方法进行各种研究。作为解决该问题的多酚系本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种聚合物,其具有源自选自由式(1A)及(1B)所示的芳香族羟基化合物组成的组中的至少1种单体的重复单元,所述重复单元彼此通过芳香环彼此的直接键合来连接,式(1A)及(1B)中,R各自独立地为任选具有取代基的碳数1~40的烷基、任选具有取代基的碳数6~40的芳基、任选具有取代基的碳数2~40的烯基、碳数2~40的炔基、任选具有取代基的碳数1~40的烷氧基、卤素原子、硫醇基、氨基、硝基、氰基、硝基、杂环基、羧基或羟基,至少一个R为包含羟基的基团,m各自独立地为1~10的整数。2.根据权利要求1所述的聚合物,其中,所述式(1A)及(1B)所示的芳香族羟基化合物分别为式(2A)及(2B)所示的芳香族羟基化合物,式(2A)及(2B)中,m1为0~10的整数,m2为0~10的整数,至少一个m1或m2为1以上的整数。3.根据权利要求1所述的聚合物,其中,所述式(1A)及(1B)所示的芳香族羟基化合物分别为式(3A)及(3B)所示的芳香族羟基化合物,式(3A)及(3B)中,m1’
为1~10的整数。4.一种聚合物,其具有下述式(1A)所示的重复单元,式(1A)中,A为任选具有取代基的碳数6~40的芳基,R1各自独立地为氢原子、任选具有取代基的碳数1~40的烷基、或任选具有取代基的碳
数6~40的芳基,R2各自独立地为任选具有取代基的碳数1~40的烷基、任选具有取代基的碳数6~40的芳基、任选具有取代基的碳数2~40的烯基、碳数2~40的炔基、任选具有取代基的碳数1~40的烷氧基、卤素原子、硫醇基、氨基、硝基、氰基、硝基、杂环基、羧基、或羟基,m各自独立地为0~4的整数,n各自独立地为1~3的整数,p为2~10的整数,符号*表示与邻接的重复单元的键合部位。5.根据权利要求4所述的聚合物,其中,所述式(1A)所示的重复单元为式(1
‑1‑
1)所示的重复单元和/或式(1
‑1‑
2)所示的重复单元,式(1
‑1‑
1)中,R1、R2、m、n、p、及符号*与所述式(1A)含义相同,式(1
‑1‑
2)中,R1、R2、m、n、p、及符号*与所述式(1A)含义相同。6.根据权利要求4所述的聚合物,其中,所述式(1A)所示的重复单元为选自式(1
‑2‑
1)所示的重复单元~式(1
‑2‑
4)所示的重复单元中的至少1种,式(1
‑2‑
1)中,R1、R2、m、p、及符号*与所述式(1A)含义相同,式(1
‑2‑
2)中,R1、R2、m、p、及符号*与所述式(1A)含义相同,
式(1
‑2‑
3)中,R1、R2、m、p、及符号*与所述式(1A)含义相同,式(1
‑2‑
4)中,R1、R2、m、p、及符号*与所述式(1A)含义相同。7.根据权利要求4~6中任一项所述的聚合物,其中,所述R1为任选具有取代基的碳数为6~40的芳基。8.一种聚合物,其包含源自选自由下述式(1A)及式(2A)所示的芳香族羟基化合物构成的组中的至少1种的重复单元,所述重复单元彼此通过芳香环彼此的直接键合来连接,式(1A)中,R1为碳数1~60的2n价的基团或单键,R2各自独立地为任选具有取代基的碳数1~40的烷基、任选具有取代基的碳数6~40的芳基、任选具有取代基的碳数2~40的烯基、任选具有取代基的碳数2~40的炔基、任选具有取代基的碳数1~40的烷氧基、卤素原子、硫醇基、氨基、硝基、氰基、硝基、杂环基、羧基或羟基,m各自独立地为0~3的整数,n为1~4的整数,式(2A)中,R2及m与所述式(1A)中说明的含义相同。9.根据权利要求8所述的聚合物,其中,所述式(1A)所示的芳香族羟基化合物为下述式(1)所示的芳香族羟基化合物,
式(1)中,R1、R2、m及n与所述式(1A)中说明的含义相同。10.根据权利要求9所述的聚合物,其中,所述式(1)所示的芳香族羟基化合物为下述式(1

1)所示的芳香族羟基化合物,式(1

1)中,R1及n与所述式(1)中说明的含义相同。11.根据权利要求8~10中任一项所述的聚合物,其中,所述R1为R
A

R
B
所示的基团,所述R
A
为次甲基,所述R
B
为任选具有取代基的碳数为6~40的芳基。12.一种聚合物,其具有源自含杂原子芳香族单体的重复单元,所述重复单元彼此通过所述含杂原子芳香族单体的芳香环彼此的直接键合来连接。13.根据权利要求12所述的聚合物,其中,所述含杂原子芳香族单体包含杂环式芳香族化合物。14.根据权利要求12或13所述的聚合物,其中,所述含杂原子芳香族单体中的杂原子包含选自由氮原子、磷原子及硫原子组成的组中的至少1种。15.根据权利要求12~14中任一项所述的聚合物,其中,所述含杂原子芳香族单体包含:取代或非取代的下述式(1

1)所示的单体、或者取代或非取代的下述式(1

2)所示的单体,
所述式(1

1)中,X各自独立地为NR0所示的基团、硫原子、氧原子或PR0所示的基团,R0及R1各自独立地为氢原子、羟基、取代或非取代的碳数1~30的烷氧基、卤素原子、取代或非取代的碳数1~30的烷基或者取代或非取代的碳数6~30的芳基,所述式(1
...

【专利技术属性】
技术研发人员:堀内淳矢松浦耕大冈田悠大松祯牧野岛高史越后雅敏
申请(专利权)人:三菱瓦斯化学株式会社
类型:发明
国别省市:

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