低膨胀陶瓷坯料、低膨胀陶瓷岩板及其制备方法与应用技术

本发明专利技术涉及低膨胀陶瓷坯料、低膨胀陶瓷岩板及其制备方法与应用。所述低膨胀陶瓷坯料的原料组成包括：以质量百分含量计，粘土：30

【技术实现步骤摘要】
低膨胀陶瓷坯料、低膨胀陶瓷岩板及其制备方法与应用


[0001]本专利技术涉及低膨胀陶瓷坯料、低膨胀陶瓷岩板及其制备方法与应用，属于陶瓷砖生产制造


技术介绍

[0002]陶瓷材料在高温煅烧后通常具有高强、耐腐蚀、耐磨损等良好性能，但是由于传统坯体配方主要是以Si
‑
Al
‑
K
‑
Na配方体系为主，烧制后主要形成石英、莫来石、玻璃相等，坯体膨胀系数较高(8～10
×
10
‑6/K)，通过CJ/T157
‑
2017“家用燃气灶具用途层钢化玻璃面板”检测现有陶瓷板一次开裂，抗热震性较差。此外，因为具有较大膨胀系数，砖体变形度较大，不适应用于密封铺贴，限制其应用范围。
[0003]当前，制备低膨胀陶瓷材料主要采用锂辉石作为熔剂，但是由于锂辉石价格暴涨，导致成本较高。因此，开发具有低膨胀系数、性价比高的陶瓷板具有重要的现实意义，可以拓宽陶瓷应用范围，取代现有以玻璃、微晶玻璃为主的电磁炉面板等。

技术实现思路

[0004]鉴于上述现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种低膨胀陶瓷坯料、低膨胀陶瓷岩板及其制备方法与应用。
[0005]第一方面，本专利技术提供了一种低膨胀陶瓷坯料，所述低膨胀陶瓷坯料的原料组成包括：以质量百分含量计，粘土：30
‑
45％，堇青石熟料粉：20
‑
45％，烧滑石：1
‑
5％，镁质粘土：1
‑
5％，B低温熔块：15
‑
25％，含P熔剂：1
‑
5％；所述低膨胀陶瓷坯料的化学组成包括：以质量百分含量计，IL：4
‑
6％、SiO2：45
‑
50％、Al2O3：25
‑
32％、Fe2O3：0.1
‑
0.5％、TiO2：0.1
‑
0.5％、CaO：1
‑
3％、MgO：9
‑
12％、K2O：0.5
‑
1％、Na2O：0.1
‑
0.5％、B2O3：1
‑
3％、P2O5：1
‑
2％。
[0006]较佳地，所述B低温熔块化学组成包括：以质量百分含量计，SiO2：60
‑
65％、Al2O3：15
‑
20％、MgO：5
‑
10％、B2O3：5
‑
10％、IL：5
‑
7％；所述含P熔剂为磷酸盐，优选为磷酸钙。
[0007]第二方面，本专利技术提供了一种低膨胀陶瓷岩板的制备方法，包括：利用上述低膨胀陶瓷坯料成型为坯体，在所述坯体表面依次数码喷施面釉、喷墨打印图案、数码喷施保护釉；烧成，得到所述低膨胀陶瓷岩板。
[0008]较佳地，所述面釉的化学组成包括，以质量百分含量计，IL：4
‑
6％、SiO2：52
‑
55％、Al2O3：22
‑
25％、Fe2O3：0.2
‑
0.3％、TiO2：0.2
‑
0.3％、CaO：0.3
‑
0.4％、MgO：0.3
‑
0.4％、K2O：4
‑
6％、Na2O：3
‑
4％、ZrO2：8
‑
14％；所述面釉的原料组成包括，以质量百分含量计，高岭土25
‑
35％、硅酸锆：20
‑
30％、钾长石15
‑
25％、钠长石15
‑
25％。
[0009]较佳地，所述面釉采取两个通道进行喷施，每个通道的灰度均为10
‑
15％；施釉量为50
‑
100g/m2。
[0010]较佳地，所述保护釉的化学组成包括，以质量百分含量计，SiO2：45
‑
50％、Al2O3：18
‑
22％、Fe2O3：0.08
‑
0.15％、TiO2：0.1
‑
0.2％、CaO：0.1
‑
0.3％、MgO：1
‑
5％、BaO：10
‑
13％、ZnO：2
‑
4％、K2O：2
‑
3％、Na2O：1
‑
2％、烧失：4
‑
6％；所述保护釉的原料组成包括，以质量百分含量计，高岭土：5
‑
10％、钾长石：20
‑
30％、钠长石：10
‑
20％、滑石：5
‑
15％、碳酸钡：10
‑
15％、氧化锌：2
‑
5％、石英：5
‑
10％。
[0011]较佳地，所述保护釉采取两个通道进行喷施，每个通道的灰度均为10
‑
15％；所述保护釉的施釉量为50
‑
100g/m2。
[0012]较佳地，所述烧成温度为1100
‑
1150℃，烧成时间为60
‑
80min。
[0013]第三方面，本专利技术提供了一种根据上述制备方法得到的低膨胀陶瓷岩板，所述低膨胀陶瓷岩板热膨胀系数为2.5
‑
3.5
×
10
‑6/℃(600～20℃)。
[0014]第四方面，本专利技术提供了一种上述低膨胀陶瓷岩板作为家用燃气灶具面板的应用。
[0015]有益效果本专利技术采用Mg
‑
P
‑
B—Si
‑
Al体系低温快烧下原位生成堇青石和外加堇青石的方式，降低坯体的膨胀系数；采用全数码的工艺方式，减少坯体的施釉量，解决坯釉不匹配的问题。
附图说明
[0016]图1为本专利技术示例的低膨胀陶瓷岩板生产工艺流程图。
具体实施方式
[0017]以下通过实施方式进一步说明本专利技术，应理解，下述实施方式仅用于说明本专利技术，而非限制本专利技术。在没有特殊说明的情况下，各百分含量指质量百分含量。
[0018]首先，本专利技术提供了一种低膨胀陶瓷坯料。所述低膨胀陶瓷坯料的原料组成包括：以质量百分含量计，粘土：30
‑
45％，堇青石熟料粉(又称“熟堇青石粉”)：20
‑
45％，烧滑石：1
‑
5％，镁质粘土：1
‑
5％，B低温熔块：15
‑
25％，含P熔剂：1
‑
5％。
[0019]本专利技术采用B低温熔块、含P熔剂(如磷酸盐)、烧滑石作为复合熔剂，实现了低温快速烧成条件下原位生成堇青石。由于P、B形成的玻璃相膨胀系数都较低，所以本专利技术选择的复合熔剂除了促进形成堇青石合成，也降低了坯体膨本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低膨胀陶瓷坯料，其特征在于，所述低膨胀陶瓷坯料的原料组成包括：以质量百分含量计，粘土：30
‑
45％，堇青石熟料粉：20
‑
45％，烧滑石：1
‑
5％，镁质粘土：1
‑
5％，B低温熔块：15
‑
25％，含P熔剂：1
‑
5％；所述低膨胀陶瓷坯料的化学组成包括：以质量百分含量计，IL：4
‑
6％、SiO2：45
‑
50％、Al2O3：25
‑
32％、Fe2O3：0.1
‑
0.5％、TiO2：0.1
‑
0.5％、CaO：1
‑
3％、MgO：9
‑
12％、K2O：0.5
‑
1％、Na2O：0.1
‑
0.5％、B2O3：1
‑
3％、P2O5：1
‑
2％。2.根据权利要求1所述的低膨胀陶瓷坯料，其特征在于，所述B低温熔块化学组成包括：以质量百分含量计，SiO2：60
‑
65％、Al2O3：15
‑
20％、MgO：5
‑
10％、B2O3：5
‑
10％、IL：5
‑
7％；所述含P熔剂为磷酸盐，优选为磷酸钙。3.一种低膨胀陶瓷岩板的制备方法，其特征在于，包括：利用权利要求1或2所述的低膨胀陶瓷坯料成型为坯体，在所述坯体表面依次数码喷施面釉、喷墨打印图案、数码喷施保护釉；烧成，得到所述低膨胀陶瓷岩板。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述面釉的化学组成包括，以质量百分含量计，IL：4
‑
6％、SiO2：52
‑
55％、Al2O3：22
‑
25％、Fe2O3：0.2
‑
0.3％、TiO2：0.2
‑
0.3％、CaO：0.3
‑
0.4％、MgO：0.3
‑
0.4％、K2O：4
‑
6％、Na2O：3
‑
4％、ZrO2：8
‑
14％；所述面釉的原料组成包括，以质量百分含量计，高岭土25

【专利技术属性】
技术研发人员：潘利敏，程科木，聂光临，吴洋，黎志升，
申请(专利权)人：蒙娜丽莎集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：