滤波器和天线复合部件制造技术

本发明专利技术提供一种能够调整空腔谐振器对整体的特性造成的影响滤波器和天线复合部件。本发明专利技术的滤波器包括第一端口、第二端口、路径、电路部分和至少1个空腔谐振器。路径将第一端口与第二端口连接。电路部分被设置在路径上。至少1个空腔谐振器各自在电路结构上从路径的外侧与路径耦合。第一空腔谐振器在第一端口与电路部分之间与路径耦合。第二空腔谐振器在第二端口与电路部分之间与路径耦合。端口与电路部分之间与路径耦合。端口与电路部分之间与路径耦合。

【技术实现步骤摘要】
滤波器和天线复合部件


[0001]本专利技术涉及具有空腔谐振器的滤波器和具有该滤波器的天线复合部件。

技术介绍

[0002]作为通信装置中使用的电子部件之一，存在带通滤波器。带通滤波器要求减小通带的插入损耗以及增大通带外的插入损耗。
[0003]在中国专利申请公开第111710941A号说明书中，记载了一种由带通滤波器和带阻滤波器(band elimination filter)组合得到的滤波器装置。在该滤波器装置中，利用带阻滤波器增大比通带高的频率范围中的插入损耗。
[0004]在中国专利申请公开第112385079A号说明书中，记载了一种具有由导电性材料构成的侧壁以及电介质的滤波器谐振器。
[0005]目前，已开始提供使用了第五代移动通信系统(以下称为5G)的通信服务。5G设想使用的是10GHz以上的频段，特别是10～30GHz的准毫米波段、30～300GHz的毫米波段。在这些频段中，也与到第四代为止的移动通信系统中使用的频段同样地，存在频段比较接近的多个标准。因此，在用于5G的带通滤波器中，也要求插入损耗在接近通带的频率范围中急剧地发生变化。
[0006]在此，在带通滤波器中为了得到插入损耗在接近通带的频率范围中急剧发生变化的特性，考虑使用带阻滤波器。在这种情况下，需要将带阻滤波器的阻带的中心频率设定为接近通带的频率。但是，这样做会产生带通滤波器的通带的插入损耗变大的问题。
[0007]如中国专利申请公开第112385079A号说明书中记载的所谓的空腔谐振器能够增大Q值。因此，考虑使用空腔谐振器来构成带阻滤波器。在使用空腔谐振器的情况下，也需要抑制带通滤波器的通带的插入损耗变大。为此，需要采取对策适当调整由空腔谐振器对带通滤波器的通过衰减特性造成的影响。但是，目前对于这样的对策并没有充分研究。

技术实现思路

[0008]本专利技术的目的在于提供一种能够调整空腔谐振器对整体的特性造成的影响滤波器和天线复合部件。
[0009]本专利技术的滤波器包括：第一端口、第二端口、将第一端口与第二端口连接的路径、设置在路径上的电路部分、以及在电路结构上从路径的外侧与路径耦合的至少1个空腔谐振器。
[0010]在本专利技术的滤波器中，至少1个空腔谐振器可以由将立体的区域包围的导体和位于区域中的电介质构成。
[0011]另外，在本专利技术的滤波器中，至少1个空腔谐振器可以构成带阻滤波器。
[0012]另外，在本专利技术的滤波器中，路径可以包括配置在至少1个空腔谐振器内且在一个方向上延伸的导体部分。导体部分可以位于相对于从一个方向观察时的至少1个空腔谐振器的重心偏离的位置。至少1个空腔谐振器可以与导体部分耦合。
[0013]另外，在本专利技术的滤波器中，至少1个空腔谐振器可以是多个空腔谐振器。多个空腔谐振器可以包括在第一端口和电路部分之间与路径耦合的第一空腔谐振器，以及在第二端口和电路部分之间与路径耦合的第二空腔谐振器。
[0014]另外，在本专利技术的滤波器中，电路部分可以是带通滤波器。或者，电路部分也可以是线路。
[0015]另外，本专利技术的滤波器可以还包括用于将第一端口、第二端口、路径、电路部分和至少1个空腔谐振器构成为一体的主体。主体可以具有彼此朝向相反侧的第一面和第二面。另外，在该情况下，至少1个空腔谐振器在与第一面垂直的方向上的尺寸可以小于至少1个空腔谐振器在与第一面平行的方向上的尺寸。
[0016]另外，在主体具有第一面和第二面的情况下，可以是，第一端口被配置于第一面，第二端口在与第一面垂直的方向上被配置于与第一面不同的位置。或者可以是，第一端口和第二端口被配置于第一面。
[0017]本专利技术的天线复合部件包括本专利技术的滤波器和与第二端口连接的天线。
[0018]在本专利技术的滤波器和天线复合部件中，至少1个空腔谐振器在电路结构上从将第一端口与第二端口连接的路径的外侧与路径耦合。由此，根据本专利技术能够实现一种滤波器，其能够调整空腔谐振器对整体的特性造成的影响。
[0019]本专利技术的其他目的、特征和益处将通过以下的说明变得充分明确。
附图说明
[0020]图1是表示本专利技术第一实施方式的滤波器的电路结构的电路图。
[0021]图2是表示本专利技术第一实施方式的滤波器的主体中的第一层电介质层的图案形成面的说明图。
[0022]图3是表示本专利技术第一实施方式的滤波器的主体中的第二层电介质层的图案形成面的说明图。
[0023]图4是表示本专利技术第一实施方式的滤波器的主体中的第三层至第九层电介质层的图案形成面的说明图。
[0024]图5是表示本专利技术第一实施方式的滤波器的主体中的第十层电介质层的图案形成面的说明图。
[0025]图6是表示本专利技术第一实施方式的滤波器的主体中的第十一层电介质层的图案形成面的说明图。
[0026]图7是表示本专利技术第一实施方式的滤波器的主体中的第十二层至第十七层电介质层的图案形成面的说明图。
[0027]图8是表示本专利技术第一实施方式的滤波器的主体中的第十八层电介质层的端子形成面的说明图。
[0028]图9是表示本专利技术第一实施方式的滤波器的外观的立体图。
[0029]图10是表示本专利技术第一实施方式的滤波器的主体的内部的立体图。
[0030]图11是表示本专利技术第一实施方式的滤波器的主体的内部的俯视图。
[0031]图12是表示本专利技术第一实施方式的滤波器的频率特性之一例的特性图。
[0032]图13是将图11所示的频率特性的一部分放大表示的特性图。
[0033]图14是表示本专利技术第二实施方式的天线复合部件的电路结构的电路图。
[0034]图15是表示本专利技术第二实施方式的天线复合部件的主体中的第一层电介质层的图案形成面的说明图。
[0035]图16是表示本专利技术第二实施方式的天线复合部件的主体中的第二层电介质层的图案形成面的说明图。
[0036]图17是表示本专利技术第二实施方式的天线复合部件的主体中的第三层至第八层电介质层的图案形成面的说明图。
[0037]图18是表示本专利技术第二实施方式的天线复合部件的主体中的第九层电介质层的图案形成面的说明图。
[0038]图19是表示本专利技术第二实施方式的天线复合部件的主体中的第十层电介质层的图案形成面的说明图。
[0039]图20是表示本专利技术第二实施方式的天线复合部件的主体中的第十一层电介质层的图案形成面的说明图。
[0040]图21是表示本专利技术第二实施方式的天线复合部件的主体中的第十二层至第十七层电介质层的图案形成面的说明图。
[0041]图22是表示本专利技术第二实施方式的天线复合部件的主体中的第十八层电介质层的图案形成面的说明图。
[0042]图23是表示本专利技术第二实施方式的天线复合部件的主体中的第十九层和第二十层电介质层的图案形成面的说明图。
[0043]图24是表示本专利技术第二实施方式的天线复合部件的主体中的第二十一层电介本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种滤波器，其特征在于，包括：第一端口；第二端口；将所述第一端口与所述第二端口连接的路径；设置在所述路径上的电路部分；和在电路结构上从所述路径的外侧与所述路径耦合的至少1个空腔谐振器。2.如权利要求1所述的滤波器，其特征在于：所述至少1个空腔谐振器由将立体的区域包围的导体和位于所述区域中的电介质构成。3.如权利要求1所述的滤波器，其特征在于：所述至少1个空腔谐振器构成带阻滤波器。4.如权利要求1所述的滤波器，其特征在于：所述路径包括配置在所述至少1个空腔谐振器内且在一个方向上延伸的导体部分，所述导体部分位于相对于从所述一个方向观察时的所述至少1个空腔谐振器的重心偏离的位置，所述至少1个空腔谐振器与所述导体部分耦合。5.如权利要求1所述的滤波器，其特征在于：所述至少1个空腔谐振器是多个空腔谐振器。6.如权利要求5所述的滤波器，其特征在于：所述多个空腔谐振器包括在所述第一端口和所述电路部分之间与所述路径耦合的第一空腔谐振器，以及在所述第二端口和所述电路部分之...

【专利技术属性】
技术研发人员：芦田裕太，立松雅大，泽口修平，手塚谦一，川崎青空，后藤哲三，五井智之，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：