消除超薄锂电铜箔针孔的抛光工艺和抛光工艺用添加剂制造技术

本发明专利技术公开了消除超薄锂电铜箔针孔的抛光工艺和抛光工艺用添加剂，属于超薄锂电铜箔抛光技术领域。该消除超薄锂电铜箔针孔的抛光工艺用添加剂，由羧甲基纤维素溶液和硫酸铈溶液组成的混合液，且混合液溶质质量比例为羧甲基纤维素：硫酸铈＝5000：3。较佳地，消除超薄锂电铜箔针孔的抛光工艺用添加剂，所述混合液中羧甲基纤维素溶液的浓度为1

【技术实现步骤摘要】
消除超薄锂电铜箔针孔的抛光工艺和抛光工艺用添加剂


[0001]本专利技术涉及超薄锂电铜箔抛光
，具体涉及消除超薄锂电铜箔针孔的抛光工艺和抛光工艺用添加剂。

技术介绍

[0002]锂电铜箔作为锂电池关键辅材，受益于锂电池行业的快速发展，伴随着新能源汽车领域对动力电池性能的要求不断提升，锂电铜箔也在向高密度、低轮廓、超轻薄化、高抗拉强度、高延伸率等方向发展，更薄的锂电铜箔意味着更小的电阻，因此电池的能量密度等性能也将得到提升；
[0003]锂电铜箔的生产是由溶铜、生箔和分切三大工序组成，生箔是通过电解槽中旋转的阴极辊通电，经过电沉积、剥离、传导缠绕在收卷辊上，收卷米数达到一定米数后需要换卷处理，同时阴极辊氧化需要抛光处理，由于抛光后辊面较粗，对于加工超薄锂电铜箔而言容易出现划伤、亮条、针孔等缺陷，降低铜箔的物理机械性能，影响铜箔的质量。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是为了克服现有技术由于抛光后辊面较粗，对于加工超薄锂电铜箔而言容易出现划伤、亮条、针孔等缺陷，降低铜箔的物理机械性能，影响铜箔的质量的问题，提供消除超薄锂电铜箔针孔的抛光工艺和抛光工艺用添加剂。
[0005]本专利技术提供了消除超薄锂电铜箔针孔的抛光工艺用添加剂，由羧甲基纤维素溶液和硫酸铈溶液组成的混合液，且混合液溶质质量比例为羧甲基纤维素：硫酸铈＝5000：3。
[0006]较佳地，消除超薄锂电铜箔针孔的抛光工艺用添加剂，所述混合液中羧甲基纤维素溶液的浓度为1
‑
5g/L，硫酸铈溶液的浓度为1
‑
15mg/L，抛光期间混合泵送流量为5
‑
100ml/min。
[0007]较佳地，消除超薄锂电铜箔针孔的抛光工艺用添加剂用于抛光工艺，包括以下步骤：
[0008]S100、将抛光刷设置在抛光辊上进行清洗，并甩干；
[0009]S200、阴极辊转动设置在电解槽中，电解槽中通入所述混合液，阴极辊转速为4
‑
6m/min；
[0010]S300、打开抛光水管，水流量为500
‑
900L/小时，抛光辊与阴极辊同旋向转动，转速为100
‑
400rpm，打开抛光刷档帘，使得抛光辊进入抛光机；
[0011]S400、调整抛光刷的转速为300
‑
400rpm，摆动为500
‑
700次/min，抛光刷接触辊面产生的电流为3
‑
5A，抛光米数为阴极辊的3
‑
5圈；
[0012]S500、关闭抛光水管，将抛光刷转速调整为400
‑
500rpm，摆动调整为400
‑
600次/min，抛光刷接触辊面产生的电流为1
‑
2A，抛光米数为阴极辊的1
‑
3圈；
[0013]S600、抛光到规定米数后，使抛光辊完全退离辊面。
[0014]较佳地，消除超薄锂电铜箔针孔的抛光工艺用添加剂用于抛光工艺，所述步骤
S100包括：
[0015]S110、抛光前放下抛光机的抛光刷档帘，防止清洗时水洗进入生箔机槽内，影响系统液位的高度；
[0016]S120、打开水洗开关，使水洗液均匀喷在抛光刷上，设定抛光刷转动速度为100
‑
500rpm，震动为1
‑
100次/min，对抛光刷进行清洗，时长1
‑
10分钟；
[0017]S130、关闭水洗开关，设定抛光刷转动速度为300
‑
500rpm，对抛光刷进行甩干，时长1
‑
10分钟。
[0018]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
[0019]锂电铜箔抛光过程中及抛光后，阴极辊辊面较粗，锂电铜箔沉积表面质量较差，需加入特殊添加剂调整电沉积工艺条件，本专利技术专利所加添加剂为复合添加剂，为羧甲基纤维素和硫酸铈混合体，其中羧甲基纤维素为湿润剂，降低表面张力，促进析氢反应产生的气体排出，避免针孔缺陷的产生，硫酸铈作为稀土元素化合物，易在沉积活性点上产生吸附，有效减少析氢副反应的发生。羧甲基纤维素溶液的浓度为1
‑
5g/L，硫酸铈溶液的浓度为1
‑
15mg/L，抛光期间混合泵送为5
‑
100ml/min，采用计量泵将配好的混合液直接通入电解槽中。
[0020]本专利技术通过本消除超薄锂电铜箔针孔的抛光工艺和抛光工艺用添加剂，有效减少铜箔换卷后铜箔表面亮条、针孔等缺陷，提高铜箔机械物理性能，提高铜箔产品质量。
附图说明
[0021]图1为本专利技术的结构示意图；
[0022]图2为10um抛光工艺的S面；
[0023]图3为10um抛光工艺的M面；
[0024]图4为8um抛光工艺的S面；
[0025]图5为8um抛光工艺的M面；
[0026]图6为6um抛光工艺的S面；
[0027]图7为6um抛光工艺的M面。
[0028]附图标记说明：
[0029]1.阴极辊，2.抛光刷档帘，3.抛光水管，4.抛光刷，5.抛光机托盘。
具体实施方式
[0030]下面结合图1对本专利技术的具体实施方式进行详细描述，但应当理解本专利技术的保护范围并不受具体实施方式的限制。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0031]实施例一，10um抛光工艺
[0032]抛光期间向电解槽中加入混合液中的羧甲基纤维素溶液的浓度为1g/L，硫酸铈溶液的浓度为3mg/L，抛光期间混合泵送为15ml/min；
[0033]本专利技术提供的消除超薄锂电铜箔针孔的抛光工艺用添加剂用于抛光工艺，如图1包括：
[0034]S100、采用1200#200片SiC(碳化硅)组成的抛光刷，将抛光刷4设置在抛光辊上进
行清洗，并甩干；
[0035]S110、抛光前放下抛光机的抛光刷档帘2，防止清洗时水洗进入生箔机槽内，影响系统液位的高度；
[0036]S120、打开水洗开关，使水洗液均匀喷在抛光刷4上，设定抛光刷4转动速度为100rpm，震动为20次/min，对抛光刷4进行清洗，时长5分钟；
[0037]S130、关闭水洗开关，设定抛光刷4转动速度为300rpm，对抛光刷4进行甩干，时长5分钟；
[0038]S200、阴极辊1转动设置在电解槽中，电解槽中通入所述混合液，阴极辊1转速为4
‑
6m/min；
[0039]S300、打开抛光水管3，水流量为500L/小时，抛光辊与阴极辊1同旋向转动，转速为100
‑
400rpm，打开抛光刷档帘2，使得抛光辊进入抛光机；
[0040]S400、调整抛光刷4的转速为300rpm，摆动为500次/m本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.消除超薄锂电铜箔针孔的抛光工艺用添加剂，其特征在于，由羧甲基纤维素溶液和硫酸铈溶液组成的混合液，且混合液溶质质量比例为羧甲基纤维素：硫酸铈＝5000：3。2.如权利要求1所述的消除超薄锂电铜箔针孔的抛光工艺用添加剂，其特征在于，所述混合液中羧甲基纤维素溶液的浓度为1
‑
5g/L，硫酸铈溶液的浓度为1
‑
15mg/L，抛光期间混合泵送流量为5
‑
100ml/min。3.如权利要求1所述的消除超薄锂电铜箔针孔的抛光工艺用添加剂用于抛光工艺，其特征在于，包括以下步骤：S100、将抛光刷(4)设置在抛光辊上进行清洗，并甩干；S200、阴极辊(1)转动设置在电解槽中，电解槽中通入所述混合液，阴极辊(1)转速为4
‑
6m/min；S300、打开抛光水管(3)，水流量为500
‑
900L/小时，抛光辊与阴极辊(1)同旋向转动，转速为100
‑
400rpm，打开抛光刷档帘(2)，使得抛光辊进入抛光机；S400、调整抛光刷(4)的转速为300
‑
400rpm，摆动为500
‑
700次/min，抛光刷(4)接...

【专利技术属性】
技术研发人员：王庆福，樊斌锋，彭肖林，裴晓哲，王旭阳，
申请(专利权)人：河南高精铜箔产业技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：