本实用新型专利技术公开了一种金刚石生长用真空腔体测温装置，包括壳体、观察窗以及测温窗，还包括聚焦型激光温度传感器，所述测温窗设置有监测点调节装置，所述监测点调节装置包括传感器固定架以及锁紧机构，所述锁紧机构内设置有万向卡环，本实用新型专利技术结构简单，操作方便，能够根据测温需要转换测温焦点，提高测温的精准性和及时性。和及时性。和及时性。
【技术实现步骤摘要】
一种金刚石生长用真空腔体测温装置
[0001]本技术涉及金刚石生长
，尤其涉及一种金刚石生长用真空腔体测温装置。
技术介绍
[0002]采用微波等离子体化学气相沉积设备即MPCVD(Microwacve Plasma Che mical Vapor Deposition)制备金刚石膜的过程中，衬底温度是影响膜生长质量和生长速率的关键参数。在腔体压强与甲烷体积分数不变的情况下，温度过低时，激发态氢较少，金刚石膜生长速率慢且不利于金刚石相的生长；温度过高时，金刚石膜生长迅速，但是晶体质量较差。
[0003]现有PMCVD设备的温度监测时通过红外测温仪进行温度监测，根据红外成像的颜色对温度进行判断，但红外测温仪为固定安装，待测基板台面积有限，不能对具体低温或高温区域的金刚石膜进行精准测温，温度监测不及时。
技术实现思路
[0004]本技术的目的在于提供一种金刚石生长用真空腔体测温装置，能够根据测温需要转换测温焦点，提高测温的精准性和及时性，以解决现有技术中的问题。
[0005]为实现上述目的，本技术是采用以下技术方案实现的：
[0006]一种金刚石生长用真空腔体测温装置，包括真空腔的壳体、设置在壳体上的观察窗以及测温窗，还包括设置在测温窗上的聚焦型激光温度传感器，所述测温窗设置有监测点调节装置，所述聚焦型激光温度传感器的镜头通过监测点调节装置设置在测温窗处。
[0007]进一步地，所述监测点调节装置包括传感器固定架以及设置在传感器固定架上的锁紧机构，所述锁紧机构内圈为弧形凹面。
[0008]更进一步地，所述锁紧机构内设置有万向卡环，万向卡环的外侧面为弧形凸面，万向卡环套设在聚焦型激光温度传感器的镜头端，以用于调节聚焦型激光温度传感器的监测焦点。
[0009]更进一步地，所述万向卡环上开设有缺口，以用于万向卡环套设在聚焦型激光温度传感器的镜头端。
[0010]更进一步地，所述万向卡环的材质优选但不限于聚碳酸酯材料。
[0011]本技术的有益效果如下：本技术通过在测温窗设置监测点调节装置，监测点调节装置的锁紧机构内设置万向卡环，从观察窗观察金刚石膜不同颜色的区域，方便调整聚焦型激光温度传感器的测温焦点，提高测温的精准性和及时性。
附图说明
[0012]图1为本技术提供的一种金刚石生长用真空腔体测温装置的整体结构示意图；
[0013]图2为本技术提供的一种金刚石生长用真空腔体测温装置的剖面示意图；
[0014]图3为图2中A部分的放大示意图；
[0015]图4为本技术提供的万向卡环的结构示意图。
[0016]图中标注说明：10、壳体；20、观察窗；30、测温窗；40、聚焦型激光温度传感器；50、传感器固定架；60、锁紧机构；70、万向卡环。
具体实施方式
[0017]为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本技术。但是本技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本技术内涵的情况下做类似改进，因此本技术不受下面公开的具体实施的限制。
[0018]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0019]实施例如下：
[0020]如图1图2所示的一种金刚石生长用真空腔体测温装置，包括真空腔的壳体10、设置在壳体10上的观察窗20以及测温窗30，还包括设置在测温窗30上的聚焦型激光温度传感器40，测温窗30设置有监测点调节装置，聚焦型激光温度传感器40的镜头通过监测点调节装置设置在测温窗30处，聚焦型激光温度传感器40为型号是IS
‑
ZL1200AD(CVD)的聚焦型同轴激光瞄准在线式红外温度传感器，温度量程在400～1400℃，其中，监测点调节装置包括传感器固定架50以及设置在传感器固定架50上的锁紧机构60，锁紧机构60内圈为弧形凹面，另外，锁紧机构设置在传感器固定架50上远离测温窗30的一端，锁紧机构为卡箍结构，锁紧机构的卡箍与传感器固定架50为一体结构，锁紧机构60内设置有万向卡环70，万向卡环70的外侧面为弧形凸面，万向卡环70套设在聚焦型激光温度传感器40的镜头端，以用于调节聚焦型激光温度传感器40的监测焦点。
[0021]如图3、图4所示的万向卡环70上开设有缺口，以用于锁紧机构60能够箍紧聚焦型激光温度传感器40。
[0022]本实施例更进一步地，万向卡环70的材质优选但不限于聚碳酸酯材料。
[0023]CVD金刚石膜通常沉积温度在800～1000℃左右，对低温的相应颜色区域进行对焦测温，防止沉积温度低于800℃，影响金刚石生长。现有的红外测温仪为固定安装，待测基板台面积有限，不能对具体低温或高温区域的金刚石膜进行精准测温，因此，本装置通过在测温窗安装传感器固定50，并且在传感器固定架50上安装弧形万向卡环70与锁紧机构配合，从而实现聚焦型激光温度传感器40的镜头能够多向调节，进而调整聚焦型激光温度传感器40的监测点能精准对准待测区域。
[0024]对高温的相应颜色区域进行对焦测温，防止沉积温度过高产生碳化现象，通过观察窗20观察到金刚石膜部分区域由于温度变化呈现不同的颜色，首先通过旋转紧固螺栓，松开卡箍结构，微调聚焦型激光温度传感器40，万向卡环70的弧形凸面在卡箍结构的弧形
凹面内滑动，通过MPCVD设备的光谱分析仪判断激光光轴对准待测区域后，旋紧紧固螺栓，使锁紧机构的卡箍能够通过万向卡环70箍紧微调聚焦型激光温度传感器40，通过聚焦型激光温度传感器40上的屏显装置显示待测区域的具体温度。
[0025]综上所述：本技术结构简单，操作方便，能够根据测温需要转换测温焦点，提高测温的精准性和及时性。
[0026]以上显示和描述了本技术的基本原理和主要特征和本技术的优点，对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本技术；因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本技术内，不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
[0027]此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种金刚石生长用真空腔体测温装置，包括真空腔的壳体、设置在壳体上的观察窗以及测温窗，其特征在于:还包括设置在测温窗上的聚焦型激光温度传感器，所述测温窗设置有监测点调节装置，所述聚焦型激光温度传感器的镜头通过监测点调节装置设置在测温窗处。2.根据权利要求1所述的一种金刚石生长用真空腔体测温装置，其特征在于：所述监测点调节装置包括传感器固定架以及设置在传感器固定架上的锁紧机构，所述锁紧机构内圈为弧形凹面。3.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：程永红，王港龙，
申请(专利权)人：河南芯钻新材料有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。