硅片清洗设备的清洗液获取系统及硅片清洗设备技术方案

本实用新型专利技术实施例公开了一种硅片清洗设备的清洗液获取系统及硅片清洗设备，该清洗液获取系统包括：用于容纳超纯水的第一容器和第二容器；用于容纳化学品液的第三容器和第四容器；其中，第一容器的横截面积大于第二容器的横截面积，第三容器的横截面积大于第四容器的横截面积，其中，当对硅片清洗设备的清洗槽中的清洗液进行更换时，第一容器中的超纯水和第三容器中的化学品液被供应至清洗槽中，当对清洗槽中的清洗液的浓度进行调节时，第二容器中的超纯水或第四容器中的化学品液被供应至清洗槽中，其中，供应至清洗槽中的超纯水和化学品液的量根据第一容器、第二容器、第三容器和第四容器中的液位的变化量确定出。第四容器中的液位的变化量确定出。第四容器中的液位的变化量确定出。

【技术实现步骤摘要】
硅片清洗设备的清洗液获取系统及硅片清洗设备


[0001]本技术涉及半导体硅片生产领域，尤其涉及一种硅片清洗设备的清洗液获取系统及硅片清洗设备。

技术介绍

[0002]槽式清洗是硅片的主要清洗方式，在槽式清洗中，通过槽中的含有化学品的清洗液和硅片表面发生一系列的化学反应来减少硅片表面的金属和颗粒等杂质的含量。
[0003]槽式清洗过程中，由超纯水和化学品液混合而成的清洗液中的化学品的浓度对于硅片的清洗效果是重要的，比如在配制清洗液的过程中，超纯水和化学品液的量应当足够精确以获得化学品浓度精确的清洗液，再比如，由于化学品是挥发性的，在利用清洗液清洗硅片的过程中，清洗液的浓度会发生变化，需要向清洗液中补充化学品液来补偿浓度发生的变化。
[0004]对于获得用于清洗硅片的所需浓度的清洗液而言，需要精确量取超纯水和/或化学品液的量，对于清洗液的更换而言，所需要的超纯水和化学品液的量都是较大的，而对于清洗液的浓度的调节而言，所需要的超纯水和化学品液的量都是较小的，目前，同时很精确地量取量大的和量小的超纯水或化学品液是难以实现的，举例而言，大量程量筒量取少量超纯水/化学品液时会导致精确性较差，而小量程量筒量取大量超纯水/化学品液时会导致量取操作的反复执行，效率低下。

技术实现思路

[0005]为解决上述技术问题，本技术实施例期望提供一种硅片清洗设备的清洗液获取系统及硅片清洗设备，能够在提高量取大量超纯水/化学品液的效率的同时提升量取少量超纯水/化学品液的精确性。
[0006]本技术的技术方案是这样实现的：
[0007]第一方面，本技术实施例提供了一种硅片清洗设备的清洗液获取系统，所述清洗液获取系统包括：
[0008]用于容纳超纯水的第一容器和第二容器；
[0009]用于容纳化学品液的第三容器和第四容器；
[0010]其中，所述第一容器的横截面积大于所述第二容器的横截面积，所述第三容器的横截面积大于所述第四容器的横截面积，
[0011]其中，当对所述硅片清洗设备的清洗槽中的清洗液进行更换时，所述第一容器中的超纯水和所述第三容器中的化学品液被供应至所述清洗槽中，当对所述清洗槽中的清洗液的浓度进行调节时，所述第二容器中的超纯水或所述第四容器中的化学品液被供应至所述清洗槽中，
[0012]其中，供应至所述清洗槽中的超纯水和化学品液的量根据所述第一容器、所述第二容器、所述第三容器和所述第四容器中的液位的变化量确定出。
[0013]由此，当需要对硅片清洗设备的清洗槽中的清洗液进行更换由此需要将相对大量的超纯水和化学品液供应至清洗槽中时，横截面积相对较大的第一容器中的超纯水和第三容器中的化学品液被供应至清洗槽中，由此能够在减小第一容器和第三容器的竖向尺寸的同时避免量取操作反复执行，提高效率，而当需要对硅片清洗设备的清洗槽中的清洗液的浓度进行调节由此需要将相对少量的超纯水或化学品液供应至清洗槽中时，横截面积相对较小的第二容器中的超纯水和第四容器中的化学品液被供应至清洗槽中，由此供应量能够更为精确。
[0014]优选地，所述清洗液获取系统还包括超声波测距仪，所述超声波测距仪用于感测自身与所述第一容器、所述第二容器、所述第三容器和所述第四容器中的液面之间的距离以确定出所述液位的变化量。
[0015]这样，对于液位的变化量的确定而言，与超声波测距仪相对于容器的位置无关，避免了常规的液位传感器的位置精确性对于超纯水以及化学品液的供应量的精度的影响。
[0016]优选地，所述清洗液获取系统还包括计算单元，所述计算单元用于根据所述清洗槽中的清洗液所需的浓度计算需要供应至所述清洗槽中的超纯水和/或化学品液的量。
[0017]优选地，所述清洗液获取系统还包括：
[0018]用于将容纳在所述第一容器中的超纯水供应至所述清洗槽中的第一供应管路；
[0019]用于将容纳在所述第二容器中的超纯水供应至所述清洗槽中的第二供应管路；
[0020]用于将容纳在所述第三容器中的化学品液供应至所述清洗槽中的第三供应管路；
[0021]用于将容纳在所述第四容器中的化学品液供应至所述清洗槽中的第四供应管路。
[0022]这样，超纯水和化学品液便可以例如在重力的作用下相应地经由第一供应管路、第二供应管路、第三供应管路和第四供应管路流动至硅片清洗设备的清洗槽中。
[0023]优选地，所述清洗液获取系统还包括：
[0024]设置在所述第一供应管路上的第一阀，所述第一阀根据所述超声波测距仪感测到的所述第一容器中的液位的变化量从打开状态转换至关闭状态；
[0025]设置在所述第二供应管路上的第二阀，所述第二阀根据所述超声波测距仪感测到的所述第二容器中的液位的变化量从打开状态转换至关闭状态；
[0026]设置在所述第三供应管路上的第三阀，所述第三阀根据所述超声波测距仪感测到的所述第三容器中的液位的变化量从打开状态转换至关闭状态；
[0027]设置在所述第四供应管路上的第四阀，所述第四阀根据所述超声波测距仪感测到的所述第四容器中的液位的变化量从打开状态转换至关闭状态。
[0028]第二方面，本技术实施例提供了一种硅片清洗设备，所述硅片清洗设备包括根据第一方面所述的清洗液获取系统。
[0029]优选地，所述硅片清洗设备还包括：
[0030]共同构成所述硅片清洗设备的清洗槽的内槽体和设置在所述内槽体外围的外槽体；
[0031]循环泵，所述循环泵用于将所述外槽体中的清洗液泵送至所述内槽体中，以使得所述清洗液在所述内槽体和所述外槽体之间循环。
[0032]这样，硅片清洗液能够在内槽体和外槽体之间进行循环，从而确保了硅片清洗液中含有的化学品的均一性并且加速了硅片的反应程度。
[0033]优选地，所述硅片清洗设备还包括加热器，所述加热器用于在所述清洗液被泵送至所述内槽体之前将所述清洗液加热至设定温度。
[0034]这样，能够提高硅片清洗液的清洗性能。
[0035]优选地，所述硅片清洗设备还包括过滤器，所述过滤器用于在所述清洗液被泵送至所述内槽体之前对所述清洗液进行过滤。
[0036]这样，能够实现内槽体中的硅片清洗液的循环过滤，保证内槽体中的硅片清洗液的洁净程度，进而保证对硅片的清洗效果。
[0037]优选地，所述硅片清洗设备还包括测试仪，所述测试仪用于测试所述清洗槽中的清洗液的浓度。
[0038]这样，例如可以通过测试仪测试到的浓度与标准浓度进行对比来确定出是否需要对清洗液的浓度进行调节。
附图说明
[0039]图1为根据本技术的第一实施例的硅片清洗设备的清洗液获取系统的结构示意图；
[0040]图2为根据本技术的第二实施例的硅片清洗设备的清洗液获取系统的结构示意图；
[0041]图3为根据本技术的第三实施例的硅片清洗设备的清洗液获取系统的结构示意图；
[0042]图4为根本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅片清洗设备的清洗液获取系统，其特征在于，所述清洗液获取系统包括：用于容纳超纯水的第一容器和第二容器；用于容纳化学品液的第三容器和第四容器；其中，所述第一容器的横截面积大于所述第二容器的横截面积，所述第三容器的横截面积大于所述第四容器的横截面积，其中，当对所述硅片清洗设备的清洗槽中的清洗液进行更换时，所述第一容器中的超纯水和所述第三容器中的化学品液被供应至所述清洗槽中，当对所述清洗槽中的清洗液的浓度进行调节时，所述第二容器中的超纯水或所述第四容器中的化学品液被供应至所述清洗槽中，其中，供应至所述清洗槽中的超纯水和化学品液的量根据所述第一容器、所述第二容器、所述第三容器和所述第四容器中的液位的变化量确定出。2.根据权利要求1所述的清洗液获取系统，其特征在于，所述清洗液获取系统还包括超声波测距仪，所述超声波测距仪用于感测自身与所述第一容器、所述第二容器、所述第三容器和所述第四容器中的液面之间的距离以确定出所述液位的变化量。3.根据权利要求1或2所述的清洗液获取系统，其特征在于，所述清洗液获取系统还包括计算单元，所述计算单元用于根据所述清洗槽中的清洗液所需的浓度计算需要供应至所述清洗槽中的超纯水和/或化学品液的量。4.根据权利要求2所述的清洗液获取系统，其特征在于，所述清洗液获取系统还包括：用于将容纳在所述第一容器中的超纯水供应至所述清洗槽中的第一供应管路；用于将容纳在所述第二容器中的超纯水供应至所述清洗槽中的第二供应管路；用于将容纳在所述第三容器中的化学品液供应至所述清洗槽中的第三供应管路；用于将容纳在所述第四容器中的化学品液供应至所述清洗槽中的第四供应管路。5.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩嘉豪，党志伟，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：