【技术实现步骤摘要】
一种利用磁流变弹性体控制大尺寸晶圆平坦化抛光方法
[0001]本专利技术涉及半导体晶圆的超精密抛光
，具体涉及一种利用磁流变弹性体控制大尺寸晶圆平坦化抛光方法。
技术介绍
[0002]随着电子信息技术的发展，半导体晶圆由第一代半导体材料单晶硅、发展到第二代半导体材料砷化镓、磷化铟以及现在的第三代半导体碳化硅、氮化镓等，同时晶圆尺寸也在不断增大，例如12英寸、14英寸、15英寸等，在晶圆的CMP中，晶圆抛光厚度的均匀性是衡量加工质量的重要参数，其均匀性直接影响到后续器件的利用，决定了晶圆的合格率，直接影响芯片制造的成本。
[0003]由于晶圆受到抛光压力的不均匀性、晶圆抛光速度的不均性、抛光液分布的不均匀性以及晶圆变形等因素影响，导致抛光后的晶圆厚度均匀性较差，因此，如何实现晶圆的平坦化抛光，成为亟待解决的重要问题。
[0004]磁流变弹性体是磁性颗粒分布于高分子聚合物中形成的磁控智能材料，可以根据外加磁场强度来控制其硬度变化；查阅现有专利可得，目前没有一种利用磁流变弹性体磁控力学特性来实现大尺寸晶圆平坦
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种利用磁流变弹性体控制大尺寸晶圆平坦化抛光方法，其特征在于：包括以下步骤：S1：将大尺寸晶圆吸附于旋转型CMP设备的具有磁流变弹性体的抛光头上；S2：对同材料的高精度的大尺寸晶圆进行第一步抛光，并获取第一步抛光后大尺寸晶圆的厚度分布数据；S3：根据厚度分布数据调整磁场分布和强度，控制磁流变弹性体对大尺寸晶圆进行第二步抛光，通过重复优化磁场分布和磁场强度使第二步抛光后的大尺寸晶圆达到平坦化抛光；S4：通过第二步抛光的磁控抛光参数，建立该大尺寸晶圆的磁控抛光工艺。2.根据权利要求1中所述的一种利用磁流变弹性体控制大尺寸晶圆平坦化抛光方法，其特征在于：在步骤S1中，所述大尺寸晶圆材料包括硅晶圆、蓝宝石晶圆、碳化硅晶圆、氮化镓晶圆、砷化镓晶圆中的任意一种，其晶圆尺寸大于等于4英寸。3.根据权利要求1中所述的一种利用磁流变弹性体控制大尺寸晶圆平坦化抛光方法，其特征在于：在步骤S2中，大尺寸晶圆厚度分布数据分布于大尺寸晶圆不同半径的圆上；其中厚度分布数据的数量与晶圆尺寸相互适配，晶圆尺寸越大，厚度分布数据的数量越多。4.根据权利要求1中所述的一种利用磁...
【专利技术属性】
技术研发人员：路家斌，胡达，熊强，龙浩天，靳宇航，
申请(专利权)人：广东工业大学，
类型：发明
国别省市：
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