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本发明涉及半导体晶圆的超精密抛光技术领域，具体涉及一种利用磁流变弹性体控制大尺寸晶圆平坦化抛光方法，包括以下步骤：将大尺寸晶圆吸附于旋转型CMP设备的具有磁流变弹性体的抛光头上；对大尺寸晶圆进行第一步抛光，并获取大尺寸晶圆的厚度分布数据；根...
该专利属于广东工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过广东工业大学授权不得商用。

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