【技术实现步骤摘要】
具有两个相反半桥的功率半导体模块
[0001]本专利技术涉及一种功率半导体模块。
技术介绍
[0002]在诸如电动汽车和卡车的具有电动驱动器的汽车应用情形中，半桥模块用于组装逆变器，这些逆变器从DC(直流)电流(其可能由电池提供)生成驱动电动马达所需的AC(交流)电流。目前，此类半桥模块包括Si(硅)半导体。然而，由于高带隙半导体的较高工作电压和可能的较高切换频率(这可能导致半桥模块的损失较低和应用更有效)，因此还考虑使用高带隙半导体。
[0003]这种基于高带隙半导体的功率半导体模块可能受益于新的模块设计，因为较高的切换频率通常会导致不同和/或较高的电磁辐射和损失。此外，在较高电压下工作可能需要更佳的局部冷却能力。
技术实现思路
[0004]因此，本专利技术的一个目的是提供一种功率半导体模块，该功率半导体模块可以减少上述问题。该目的通过独立权利要求的特征而实现。从属权利要求中给出了有利的实施例。
[0005]本专利技术的第一方面涉及一种功率半导体模块。功率半导体模块是一种用于机械地和电气地互...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种功率半导体模块(10)，包括：多层电路板(18)，所述多层电路板包括第一外传导层(20a)、第一隔离层(22a)、中间传导层(24)、第二隔离层(22b)以及第二外传导层(20b)；第一半导体芯片(T1)和第二半导体芯片(T2)，所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片结合到所述第一外传导层(20a)；第三半导体芯片(T3)和第四半导体芯片(T4)，所述第三半导体芯片和所述第四半导体芯片结合到所述第二外传导层(20b)；第一衬底(42a)，所述第一衬底附接到所述第一半导体芯片(T1)和所述第二半导体芯片(T2)；第二衬底(42b)，所述第二衬底附接到所述第三半导体芯片(T3)和所述第四半导体芯片(T4)；其中，所述第一外传导层(20a)将结构设定成第一DC+区域(26a)、第一AC区域(28a)以及第一DC
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区域(30a)，所述第一DC+区域、所述第一AC区域以及所述第一DC
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区域将所述第一半导体芯片(T1)和所述第二半导体芯片(T2)互连成半桥；其中，所述第二外传导层(20b)将结构设定成第二DC+区域(26b)、第二AC区域(28b)以及第二DC
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区域(30b)，所述第二DC+区域、所述第二AC区域以及所述第二DC
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区域将所述第三半导体芯片(T3)和所述第四半导体芯片(T4)互连成半桥；其中，所述第一DC
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区域(30a)经由所述第一衬底(42a)和贯穿传导柱(50)与所述中间传导层(24)的中间DC
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区域(32)连接，并且所述第二DC
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区域(30b)经由所述第二衬底(42b)和所述贯穿传导柱(50)与所述中间DC
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区域(32)连接；其中，所述贯穿传导柱(50)在所述第一衬底(42a)和所述第二衬底(42b)之间穿过所述多层电路(18)延伸。2.根据权利要求1所述的功率半导体模块(10)，其中，所述贯穿传导柱(50)布置在所述第一半导体芯片(T1)和所述第二半导体芯片(T2)之间；其中，所述贯穿传导柱(50)布置在所述第三半导体芯片(T3)和所述第四半导体芯片(T4)之间。3.根据权利要求1或2所述的功率半导体模块(10)，其中，所述贯穿传导柱(50)连接到多层电路板(18)内的中间DC
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区域(32)。4.根据前述权利要求中的任一项所述的功率半导体模块(10)，其中，所述第一衬底(42a)包括传导层(44a)和隔离层(46a)，其中，所述第一衬底(42a)的传导层(44a)将结构设定成提供第三DC
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区域(48a)，所述第三DC
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区域连接到所述第一DC
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区域(30a)和所述贯穿传导柱(50)；其中，所述第二衬底(42b)包括传导层(44b)和隔离层(46b)，其中，所述第二衬底(42b)的传导层(44b)将结构设定成提供第四DC
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区域(48b)，所述第四DC
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区域连接到所述第二DC
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区域(30b)和所述贯穿传导柱(50)。5.根据前述权利要求中的任一项所述的功率半导体模块(10)，其中，所述贯穿传导柱(50)连接到所述第一衬底(42a)的第三DC
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区域(48a)，所述第三DC
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区域(48a)连接到所述第一DC
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区域(30a)；
其中，所述第一DC
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区域(30a)和所述第三DC
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区域(48a)经由第一传导柱(52a)连接；其中，所述贯穿传导柱(50)连接到所述第二衬底(42b)的第四DC
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区域(48b)，所述第四DC
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区域(48b)连接到所述第二DC
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