半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置。半导体装置(10)具备：n

【技术实现步骤摘要】
半导体装置


[0001]本专利技术涉及半导体装置。

技术介绍

[0002]以往，已知有具备在单一的基板上一体形成且并联连接的MOSFET(Metal Oxide Semi
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conductor Field Effect Transistor：金属氧化膜半导体场效应型晶体管)和BJT(Bipolar Junction Transistor：双极结型晶体管)的半导体装置(例如，参照日本国特开昭61
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180472号公报及日本国特开昭61
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225854号公报)。

技术实现思路

[0003]在上述的现有技术的半导体装置中，希望在漏电极与源电极之间确保所希望的耐压且同时使通态电阻等的损失减少。例如，在相当于BJT的结构中，希望通过抑制少数载流子的电流向基电极流入来使电流密度及电流放大系数提高。
[0004]本专利技术的方案的目的在于提供一种半导体装置，其能够确保所希望的耐压且同时使电流密度及电流放大系数提高，并实现能量效率的改善。
[0005]本专利技术的第一方案的半本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其中，所述半导体装置具备：第一导电型的第一半导体区域；第一电极，其与所述第一半导体区域接合；所述第一导电型的第二半导体区域；第二电极，其与所述第二半导体区域接合；第二导电型的第三半导体区域，其具有将所述第一半导体区域与所述第二半导体区域分隔的沟道部；以及第三电极，其与所述第三半导体区域接合，所述第三半导体区域具备接点部，所述接点部与所述第三电极相邻，并且所述接点部的杂质浓度比所述第三半导体区域的...

【专利技术属性】
技术研发人员：中村研贵，塚田能成，米田真也，前田康宏，根来佑树，小堀俊光，
申请(专利权)人：本田技研工业株式会社，
类型：发明
国别省市：