一种降低空穴漏电流的阵列基板、显示面板及显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种降低空穴漏电流的阵列基板，具有该阵列基板的显示面板以及具有该显示面板的显示装置。一种降低空穴漏电流的阵列基板，其包括玻璃基底、栅极、栅极绝缘层、空穴积累层、源漏极、半导体有源层、保护层；栅极设于玻璃基底上，栅极绝缘层覆盖住栅极形成在玻璃基底上；其中，空穴积累层位于栅极上方；源漏极分设于栅极的两侧上方；半导体有源层设于空穴积累层和源漏极之间，以避免空穴积累层与源漏极直接接触。本实用新型专利技术降低空穴漏电流的阵列基板，不增加掩膜版和膜层数量的情况下，将半导体有源层设于空穴积累层和源漏极之间，利用半导体有源层将空穴积累层与源漏极隔绝，避免两者直接接触，进而降低TFT的空穴漏电流。流。流。

【技术实现步骤摘要】
一种降低空穴漏电流的阵列基板、显示面板及显示装置


[0001]本技术涉及显示模组
，特别涉及一种降低空穴漏电流的阵列基板、显示面板及显示装置。

技术介绍

[0002]传统背沟道刻蚀型(遮光型)TFT器件的膜层顺序为：Metal1(栅极层)
→
栅极绝缘层
→
空穴积累层
→
半导体有源层
→
Metal2(源漏极层)
→
保护层。如中国专利技术专利CN 103531639 A公开了薄膜晶体管，其包括栅极、栅极绝缘层、半导体有源区以及与半导体有源区连接的源极、漏极，还包括与所述半导体有源区接触的表面电荷转移层(即空穴积累层)，所述表面电荷转移层用于使所述半导体有源区在不改变晶格结构的情况下产生大量的空穴或电子，该专利技术的半导体有源区的材料将电荷转移到表面电荷转移层材料中，转变成掺杂半导体有源区，进而使得薄膜晶体管的性能明显提高。
[0003]具体实现时，一般需要3张掩膜版进行3次曝光才能形成一个TFT器件，3张掩膜版分别为Metal1、硅岛、Metal2。
[0004]首先，Metal1经过成膜、光刻胶涂布、曝光、光刻胶显影、湿刻、光刻胶剥离等工艺工序，完成Metal1层图案制作。然后进行栅极绝缘层2
’
成膜。之后，进行空穴积累层3
’
、半导体有源层4
’
成膜工艺，再经过光刻胶涂布、曝光、光刻胶显影、干刻、光刻胶剥离等工艺工序，完成空穴积累层3
’
>和半导体有源层4
’
的图案制作，该步骤的曝光采用硅岛掩膜版。再然后，Metal2经过成膜、光刻胶涂布、曝光、光刻胶显影、湿刻、光刻胶剥离等工艺工序，完成Metal2层图案制作。最后，再进行一次干刻工艺，将没有Metal2覆盖位置的半导体有源层4
’
刻蚀掉。至此，TFT器件基本完成制作，然后在TFT器件之上做一层绝缘的保护层。如图1所示。
[0005]需要注意的是，在刻蚀掉没有Metal2层保护的半导体有源层4
’
之后，半导体有源层4
’
与源漏极5
’
之间就分别形成了欧姆接触构造。而沟道上的空穴积累层3
’
和半导体有源层4
’
之间形成PN结，使电流只能从空穴积累层3
’
往外流。
[0006]这种结构源漏极5
’
金属直接覆盖在栅极1
’
上方，直接和有源层4
’
接触。在有源层4
’
两侧，空穴积累层3
’
和源漏极5
’
金属之间没有PN结，空穴积累层3
’
上的空穴流出到源漏极5
’
，或者源漏极5
’
上的电子流入空穴积累层3
’
的通道通畅，空穴漏电流明显增加。

技术实现思路

[0007]针对上述技术问题，本技术提出一种降低空穴漏电流的阵列基板，具有该阵列基板的显示面板以及具有该显示面板的显示装置。
[0008]实现上述技术目的技术方案是：
[0009]第一方面，一种降低空穴漏电流的阵列基板，其包括玻璃基底、栅极、栅极绝缘层、空穴积累层、源漏极、半导体有源层、保护层；所述栅极设于所述玻璃基底上，所述栅极绝缘层覆盖住所述栅极形成在所述玻璃基底上；其中，所述空穴积累层位于所述栅极上方；所述
源漏极分设于所述栅极的两侧上方；所述半导体有源层设于所述空穴积累层和源漏极之间，以避免所述空穴积累层与源漏极直接接触。
[0010]作为本技术提供的一种降低空穴漏电流的阵列基板的一种优选实施方式，所述空穴积累层设置在所述栅极绝缘层上；所述半导体有源层分别搭接在所述空穴积累层的两侧，中间部分镂空隔断形成沟道口；所述源漏极分别设置在两侧的所述半导体有源层的上方；所述保护层覆盖所述沟道口且形成在所述源漏极上。
[0011]作为本技术提供的一种降低空穴漏电流的阵列基板的一种优选实施方式，所述源漏极分别对应所述栅极的两侧设置在所述栅极绝缘层上，所述源漏极之间形成沟道口；所述半导体有源层分别覆盖且包住所述源漏极；所述空穴积累层对应所述栅极且覆盖所述沟道口。
[0012]作为本技术提供的一种降低空穴漏电流的阵列基板的一种优选实施方式，所述半导体有源层的面积大于所述源漏极的面积。
[0013]作为本技术提供的一种降低空穴漏电流的阵列基板的一种优选实施方式，所述栅极的材料为挡光金属。
[0014]作为本技术提供的一种降低空穴漏电流的阵列基板的一种优选实施方式，所述半导体有源层和源漏极共用同一掩膜版。
[0015]作为本技术提供的一种降低空穴漏电流的阵列基板的一种优选实施方式，所述栅极绝缘层和/或保护层的材料为SiNx和/或SiOx。
[0016]第二方面，一种遮光型显示面板，其包括彩膜基板、任一上述的阵列基板，所述彩膜基板与阵列基板对位后通过框胶形成液晶盒。
[0017]作为本技术提供的一种显示面板的一种优选实施方式，所述液晶盒内填充有液晶。
[0018]第三方面，一种显示装置，其包括上述的显示面板。
[0019]与现有技术相比，本技术具有如下有益效果：
[0020]本技术降低空穴漏电流的阵列基板，不增加掩膜版和膜层数量的情况下，将半导体有源层设于所述空穴积累层和源漏极之间，利用半导体有源层将所述空穴积累层与源漏极隔绝，避免两者直接接触，进而降低TFT的空穴漏电流。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0022]图1为传统TFT器件的膜层结构图；
[0023]图2为本技术降低空穴漏电流的阵列基板实施例1的膜层结构图；
[0024]图3为本技术降低空穴漏电流的阵列基板实施例2的膜层结构图。
具体实施方式
[0025]如
技术介绍
所述的，现有结构源漏极金属直接覆盖在栅极上方，直接和有源层接
触。在有源层两侧，空穴积累层和源漏极金属之间没有PN结，空穴积累层上的空穴流出到源漏极，或者源漏极上的电子流入空穴积累层的通道通畅，空穴漏电流明显增加。
[0026]为了解决上述技术问题，本技术提出了一种降低空穴漏电流的阵列基板。具体到本技术中，如图2、3所示，一种降低空穴漏电流的阵列基板，其包括玻璃基底1、栅极2、栅极绝缘层3、空穴积累层4、源漏极5、半导体有源层6、保护层7；所述栅极2设于所述玻璃基底1上，所述栅极绝缘层3覆盖住所述栅极2形成在所述玻璃基底1上；其中，所述空穴积累层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种降低空穴漏电流的阵列基板，其特征在于，其包括玻璃基底、栅极、栅极绝缘层、空穴积累层、源漏极、半导体有源层、保护层；所述栅极设于所述玻璃基底上，所述栅极绝缘层覆盖住所述栅极形成在所述玻璃基底上；其中，所述空穴积累层位于所述栅极上方；所述源漏极分设于所述栅极的两侧上方；所述半导体有源层设于所述空穴积累层和源漏极之间，以避免所述空穴积累层与源漏极直接接触。2.根据权利要求1所述的降低空穴漏电流的阵列基板，其特征在于，所述空穴积累层设置在所述栅极绝缘层上；所述半导体有源层分别搭接在所述空穴积累层的两侧，中间部分镂空隔断形成沟道口；所述源漏极分别设置在两侧的所述半导体有源层的上方；所述保护层覆盖所述沟道口且形成在所述源漏极上。3.根据权利要求1所述的降低空穴漏电流的阵列基板，其特征在于，所述源漏极分别对应所述栅极的两侧设置在所述栅极绝缘层上，所述源漏极之间形成沟道口；所述半导体有源层分别覆盖...

【专利技术属性】
技术研发人员：余光棋，董欣，王欢，王新志，
申请(专利权)人：信利仁寿高端显示科技有限公司，
类型：新型
国别省市：