集成的HEMT和横向场效应整流器组合、方法及系统技术方案

本发明专利技术提供一种集成的ＨＥＭＴ和横向场效应整流器组合、方法及系统。本发明专利技术公开了基于ＧａＮ或其它类似半导体材料的集成高效率横向场效应整流器和ＨＥＭＴ的器件、这种集成器件的制造方法及包括这种集成器件的系统。所述横向场效应整流器具有阳极，该阳极包括短接的欧姆接触和肖特基接触；阴极，该阴极包括欧姆接触，而ＨＥＭＴ优选具有包括肖特基接触的栅极。二个具有氟离子的区域分别形成于所述整流器与ＨＥＭＴ所包括的肖特基接触的正下方以夹断两个结构中外延层之间的异质界结面的（电子气）沟道。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及GaN功率集成电路，尤其涉及具有单片集成 AlGaN/GaN HEMT和横向功率场效应整流器的GaN功率集成电路以及 其制造方法。
技术介绍
功率半导体器件包括三端晶体管开关器件和两端功率整流器两 类。这些整流器和晶体管都是切换式开关电源、功率驱动电路等必不 可少的组成部分。在晶体管方面，AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)通常是 最好的选择。诸如包括AlGaN/GaN的III-氮化物(II1-N)化合物半 导休具有禁带宽度大、临界击穿电场高、导热系数大等优点，因此基 于该材料的异质结场效应晶体管已经取得广泛的应用。特别是具有宽 禁带的AlGaN/GaN异质结构系统，由于其自发极化和压电极化效应而 产生的二维电子气(2DEG)沟道具有高的电子浓度和高的电子迁移率， 这使得AlGaN/GaN HEMT微波器件具有极高的输出功率密度。用于功率电子领域的AlGaN/GaN异质结构能在比其它类型器件 高的温度和开关频率下工作。与此同时，GaN材料临界击穿电压比硅 (Si)高近一个数量级，GaN器件的导通电阻(Ron)比Si器件低 近三个数量级，因此其制作的功率器件本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成功率器件结构，包括：　混合二极管，其包括并联的肖特基二极管与场控制二极管；以及　异质结场效应晶体管；　其中，所述混合二极管与所述晶体管集成于同一Ⅲ－氮化物半导体层之上；　其中，所述混合二极管与所述晶体管均包括 形成图形的区域，该区域中，永久性负电荷被引入到所述同一Ⅲ－氮化物半导体层中的较窄禁带部分之上的较宽禁带部分中。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：陈敬，陈万军，周春华，
申请(专利权)人：香港科技大学，
类型：发明
国别省市：HK[中国|香港]