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本发明提供一种集成的ＨＥＭＴ和横向场效应整流器组合、方法及系统。本发明公开了基于ＧａＮ或其它类似半导体材料的集成高效率横向场效应整流器和ＨＥＭＴ的器件、这种集成器件的制造方法及包括这种集成器件的系统。所述横向场效应整流器具有阳极，该阳极包括...
该专利属于香港科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过香港科技大学授权不得商用。

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