磁性元件、逆变器及开关电源制造技术

技术编号:38950205 阅读:13 留言:0更新日期:2023-09-28 09:09
本实用新型专利技术公开一种磁性元件、逆变器及开关电源,该磁性元件包括由高磁导率高饱和磁通密度材料制成的第一磁芯与第二磁芯;第一磁芯为闭合环形结构;第二磁芯为平板结构,第二磁芯设于第一磁芯的内周,并将第一磁芯界定出对称设置的第一磁芯部与第二磁芯部;磁性元件还包括第一绕组线圈以及第二绕组线圈,第一绕组线圈绕设在第一磁芯部上,第二绕组线圈绕设在第二磁芯部上,形成差共模集成电感,该第二磁芯设置在第一绕组线圈与第二绕组线圈之间可增加漏感,而采用高磁导率高饱和磁通密度材料制成的第一磁芯与第二磁芯使得整个磁性元件在较大功率使用环境中,不容易进入饱和状态,从而可以始终保持良好的滤波性能。从而可以始终保持良好的滤波性能。从而可以始终保持良好的滤波性能。

【技术实现步骤摘要】
磁性元件、逆变器及开关电源


[0001]本技术涉及电子器件
,尤其涉及一种磁性元件、逆变器及开关电源。

技术介绍

[0002]电子装置在使用过程中,容易产生电磁干扰信号,电磁干扰信号容易影响电子装置的正常使用或者影响部分结构的功能。
[0003]对此,通常采用磁性元件对电磁干扰信号进行滤波,磁集成技术能够有效减小磁性元件的体积、重量以及损耗,在高功率密度开关电源中有着及其重要的作用。但是,目前相关技术中的磁性元件在一些使用场合如较大功率的场合时,磁性元件的磁芯容易进入饱和状态,会降低磁性元件的滤波效果。

技术实现思路

[0004]为了解决上述技术问题,本技术提供了一种磁性元件、逆变器及开关电源。
[0005]具体地,本技术解决其技术问题所采用的技术方案是:构造一种磁性元件,包括由高磁导率高饱和磁通密度材料制成的第一磁芯与第二磁芯;
[0006]所述第一磁芯为闭合环形结构;所述第二磁芯为平板结构,所述第二磁芯设于所述第一磁芯的内周,并将所述第一磁芯界定出对称设置的第一磁芯部与第二磁芯部;
[0007]所述磁性元件还包括第一绕组线圈以及第二绕组线圈,所述第一绕组线圈绕设在所述第一磁芯部上,所述第二绕组线圈绕设在所述第二磁芯部上。
[0008]在一些实施例中,所述第二磁芯长度方向的尺寸小于所述第一磁芯的内径;所述第二磁芯长度方向的两端固定于所述第一磁芯中。
[0009]在一些实施例中,所述第一磁芯和所述第二磁芯的饱和磁通密度均大于1特斯拉。
[0010]在一些实施例中,所述第一磁芯由非晶或者纳米晶制成;
[0011]所述第二磁芯由非晶、纳米晶或者硅钢制成。
[0012]在一些实施例中,所述第一磁芯的外周设有绝缘涂层;
[0013]所述第二磁芯的外周设有绝缘涂层。
[0014]在一些实施例中,所述第一绕组线圈与所述第二绕组线圈的圈数相同。
[0015]在一些实施例中,所述第一绕组线圈为漆包线、扁平铜线、多股绞线或三层绝缘线中的任意一种;
[0016]所述第二绕组线圈为漆包线、扁平铜线、多股绞线或三层绝缘线中的任意一种。
[0017]在一些实施例中,所述磁性元件还包括安装座,所述安装座上设有若干通孔,以供所述第一绕组线圈的两端穿设其中以形成第一引脚,以及供所述第二绕组线圈的两端穿设其中以形成第二引脚。
[0018]本技术还构造一种逆变器,包括上述任一实施例所述的磁性元件。
[0019]本技术还构造一种开关电源,包括上述任一实施例所述的磁性元件。
[0020]实施本技术具有以下有益效果:该磁性元件包括由高磁导率高饱和磁通密度
材料制成的第一磁芯与第二磁芯;第一磁芯为闭合环形结构;第二磁芯为平板结构,第二磁芯设于第一磁芯的内周,并将第一磁芯界定出对称设置的第一磁芯部与第二磁芯部;磁性元件还包括第一绕组线圈以及第二绕组线圈,第一绕组线圈绕设在第一磁芯部上,第二绕组线圈绕设在第二磁芯部上,形成差共模集成电感,该第二磁芯设置在第一绕组线圈与第二绕组线圈之间可增加漏感,而采用高磁导率高饱和磁通密度材料制成的第一磁芯与第二磁芯使得整个磁性元件在较大功率使用环境中,不容易进入饱和状态,从而可以始终保持良好的滤波性能。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本技术的技术方案,下面将结合附图及实施例对本技术作进一步说明,应当理解地,以下附图仅示出了本技术的某些实施例,因此不应被看作是对范围的限定,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可根据这些附图获得其他相关的附图。附图中:
[0022]图1是本技术一些实施例中的磁性元件的结构示意图;
[0023]图2是图1中的磁性元件的底面结构示意图。
具体实施方式
[0024]为了对本技术的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解,现对照附图详细说明本技术的具体实施方式。以下描述中,需要理解的是,“前”、“后”、“上”、“下”、“左”、“右”、“纵”、“横”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“头”、“尾”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系、以特定的方位构造和操作,仅是为了便于描述本技术方案,而不是指示所指的装置或元件必须具有特定的方位,因此不能理解为对本技术的限制。
[0025]还需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,“安装”、“相连”、“连接”、“固定”、“设置”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。当一个元件被称为在另一元件“上”或“下”时,该元件能够“直接地”或“间接地”位于另一元件之上,或者也可能存在一个或更多个居间元件。术语“第一”、“第二”、“第三”等仅是为了便于描述本技术方案,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量,由此,限定有“第一”、“第二”、“第三”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0026]以下描述中,为了说明而不是为了限定,提出了诸如特定系统结构、技术之类的具体细节,以便透彻理解本技术实施例。然而,本领域的技术人员应当清楚,在没有这些具体细节的其它实施例中也可以实现本技术。在其它情况中,省略对众所周知的系统、装置、电路以及方法的详细说明,以免不必要的细节妨碍本技术的描述。
[0027]请参阅图1至图2,本技术示出了一种磁性元件,包括由高磁导率高饱和磁通密度材料制成的第一磁芯10与第二磁芯20。
[0028]该第一磁芯10为闭合环形结构;第二磁芯20为平板结构,第二磁芯20设于第一磁
芯10的内周,并将第一磁芯10界定出对称设置的第一磁芯部11与第二磁芯部12。优选地,该第一磁芯10为圆环结构,该第二磁芯20位于所述第一磁芯10的内周,其该第二磁芯20的几何中心与该第一磁芯10的圆心重合设置,该第一磁芯部11与该第二磁芯部12以该第二磁芯20为对称轴对称设置,即该第一磁芯部11与该第二磁芯部12可视为完全相同的两个半环体。
[0029]该磁性元件还包括第一绕组线圈30以及第二绕组线圈40,第一绕组线圈30绕设在第一磁芯部11上,第二绕组线圈40绕设在第二磁芯部12上,使得该磁性元件形成差共模集成电感。
[0030]在一些实施例中,该第二磁芯20为方形平板结构,该第二磁芯20的长度方向的尺寸小于第一磁芯10的内径,使得该第二磁芯20可容置到第一磁芯10的内周;该第二磁芯20长度方向的两端固定于第一磁芯10中。
[0031]作为一种实施例,第二磁芯20长度方向的两端可以通过粘接剂(如绝缘胶水)固定于第一磁芯10中。作为另一种实施例,可本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁性元件,其特征在于,包括由高磁导率高饱和磁通密度材料制成的第一磁芯与第二磁芯;所述第一磁芯为闭合环形结构;所述第二磁芯为平板结构,所述第二磁芯设于所述第一磁芯的内周,并将所述第一磁芯界定出对称设置的第一磁芯部与第二磁芯部;所述磁性元件还包括第一绕组线圈以及第二绕组线圈,所述第一绕组线圈绕设在所述第一磁芯部上,所述第二绕组线圈绕设在所述第二磁芯部上。2.根据权利要求1所述的磁性元件,其特征在于,所述第二磁芯长度方向的尺寸小于所述第一磁芯的内径;所述第二磁芯长度方向的两端固定于所述第一磁芯中。3.根据权利要求1所述的磁性元件,其特征在于,所述第一磁芯和所述第二磁芯的饱和磁通密度均大于1特斯拉。4.根据权利要求1所述的磁性元件,其特征在于,所述第一磁芯由非晶或者纳米晶制成;所述第二磁芯由非晶、纳米晶或者硅钢制成。5.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员:洪添丁欧阳佳佳
申请(专利权)人:杭州云电科技能源有限公司
类型:新型
国别省市:

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