影像显示系统技术方案

一种包含显示装置的影像显示系统，该显示装置包含阵列基板以及设置于阵列基板上的透明电极堆叠结构。该透明电极堆叠结构包含：第一电极，包含第一狭缝；第二电极，具有外缘对应于第一狭缝中；以及介电层，其位于第一电极与第二电极之间，并电性隔离第一电极与第二电极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及平面显示装置的技术，特别是涉及横向电场方式的显示装置的技术。
技术介绍
目前已被广泛使用的扭转向列(twisted nematic ;TN)型显示装置，在视角上有 所限制。为了解决前述问题，已提出另一种显示方法，即为在大致平行于基板面的面内驱动 液晶分子的横向电场方式。已知横向电场方式分为IPS (In Plane Switching ；水平电场控制)方式与 FFS(Fringe Field Switch ；边缘电场控制)方式。IPS方式为组合梳状的像素电极与梳状 的共同电极而配置。FFS方式为针对于同一基板上隔着绝缘层而形成的上部电极层与下部 电极层，将其中一者分配为共同电极层，另一者分配为像素电极层，且于上部电极层中形成 例如狭缝(slit)等作为让电场通过的开口部。然而，目前横向电场方式仍存在透光率不均且不足的问题。
技术实现思路
根据本专利技术提供一种影像显示系统，包含显示装置，其中，显示装置包含阵列基 板；以及透明电极堆叠结构于阵列基板上。透明电极堆叠结构具有第一电极，具有第一 狭缝；第二电极，具有外缘对应于第一狭缝中；以及介电层，其位于第一电极与第二电极之 间，并电性隔离第一电极与第二电极。附图说明图1A与图1B为显示根据本专利技术第一实施例的显示装置的像素区的剖面图与俯视 图。图2A与图2B为显示根据本专利技术第二实施例的显示装置的像素区的剖面图与俯视 图。图3A与图3B为显示根据本专利技术第三实施例的显示装置的像素区的剖面图与俯视 图。图4A 4C为分别显示根据本专利技术第一至三实施例的显示装置的像素区的透光率。图5为显示根据本专利技术第四实施例的显示装置的像素区的俯视图。图6为显示根据本专利技术第五实施例的显示装置的透明电极堆叠结构的配置俯视 图。图7为显示根据本专利技术另一优选实施例，用以显示影像的系统示意图。附图标记说明1、2、3、4 像素区10 扫描线20 半导体层30 数据线31 y分支线30D 漏极电极30S ‘ 源极电极51、52、53 曲线55 y区域100 阵列基板200 ‘ 对向基板110、120 透明电极111、112、113、114 --狭缝115,155 连接电极116、156 次电极120a、120b 外缘131、132 介电层140、150 透明电极140a、140b 外缘150a、150b 外缘151、152 狭缝151a、151b、152a、152b210 ‘ 遮光层211 开口215 ‘ 区域300 液晶层400 ‘ 显示面板500 输入单元600 ‘ 电子装置810、820 透明电极811、812、813、814 --狭缝821、822 狭缝具体实施例方式为让本专利技术的上述和其它目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举出优选实施 例，并配合附图，作详细说明如下后文所述的“(实质上)(相互)平行”、“实质上相等”等的叙述，是指在设计上期 望为相互平行、相等，但受限于实际制造上的误差，而现实上难以达成如数学或几何学所定 义的平行、相等，但是其误差若是落于对应的制造规格的允许范围，仍视为平行、相等。专利技术 所属
中普通技术人员应当了解，前述制造规格是依据各种条件而有不同的变化，故未一一列出。在后文及各附图中，对于相同或相对应的元件，是赋予相同的元件符号，且各附图 的属性及其所代表内容，已叙述于“附图标记说明”中，后文不再重复说明。请参考图1A与图1B，是显示根据本专利技术第一实施例的显示面板400的像素区1， 图1A是沿着图1B中的剖面线I-I所绘制的剖面图。显示装置400包含阵列基板100，其上 具有隔着介电材料而垂直交叉、并由此定义出各个像素区的扫描线10与数据线30。数据线 30的一部分是作为薄膜晶体管的栅极，栅极上设置半导体层20，且于栅极与半导体层20上 设置源极电极30S与漏极电极30D，以构成薄膜晶体管。另外，漏极电极30D是经由分支线 31电性连接至对应的数据线30。透明电极堆叠结构设置于阵列基板100上。介电层132设置于透明电极堆叠结构 与数据线30之间。透明电极堆叠结构具有透明的第一电极110与第二电极120，以及位于 电极110、120之间的介电层131，介电层131是用以电性隔离电极110、120。另外，第一电极 110是与源极电极30S电性连接以作为像素电极(pixel electrode)，并具有多个狭缝，在 本实施例中，第一电极110具有一个连接电极115与五个次电极116，其中，五个次电极116 是通过连接电极115而彼此连接，并通过四个开放式的狭缝111、112、113、114而彼此分隔； 而在其它实施例中，第一电极110所具有的狭缝数量与形式(开放式或封闭式)、次电极与 连接电极的数量与形式，可视需求任意决定。第二电极120是位于第一电极110下方，耦接显示面板400的共同电压源以作为共同电极(common electrode)，且未具有任何开口或狭 缝(即为全面式形成)。另外在本实施例中，第一电极110与第二电极120均有一部分是与数据线30重叠。显示面板400还包含对向基板200、液晶层300、与遮光层210。对向基板200是与 阵列基板100对向设置，二基板100、200之间具有间隔，并填置有液晶层300。遮光层210 则是置于对向基板200上，而位于二基板100、200之间，并大致上与数据线30重叠，且具有 至少一开口 211而暴露出像素区1、并暴露出未与数据线30重叠的部分透明电极堆叠结构。 另外，第一电极110的至少一狭缝与开口 211对应设置。图1A的显示面板400在像素区1的透光率是绘示于图4A。图4A中的区域55是 对应于图1A中受到遮光层210的遮光效果所影响的区域，X轴的刻度是对应于图1A所示 从左至右的像素区1的宽度范围的位置，Y轴是指透光率的数值，而曲线51则显示像素区1 各个位置的透光率，图中并显示像素区1的平均透光率(Ave T)为72. 83%。参考图2A与图2B，是显示根据本专利技术的第二实施例的显示面板400的像素区2， 图2A是沿着图2B中的剖面线II-II所绘制的剖面图。第一、第二实施例的仅差别在于第二电极外缘的位置。在图2A与图2B中，第二电 极140的外缘140a是对应设置于第一电极110的狭缝111中，而与狭缝111的二边缘错位 设置(意即，不与狭缝111的二边缘重叠)，其中狭缝111的二边缘实质上平行于数据线30 的延伸方向。优选地，外缘140a是沿着狭缝111的中间位置而设置(即外缘140a对应设置 于狭缝111的中线位置)。另外，第二电极140的外缘140b也可以是对应于第一电极110 的狭缝114。优选地，外缘140b是沿着狭缝114的中间位置而设置。意即，第二实施例中 的第二电极140的外缘140a、140b是对应设置于第一电极110的狭缝111、114中。在其它 实施例中，第二电极140的外缘140a、140b的其中之一，可延伸至相当于图1B所示的第二 电极120的外缘120a、120b的对应位置。另外，在本实施例中，第二电极140的外缘140a、 140b均实质上平行于数据线30的延伸方向。显示面板400在像素区2的透光率是绘示于图4B，是以曲线52来显示像素区2各 个位本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种影像显示系统，包含显示装置：该显示装置包含：阵列基板；以及透明电极堆叠结构，设置于该阵列基板上，该透明电极堆叠结构包含：第一电极，具有第一狭缝；第二电极，具有外缘，对应于该第一狭缝中；以及介电层，其位于该第一电极与该第二电极之间，并电性隔离该第一电极与该第二电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：许绍武，许书荣，丁岱良，
申请(专利权)人：统宝光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]