参考电路及其参考电流的产生方法技术

本发明专利技术公开了一种参考电路，包括多个参考列。存储器的存储阵列分成多个存储子阵列，各存储子阵列都设置有一个所述参考列。在对选定存储单元进行读取时，采用选定存储单元所在的存储子阵列对应的参考列中同一行的参考单元作为选定参考单元。在存储子阵列每进行一次擦除时，所对应的参考列都进行一次编程，使选定存储单元和选定参考单元的擦除时间相同，选定参考单元的参考电流随擦除时间变化会跟随选定存储单元的单元电流随擦除时间的变化，从而提高选定存储单元的编程窗口。本发明专利技术还公开了一种参考电路的参考电流的产生方法。本发明专利技术能实现参考电流跟随单元电流随擦除时间的变化进行变化，从而能增加存储单元的编程窗口。从而能增加存储单元的编程窗口。从而能增加存储单元的编程窗口。

【技术实现步骤摘要】
参考电路及其参考电流的产生方法


[0001]本专利技术涉及半导体集成电路，特别是涉及一种参考电路；本专利技术还涉及一种参考电路的参考电流的产生方法。

技术介绍

[0002]如图1所示，是现有存储器的存储单元101的电路结构示意图；如图2所示，是现有存储器的存储单元101的剖面结构示意图；现有存储器如闪存包括多个存储单元101，由多个所述存储单元101排列形成存储器的阵列结构。
[0003]各所述存储单元101都采用分离栅浮栅器件。
[0004]如图2所示，所述分离栅浮栅器件包括：对称的第一源漏区205a和第二源漏区206，位于所述第一源漏区205a和所述第二源漏区205b之间的多个分离的具有浮栅104的第一栅极结构，位于所述第一栅极结构之间的第二栅极结构103；所述第一栅极结构中具有位于所述浮栅104顶部的控制栅105。
[0005]所述分离栅浮栅器件为双分离栅浮栅器件，所述第一栅极结构的数量为两个，分别用标记102a和102b表示。
[0006]所述分离栅浮栅器件为N型器件，所述第一源漏区205a和所述第二源漏本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种参考电路，其特征在于：包括多个参考列；存储器的存储阵列分成多个存储子阵列，各所述存储子阵列都设置有一个所述参考列；所述参考列设置在所述存储子阵列中或外部；所述参考列中多行参考单元组成，所述参考列中的所述参考单元的行数和对应的所述存储子阵列的存储单元的行数相同；在所述存储阵列中选定一个所述存储单元作为选定存储单元，在对所述选定存储单元进行读取时，采用所述选定存储单元所在的所述存储子阵列对应的所述参考列中和所述选定存储单元同一行的所述参考单元作为选定参考单元；在所述存储子阵列每进行一次擦除时，所对应的所述参考列都进行一次编程，使所述选定存储单元和所述选定参考单元的擦除时间相同，所述选定参考单元的参考电流随擦除时间变化会跟随所述选定存储单元的单元电流随擦除时间的变化，从而提高所述选定存储单元的编程窗口。2.如权利要求1所述的参考电路，其特征在于：各所述存储子阵列的大小相同。3.如权利要求2所述的参考电路，其特征在于：各所述存储子阵列分别组成一个扇区。4.如权利要求1所述的参考电路，其特征在于：所述存储单元和所述参考单元的结构相同且都采用分离栅浮栅器件；所述分离栅浮栅器件包括：第一源漏区和第二源漏区，位于所述第一源漏区和所述第二源漏区之间的多个分离的具有浮栅的第一栅极结构，位于所述第一栅极结构之间的第二栅极结构；所述第一栅极结构中具有位于所述浮栅顶部的控制栅。5.如权利要求4所述的参考电路，其特征在于：所述分离栅浮栅器件为双分离栅浮栅器件，所述第一栅极结构的数量为两个；所述分离栅浮栅器件中，位于所述第一源漏区和所述第二栅极结构之间的所述第一栅极结构的所述浮栅为第一存储位，位于所述第二源漏区和所述第二栅极结构之间的所述第一栅极结构的所述浮栅为第二存储位。6.如权利要求5所述的参考电路，其特征在于：所述参考列的各行包括由两个所述参考单元形成的参考对以及包括3根参考位线；所述参考对中的第一参考单元的所述第一源漏区连接第一参考位线以及第二源漏区连接第二参考位线；所述参考对中的第二参考单元的所述第一源漏区连接第三参考位线以及第二源漏区连接第二参考位线；同一行的各所述第一参考单元、各所述第二参考单元和各所述存储单元的所述第二栅极结构都连接到同一行字线、位于所述第一源漏区和所述第二栅极结构之间的所述第一栅极结构的所述控制栅都连接到同一行第一控制栅线以及位于所述第二源漏区和所述第二栅极结构之间的所述第一栅极结构的所述控制栅都连接到同一行第二控制栅线；对所述参考列的编程为对所述第一参考单元的第一存储位的编程以及同时对所述第二参考单元的第二存储位的编程；在对所述选定存储单元进行读取时：如果对所述选定存储单元的所述第一存储位进行读取，则所述第二控制栅线为高电平，所述第一控制栅线为低电平，所述第一参考单元截止以及所述第二参考单元导通，以所
述第二参考单元的导通电流作为参考电流，所述第二参考单元作为所述选定参考单元；如果对所述选定存储单元的所述第二存储位进行读取，则所述第一控制栅线为高电平，所述第二控制栅线为低电平，所述第二参考单元导通以及所述第一参考单元截止，以所述第一参考单元的导通电流作为参考电流，所述第一参考单元作为所述选定参考单元。7.如权利要求6所述的参考电路，其特征在于：所述参考列中，当前行的所述第一参考单元的所述第一源漏区和前一行或者后一行中的一个所述第一参考单元的所述第一源漏区相邻，以及当前行的所述第一参考单元的所述第二源漏区和前一行或者后一行中的另一个所述第一参考单元的所述第二源漏区相邻。8.如权利要求6所述的参考电路，其特征在于：所述存储器还包括多路复用器和灵敏放大器，所述灵敏放大器通过所述多路复用器选择对应的所述选定存储单元和所述选定参考单元，所述灵敏放大器对所述选定存储单元的单元电流和所述选定参考单元的参考电流进行比较实现对所述选定存储单元的存储信息的读取。9.一种参考电路的参考电流的产生方法，其特征在于，包括：步骤一、设置参考电路，所述参考电路包括多个参考列；存储器的存储阵列分成多个存储子阵列，各所述存储子阵列都设置...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨光军，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：