一种高密度3D闪存两步编程方法技术

本申请公开了一种高密度3D闪存两步编程方法，涉及闪存编程优化的技术领域，其包括S1：在3D QLC闪存的第二步编程中，识别待编程字线中已经被无效的页面；S2：确定无效页面数量与无效页面类型，即属于LSB、MSB、CSB、TSB中的哪种页面；S3：根据页面类型，结合存储元存储数据所属的电压状态，对数据进行重新编码，修改待编程字线的目标电压状态；S4：执行第二步编程。本申请能够降低有效页的出错，提高闪存数据的可靠性，提升编程效率，降低编程能耗，更加完善了两步编程技术。了两步编程技术。了两步编程技术。

【技术实现步骤摘要】
一种高密度3D闪存两步编程方法


[0001]本申请涉及高密度3D闪存两步编程方法的
，尤其是涉及一种两步编程中存在无效页的问题。

技术介绍

[0002]格雷码(gray code)作为一种二进制编码方式，其重要特征是相邻两个数的二进制仅有一位不同(如9的二进制为1001，11的二进制为1011,两者仅有一位数据不同)。格雷码(gray code)的相邻数据仅有一位改变的特性，减小了电路出错的概率。为了减少错误，NAND闪存(SSD)也采用格雷码编码方案。
[0003]NAND闪存(SSD)的一般结构如图1所示，闪存中每个块(Block)包含若干层(Layer)，每个层(Layer)包含若干字线(Wordline，WL)，每个字线包含若干单元,每个单元存储若干位(bit)信息。
[0004]根据存储在每个单元(cell)中的bit位数，NAND闪存(SSD)可以分为几种类型。Single
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level cell(SLC)是NAND的最简单实现，使用2个电压状态来表示0或1，其中一个单元(cell)仅存储一位本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高密度3D闪存两步编程方法，基于3D闪存单元采用的格雷码(Gray Code)编码方案，流程包括：在所有页面都无效的情况下，跳过字线(wordline，WL)上的第二个编程步骤；在三页数据无效的情况下，仅有的一页数据重新作为等待数据写入到其他WL；在一页或两页数据无效的情况下，执行no
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program操作。2.根据权利要求1所述的一种高密度3D闪存两步编程方法，其特征在于：1)需要先检查是否有四页待编程数据；2)将编程的四页数据由待编程状态改为已粗略编程状态，待编程的页数减4；3)由于block的第一层没有上一层，因而不需要进行上一层的精细编程判断是第一层的条件是i＝＝0；4)当i>0即进行粗略编程的WL不在第一层时，均需要进行上一层对应WL的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李乔，党红洋，高聪明，张一鸣，吴荣鑫，沈志荣，舒继武，
申请(专利权)人：厦门大学，
类型：发明
国别省市：