存储装置、存储器系统及其操作方法制造方法及图纸

一种存储装置的外围电路包括页缓冲器。每个页缓冲器包括主锁存器、偏置锁存器、(N

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】存储装置、存储器系统及其操作方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求享受于2022年1月11日递交的中国申请No.202210028189.X的优先权，通过引用的方式将上述申请的完整内容并入本文。


[0003]本公开涉及存储装置、存储器系统及其操作方法。

技术介绍

[0004]在非易失性存储装置中，写入的数据首先被快速存储在高速缓存锁存器中，并且然后被移动到数据锁存器中。在将数据写入存储装置的物理存储单元阵列的一次编程过程中，只有一页数据可以从高速缓存锁存器转移到数据锁存器。这样，当通过编程写入物理存储单元阵列的数据页数大于一页时，需要等待编程结束，并且然后将页数据从高速缓存锁存器单独移动到数据锁存器。因此，将数据写入至存储单元阵列的过程效率低下且无法提供连续编程。

技术实现思路

[0005]在一方面，一种存储装置包括存储单元阵列，其中，所述存储单元阵列中的所述存储单元按行和列布置，并且每个存储单元被设置为与一条N比特数据相对应的2
N
个电平之一，其中N为大于1的整数。所述存本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种存储装置，包括：存储单元阵列，其中，所述存储单元阵列中的存储单元按行和列布置，并且每个存储单元被设置为与一条N比特数据相对应的2
N
个电平中的一个电平，其中，N为大于1的整数；以及外围电路，其耦合至所述存储单元阵列并且被配置为：以高速缓存编程的方式对第一物理页和第二物理页中的所述存储单元阵列依次并且分别执行第一编程和第二编程，以及在所述第一编程和所述第二编程期间，基于所述第一物理页和所述第二物理页的N个逻辑页，对至少所述存储单元的所选择的行进行编程，其中，所述外围电路包括分别耦合至位线的页缓冲器，每个页缓冲器包括：偏置锁存器、(N
‑
1)个数据锁存器以及耦合至数据路径的高速缓存锁存器，所述偏置锁存器被配置为存储第二非物理页信息，并且所述(N
‑
1)个数据锁存器和高速缓存锁存器被配置为：在对所述第一物理页和所述第二物理页的所述N个逻辑页进行编程的过程中，用作N个页锁存器，以暂时存储待写入所述N个逻辑页中的编程数据；其中，所述外围电路还被配置为：在对所述第一物理页进行编程的过程中，禁用位线偏置功能来释放所述偏置锁存器以替代所述N个页锁存器中的一个页锁存器来执行对存储器状态的编程验证；释放所述N个页锁存器中的一个页锁存器以对所述第二物理页的所述N个逻辑页中的一个逻辑页的编程数据进行高速缓存；以及在对所述第一物理页进行编程的过程中，将所述第二物理页的所述N个逻辑页中的所述一个逻辑页的所述编程数据存储在释放的页锁存器中。2.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述外围电路还被配置为：在对所述第一物理页和所述第二物理页进行编程的过程中，通过采用增量步进脉冲编程(ISPP)编程方法对第1至第2
(N
‑
M)
个存储器状态进行编程，其中，M是大于或等于1且小于或等于(N
‑
2)的整数。3.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述外围电路还被配置为：在禁用所述位线偏置功能之后，减小编程电压的步进增量。4.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述第二非物理页信息包括相对应的位线的电压偏置信息。5.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述外围电路还被配置为：在2
N
个存储器状态的倒数第三个存储器状态中的编程验证之后禁用所述位线偏置功能。6.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述每个页缓冲器包括主锁存器，所述主锁存器被配置为存储第一非物理页信息，其中，所述第一非物理页信息包括验证信息和编程信息。7.根据权利要求1所述的存储装置，其中每个存储单元被设置为与一条三比特数据相对应的23个电平中的一个电平；所述外围电路还被配置为：基于所述第一物理页和所述第二物理页的三个逻辑页对存储单元的所选择的行进行编程；并且
两个数据锁存器和所述高速缓存锁存器被配置为：在对所述第一物理页和所述第二物理页的所述三个逻辑页执行编程过程的过程中用作三个页锁存器，以暂时存储待写入所述三个逻辑页中的编程数据。8.根据权利要求1所述的存储装置，其中每个存储单元被设置为与一条四比特数据相对应24个电平中的一个电平；所述外围电路还被配置为：基于所述第一物理页和所述第二物理页的四个逻辑页对存储单元的所选择的行进行编程；并且三个数据锁存器和所述高速缓存锁存器被配置为：在对所述第一物理页和所述第二物理页的所述四个逻辑页执行编程过程的过程中用作四个页锁存器，以暂时存储待写入所述四个逻辑页中的编程数据。9.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述偏置锁存器被配置为存储相对应的位线的电压偏置信息。10.根据权利要求1所述的存储装置，还包括三维NAND闪存设备。11.一种对存储装置进行编程的方法，其中，所述存储装置包括存储单元阵列和耦合至所述存储单元阵列的外围电路，其中，所述存储单元阵列中的存储单元按行和列布置，并且每个存储单元被设置为与一条N比特数据相对应的2
N
个电平中的一个电平，其中，N为大于1的整数；其中，所述外围电路包括分别耦合至位线的多个页缓冲器，其中，所述方法包括：将与当前第一编程相对应的第一物理页的N个逻辑页存储在N个页锁存器中，其中，所述N个页锁存器包括所述页缓冲器中的(N
‑
1)个数据锁存器以及耦合至数据路径的高速缓存锁存器；将第二非物理页信息...

【专利技术属性】
技术研发人员：万维俊，盛悦，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：