【技术实现步骤摘要】
一种电源选择电路及存储器
[0001]本公开涉及但不限于一种电源选择电路及存储器。
技术介绍
[0002]集成电路的DRAM芯片中使用电源选择电路给虚设字线选择性的供电。电源选择电路在正常工作情况下给虚设字线选择性提供VKK电源或者VPP电源。其中,在所有的电源信号上电稳定之前,该电源选择电路内部的电平转换电路输出浮空,进而导致电源选择电路的电源选择功能丧失,在微小扰动电压的作用下该电源选择电路会使得VKK电源和VPP电源之间短路,使得电源选择电路的电源选择可靠性降低。
技术实现思路
[0003]本公开实施例提供的一种电源选择电路及存储器,能够解决电源选择电路在特定上电过程中两个电源之间短路的问题,提高了电源选择电路的电源选择可靠性。
[0004]本公开的技术方案是这样实现的:
[0005]本公开实施例提供了一种电源选择电路,包括:第一供电电路,其输入端接收处于第一电压域的电源选择信号,其第一电源端接收第一电源信号,其输出端耦接至虚设字线;所述第一供电电路配置为根据所述第一电源信号产生控制电源 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电源选择电路,其特征在于,包括:第一供电电路,其输入端接收处于第一电压域的电源选择信号,其第一电源端接收第一电源信号,其输出端耦接至虚设字线;所述第一供电电路配置为根据所述第一电源信号产生控制电源信号,在所述控制电源信号的控制下将所述电源选择信号转换为处于第二电压域的第一控制信号,并根据所述第一控制信号控制所述第一电源信号从其输出端输出;第二供电电路,其输入端接收所述电源选择信号,其第一电源端接收第二电源信号,其输出端耦接至所述虚设字线;所述第二供电电路配置为根据所述电源选择信号控制所述第二电源信号从其输出端输出;其中,所述第一电压域的高电平的第一电压值低于所述第二电压域的高电平的第二电压值,所述第二电压值等于所述第一电源信号的电压值;所述控制电源信号的电压值跟随所述第一电源信号的电压值变化,且高于所述第一电压值。2.根据权利要求1所述的电源选择电路,其特征在于,所述第一控制信号的电平与所述电源选择信号的电平相同;所述第一供电电路,配置为在所述电源选择信号处于低电平时,转换产生的所述第一控制信号也处于低电平,根据所述第一控制信号将所述第一电源信号从其输出端输出,以及在所述电源选择信号处于高电平时,转换产生的所述第一控制信号也处于高电平,根据所述第一控制信号不输出所述第一电源信号;所述第二供电电路,配置为在所述电源选择信号处于低电平时,不输出所述第二电源信号,以及在所述电源选择信号处于高电平时,将所述第二电源信号从其输出端输出。3.根据权利要求1或2所述的电源选择电路,其特征在于,所述第一供电电路包括:第一控制电路和第一输出电路;所述第一控制电路,其第一端作为所述第一供电电路的输入端,其第二端连接所述第一输出电路的输入端,其第一电源端接收所述第一电源信号;所述第一控制电路配置为根据所述第一电源信号产生所述控制电源信号,在所述控制电源信号的作用下将所述电源选择信号转换为所述第一控制信号,并提供给所述第一输出电路;所述第一输出电路,其输出端作为所述第一供电电路的输出端,其第一电源端接收所述第一电源信号,所述第一输出电路根据所述第一控制信号控制所述第一电源信号输出。4.根据权利要求3所述的电源选择电路,其特征在于,所述第一控制电路包括:第一电平转换电路、第一本地电源产生电路和第二本地电源产生电路;所述第一本地电源产生电路,其第一端接收所述第一电源信号,其第二端连接所述第一电平转换电路的控制端;所述第一本地电源产生电路配置为在所述第一电源信号达到预定电压值之前,根据所述第一电源信号产生第一本地电源信号,作为所述控制电源信号通过其第二端提供给所述第一电平转换电路;所述第二本地电源产生电路,其输入端接收参考电源信号,其第一电源端接收所述第一电源信号,其输出端连接所述第一电平转换电路的控制端;所述第二本地电源产生电路配置为在所述第一电源信号达到预定电压值之后,根据所述参考电源信号产生第二本地电源信号,作为所述控制电源信号通过其输出端提供给所述第一电平转换电路;所述第一本地电源信号的电压值小于所述第二本地电源信号的电压值;所述第一电平转换电路,其输入端接收所述电源选择信号,其输出端连接所述第一输
出电路的输入端,其第一电源端接收所述第一电源信号;所述第一电平转换电路在所述控制电源信号的控制下将所述电源选择信号转换为所述第一控制信号,并提供给所述第一输出电路。5.根据权利要求4所述电源选择电路,其特征在于,所述第一电平转换电路包括:第一PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三NMOS晶体管、第四NMOS晶体管、第一反相器、第二反相器和第三反相器;所述第一PMOS晶体管,其第一端接收第一电源信号,其控制端连接所述第二PMOS晶体管的第二端,其第二端连接所述第一NMOS晶体管的第一端及所述第二PMOS晶体管的控制端;所述第一NMOS晶体管,其第二端连接所述第二NMOS晶体管的第一端,其控制端接收所述控制电源信号;所述第二NMOS晶体管,其第二端接地,其控制端分别与所述电源选择信号和所述第一反相器的输入端连接;所述第二PMOS晶体管,其第一端接收第一电源信号,其第二端连接所述第七NMOS晶体管的第一端及所述第一PMOS晶体管的控制端;所述第三NMOS晶体管,其第一端与所述第二反相器的输入端连接,其第二端连接所述第四NMOS晶体管的第一端,其控制端接收控制电源信号;所述第四NMOS晶体管,其第二端接地,其控制端连接所述第一反相器的输出端;所述第二反相器,其第二端连接所述第三反相器的第一端,所述第三反相器的第二端作为所述第一电平转换电路的输出端。6.根据权利要求4所述的电源选择电路,其特征在于,所述第一本地电源产生电路包括:N个级联的晶体管;N为大于1的整数;第1个晶体管的第一端及控制端接收所述第一电源信号,所述第1个晶体管的第二端连接第2个晶体管的第一端及控制端,第i个晶体管的第二端连接第i+1个晶体管的第一端及控制端,所述N个晶体管的第二端在所述第一电源信号的作用下通过所述第N晶体管的第二端输出所述第一本地电源信号;i为大于1小于N的整数。7.根据权利要求4所述的电源选择电路,其特征在于,所述第二本地电源产生电路,包括:第三控制电路和第四控制电路;所述第三控制电路,其输入端接收所述参考电源信号,其第一电源端接收所述第一电源信号,其输出端连接所述第四控制电路的输入端;所述第三控制电路配置为在所述第一电源信号达到预定电压值后,根据所述参考电源信号向所述第四控制电路输出...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈啸宸,
申请(专利权)人:长鑫存储技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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