图像传感器及制造方法技术

本申请涉及图像传感器技术领域，提供了一种图像传感器及制造方法，图像传感器包括半导体基体、多个像素区域、金属互连层以及阻挡结构，由设置于半导体基体中的隔离结构、与隔离结构对应且依次设置于电介质层中的串扰调制结构和第一接触孔结构共同组成阻挡结构，通过设置的阻挡结构一方面能够形成有效的挡光壁结构，防止一个像素区域的光线由于金属互连层的反射而串扰到相邻的像素区域中；另一方面能够阻止在加工第一接触孔结构的过程中对隔离结构产生的过刻问题，进而能够减少电荷在隔离结构中的富集、扩散等情况，有效改善器件的暗电流性能，通过阻挡结构能够同时减少图像传感器的光学串扰和电学串扰，有利于提高图像传感器的成像质量。器的成像质量。器的成像质量。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器及制造方法


[0001]本申请属于图像传感器
，更具体地说，是涉及一种图像传感器及制造方法。

技术介绍

[0002]图像传感器是利用光电器件的光电转换功能将感光面上的光像转换为与光像成相应比例关系的电信号的器件，它可分为互补金属氧化物半导体(Complementary Metal
‑
Oxide
‑
Semiconductor CMOS)图像传感器和电荷耦合器件(Charge
‑
coupled Device CCD)图像传感器。
[0003]CCD图像传感器在感光灵敏度和减少噪音方面特性优异，但是CCD图像传感器难以实现高度集成，并且功耗率高。相反，CMOS图像传感器的制造工艺步骤简单，并适用于要求高度集成、低功耗的场合，因此，CMOS图像传感器应用广泛，成为了研究的热点。在CMOS图像传感器中，串扰本身会造成产品的色彩饱和度下降，串扰的大小将会影响到图像传感器最终输出图像的质量，串扰越大，最终的图像质量越差。且随着目前像素单元尺寸的逐渐减小,光学串扰和电学串扰也随之变得本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，其特征在于，包括半导体基体、多个像素区域、金属互连层以及阻挡结构；多个所述像素区域设置于所述半导体基体中，相邻所述像素区域之间定义有用于电性隔离所述像素区域的隔离区域，所述金属互连层设置于所述半导体基体的前侧表面上的电介质层中，所述阻挡结构与所述隔离区域对应设置且所述阻挡结构至少位于所述隔离区域与所述金属互连层之间；所述阻挡结构包括设置于所述半导体基体中的隔离结构、设置于所述电介质层中且与所述隔离结构对应设置的第一接触孔结构，以及设置于所述电介质层中且对应设置于所述隔离结构与所述第一接触孔结构之间的串扰调制结构；所述隔离结构由所述前侧表面向所述半导体基体内部延伸。2.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述金属互连层的数量为至少两层，靠近所述半导体基体的所述前侧表面的为第一层金属互连层，所述第一层金属互连层的靠近所述前侧表面的一侧与所述第一接触孔结构接触，所述串扰调制结构设置于所述前侧表面，且与所述第一层金属互连层连接的所述第一接触孔结构与所述串扰调制结构接触。3.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器还包括设置于所述半导体基体的所述前侧表面上且位于所述电介质层中的器件栅极结构，所述器件栅极结构位于所述像素区域与所述金属互连层之间，所述串扰调制结构与所述器件栅极结构的材质相同，所述串扰调制结构形成于所述器件栅极结构的形成过程中。4.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器还包括设置于所述电介质层中的第二接触孔结构，所述第二接触孔结构位于所述像素区域与所述金属互连层之间，所述第一接触孔结构与所述第二接触孔结构的材质相同，所述第一接触孔结构形成于所述第二接触孔结构的形成过程中。5.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述隔离结构为浅沟槽隔离结构。6.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述串扰调制结构的宽度小于所述隔离结构的宽度；和/或，所述电介质层与所述串扰调制结构的刻蚀比大于所述电介质层与所述隔离结构的刻蚀比。7.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述阻挡结构将所述像素区域全部或部分包围；和/或，所述隔离结构对应所述半导体基底前侧表面的投影面积大于所述串扰调制结构对应所述半导体基底前侧表面的投影面积...

【专利技术属性】
技术研发人员：王文轩，石文杰，
申请(专利权)人：思特威上海电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：