半导体装置制造方法及图纸

本公开所涉及的半导体装置具备：基体，具有第1面和与第1面相反侧的第2面，并形成有从第1面贯通到第2面的贯通孔；引线，通过贯通孔并向基体的第1面侧延伸；密封体，填埋引线与基体的形成贯通孔的侧面之间；电介质基板，具有第1主面和第2主面，第1主面相对于基体的第1面以立起的状态设置，第2主面为与第1主面相反侧的面，并且相对于基体的第1面以立起的状态设置；半导体激光器，设置于电介质基板的第1主面侧；信号线路，设置于电介质基板的第1主面，与半导体激光器电连接；连接部件，将信号线路与引线电连接；以及背面导体，设置于电介质基板的第2主面，在从与第1面垂直的方向观察时，密封体设置在背面导体的正下方。封体设置在背面导体的正下方。封体设置在背面导体的正下方。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置


[0001]本公开涉及半导体装置。

技术介绍

[0002]专利文献1公开了电子部件搭载用封装。该封装具备由金属板状部件构成并且设置有在厚度方向上贯通的贯通孔的基体。基体在一个主面搭载有电子部件，具有以一个主面为基准的厚度比其他部分薄的薄层部。在贯通孔的中心部插通有在与基体的主面正交的方向上延伸的信号线路导体。在信号线路导体与贯通孔的内周面之间设置有电介质。在基体的一个主面侧设置有连接电子部件与信号线路导体的连接导体。在基体的另一个主面侧设置有与信号线路导体平行地延伸的接地导体。信号线路导体的向基体的一个主面侧突出的部分与连接导体通过钎料等导电性材料连接。
[0003]专利文献1：日本特开2012
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64817号公报
[0004]在专利文献1中，若作为连接导体的信号线路与作为信号线路导体的引线引脚之间的距离变长，则接合信号线路与引线引脚的金属接合材料变厚。由此，金属接合材料所具有的电感成分变大。此时，在作为电子部件搭载半导体激光器的情况下，有可能产生由频率特性的恶化引起的传输损耗的增加等。因此，有可能本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置具备：基体，具有第1面和与所述第1面相反侧的第2面，并形成有从所述第1面贯通到所述第2面的贯通孔；引线，通过所述贯通孔，并向所述基体的所述第1面侧延伸；密封体，填埋所述引线与所述基体的形成所述贯通孔的侧面之间；电介质基板，具有第1主面和第2主面，所述第1主面相对于所述基体的所述第1面以立起的状态设置，所述第2主面为与所述第1主面相反侧的面，并且相对于所述基体的所述第1面以立起的状态设置；半导体激光器，设置于所述电介质基板的所述第1主面侧；信号线路，设置于所述电介质基板的所述第1主面，与所述半导体激光器电连接；连接部件，将所述信号线路与所述引线电连接；以及背面导体，设置于所述电介质基板的所述第2主面，在从与所述第1面垂直的方向观察时，所述密封体设置在所述背面导体的正下方。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在从与所述第1面垂直的方向观察时，所述密封体设置在相对于所述背面导体而言与所述电介质基板相反侧的区域。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，具备导体块，该导体块在所述基体的所述第1面侧经由所述背面导体保持所述电介质基板，所述背面导体具有：接触部分，在从与所述电介质基板的所述第1主面垂直的方向观察时设置在与所述半导体激光器重叠的部分，且与所述导体块接触；和分离部分，设置在所述接触部分的在沿着所述基体的所述第1面的方向上的至少一侧，且与所述导体块分开。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，在从与所述基体的所述第1面垂直的方向观察时，所述密封体向所述分离部分与所述导体块之间突出。5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述基体的所述第1面与所述电介质基板的在与所述基体的所述第1面垂直的方向上的距离，大于所述基体的所述第1面与所述引线的所述电介质基板侧的端部的在与所述基体的所述第1面垂直的方向上的距离。6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，...

【专利技术属性】
技术研发人员：白崎昭生，小坂尚希，岛田征明，畑端佳，广重直，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：