高频基体、高频封装件以及高频模块制造技术

提供一种高频基体、高频封装件以及高频模块。本发明专利技术的高频基体具备：绝缘基体、第1线路导体和第2线路导体。绝缘基体在上表面具有凹部。第1线路导体位于绝缘基体的上表面。第2线路导体位于绝缘基体的上表面，并且在俯视下与第1线路导体空出间隔并与第1线路导体并行地延伸。凹部位于第1线路导体与第2线路导体之间，并且凹部的介电常数比绝缘基体低。并且凹部的介电常数比绝缘基体低。并且凹部的介电常数比绝缘基体低。

【技术实现步骤摘要】
高频基体、高频封装件以及高频模块
[0001]本申请是申请日为2017年9月11日、申请号为201780064943.2、专利技术名称为“高频基体、高频封装件以及高频模块”的专利技术专利申请的分案申请。


[0002]本专利技术涉及高频基体、使用高频基体的高频封装件、以及高频模块。

技术介绍

[0003]近年来，由于便携电话等的普及，在无线通信设备中，为了传输更高速化、更大容量的信息，高频化被推进。其中，已知为了去除传输高频信号的直流电压分量而在信号线路之间设有电容器的高频基体(参照JP特开2008
‑
311682号公报)。
[0004]在JP特开2008
‑
311682号公报所公开的技术中，在电介质基板设有传输信号的第1线路导体以及第2线路导体。第1线路导体与第2线路导体并行地延伸。但是，在专利文献1的技术中，有可能第1线路导体与第2线路导体之间的阻抗的值变低，高频的信号的传输中损耗变大。

技术实现思路

[0005]本专利技术的一实施方式所涉及的高频基体具备绝缘基体、第1线路导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高频基体，其特征在于，具备：绝缘基体，在上表面具有凹部；第1线路导体，位于所述绝缘基体的上表面；和第2线路导体，位于所述绝缘基体的上表面，并且在俯视下与所述第1线路导体空出间隔并与所述第1线路导体并行地延伸，所述凹部位于所述第1线路导体与所述第2线路导体之间，并且所述凹部的介电常数比所述绝缘基体的介电常数低。2.根据权利要求1所述的高频基体，其特征在于，所述第1线路导体具有分离的第1分离部，所述第2线路导体具有分离的第2分离部，第1电容器位于所述第1分离部的上表面，并且第2电容器位于所述第2分离部的上表面，在俯视下，所述凹部从所述第1分离部的端部至所述第2分离部的端部的位置，与所述第1线路导体以及所述第2线路导体并行地延伸。3.根据权利要求2所述的高频基体，其特征在于，所述第1分离部以及所述第2分离部凹陷。4.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：川头芳规，
申请(专利权)人：京瓷株式会社，
类型：发明
国别省市：