电子器件制造技术

电子器件(100)具备基板(10)、基底基板(20)、金属连接体(30)、金属体(50)以及导通孔(60)。基板(10)在一个主面设置功能元件(11)，并且是压电基板或者化合物半导体基板。基底基板(20)朝向与一个主面相反侧的基板(10)的另一个主面侧以供安装基板(10)。金属体(50)设置于基板(10)的一个主面，并且至少一部分在从一个主面侧俯视时设置到基板(10)的外侧。导通孔(60)将与基板(10)相比设置在外侧的金属体(50)的部分与基底基板(20)连接，并且导热率比基板(10)高。基板(10)高。基板(10)高。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电子器件


[0001]本公开涉及安装了设置有功能元件的功能元件基板的电子器件。

技术介绍

[0002]在安装了设置有集成电路等功能元件的功能元件基板的电子器件中，为了将在驱动时从功能元件或者布线产生的热释放到外部，而设置有散热器等。具体而言，日本特开2004
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165281号公报(专利文献1)所示的电子器件是将半导体芯片(功能元件基板)在基底基板上设置成配置了功能元件以及电极的主面朝上的面朝上构造。因此，因从配置于半导体芯片的主面的电极通过电线布线将端子引出到外部，所以芯片尺寸大型化。而且，在该电子器件中，通过模制树脂密封配置了功能元件以及电极的主面侧，并且在与该主面相反侧的半导体芯片的背面设置散热器。
[0003]专利文献1：日本特开2004
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165281号公报
[0004]在专利文献1的电子器件中，在半导体芯片的材料为硅(Si)的情况下，能够将从半导体芯片的主面侧的功能元件产生的热传递至半导体芯片的背面并利用散热器进行散热。但是，半导体芯片的材料并不限定于硅，也有采用化合物半导体等的情况。化合物半导体的导热率比硅低，所以在专利文献1所示的结构中，有不能够充分地将从功能元件产生的热从半导体芯片的主面(第一主面)侧传递到基底基板而散热性降低的担心。

技术实现思路

[0005]因此，本公开的目的在于提供在第一主面设置了功能元件的功能元件基板中，能够将热从第一主面侧传递到基底基板来使散热性提高的电子器件。
[0006]本公开的一方式的电子器件具备：功能元件基板，在功能元件基板的第一主面设置功能元件，并且功能元件基板是压电基板或者化合物半导体基板；基底基板，朝向与第一主面相反侧的功能元件基板的第二主面侧以供安装功能元件基板；金属连接体，将功能元件基板的第二主面与基底基板连接；第一金属体，设置于功能元件基板的第一主面，并且第一金属体的至少一部分在从第一主面侧俯视时设置到功能元件基板的外侧；以及导通孔，将与功能元件相比设置在外侧的第一金属体的部分与基底基板连接，并且导通孔的导热率比功能元件基板高。
[0007]根据本公开的一方式，与功能元件相比设置在外侧的第一金属体的部分与基底基板通过导热率比功能元件基板高的导通孔连接，所以在第一主面设置了功能元件的功能元件基板中，能够将热从第一主面侧传递到基底基板来使散热性提高。
附图说明
[0008]图1是实施方式1的电子器件的剖视图。
[0009]图2是实施方式1的其它的电子器件的剖视图。
[0010]图3是实施方式2的电子器件的剖视图。
[0011]图4是实施方式2的其它的电子器件的剖视图。
[0012]图5是实施方式3的电子器件的剖视图。
[0013]图6是设置了功能元件的基板的剖视图。
[0014]图7是形成了导通孔的基板的剖视图。
[0015]图8是在基板的一个主面以及支承体的面形成了金属体的剖视图。
[0016]图9是在基板的一个主面形成了金属体的俯视图。
[0017]图10是安装了电子部件的基板的剖视图。
[0018]图11是实施方式3的其它的电子器件的剖视图。
[0019]图12是实施方式4的电子器件的剖视图。
[0020]图13是实施方式4的其它的电子器件的剖视图。
[0021]图14是实施方式4的另外其它的电子器件的剖视图。
[0022]图15是变形例的电子器件的剖视图。
具体实施方式
[0023]以下，基于附图对实施方式的电子器件进行说明。在以下的说明中，对相同部件附加相同的附图标记。它们的名称以及功能也相同。因此，不重复它们的详细的说明。
[0024](实施方式1)
[0025]图1是实施方式1的电子器件100的剖视图。实施方式1的电子器件100在基板10的一个主面(第一主面)设置功能元件11，并且朝向与一个主面相反侧的基板10的另一个主面(第二主面)侧来将基板10安装于基底基板20。基底基板20也可以是由玻璃环氧树脂、氧化铝等形成的封装基板、硅基板、压电基板(铌酸锂(LN)、钽酸锂(LT))、部件内置基板(聚酰亚胺、环氧树脂、金属布线等的层叠品)等。
[0026]在功能元件11设置有电极12(功能元件电极)。在与设置了该电极12的一个主面相反侧的另一个主面，通过金属连接体30(例如，焊料、导电膏等)将基板10与基底基板20连接。优选金属连接体30的至少一部分设置到从一个主面侧俯视时的基板10的外侧。换句话说，优选金属连接体30设置成在从一个主面侧俯视时从基板10的内侧跨越至基板10的外侧。此外，在图1所示的电子器件100中，在基板10与金属连接体30之间设置金属体70(第二金属体)，电极12与金属连接体30经由该金属体70连接。当然，也可以不设置金属体70，而电极12与金属连接体30连接。另外，优选金属体70设置到从一个主面侧俯视时的基板10的外侧的金属连接体30。换句话说，优选金属体70设置成在从一个主面侧俯视时，从金属连接体30的内侧跨越至金属连接体30的外侧。
[0027]在对功能元件11供给电力、信号而使功能元件11动作的情况下，在动作中，在功能元件11、电极12产生热。在基板10使用硅(Si)等导热率较高的材料的情况下，能够使在功能元件11、电极12产生的热经由基板10从基板10的另一个主面(第二主面)侧传递到基底基板20来进行散热。此外，硅的导热率为160～200W/(m
·
k)。
[0028]但是，基板10是压电基板或者化合物半导体基板。压电基板所使用的材料例如是石英、LiTaO3、LiNbO3、KNbO3、La3Ga5SiO
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、Li2B4O7等，化合物半导体基板所使用的材料是GaAs、GaN等。任何一种材料均为导热率比硅等低的材料，而有不能够充分地使在功能元件11、电极12产生的热经由基板10从基板10的另一个主面侧传递到基底基板20来进行散热的
担心。另外，LiTaO3、LiNbO3的导热率为3～5W/(m
·
k)。GaAs的导热率为55W/(m
·
k)。GaN的导热率为100W/(m
·
k)。
[0029]因此，在实施方式1的电子器件100中，具有将在功能元件11、电极12产生的热传递到基底基板20的导热路径。具体而言，电子器件100在设置了功能元件11以及电极12的基板10的一个主面侧设置金属体50(第一金属体)。金属体50的至少一部分设置到从一个主面侧俯视时的基板10的外侧。换句话说，优选金属体50设置成在从一个主面侧俯视时，从基板10的内侧跨越至基板10的外侧。设置到外侧的金属体50的部分位于从一个主面侧俯视时的基板10的对置的边的两侧。
[0030]通过导通孔60连接与该基板10相比设置在外侧的金属体50的部分与基底基板20。此外，金属体50例如使用铜、铝(Al)等，导通孔60使用导热率本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种电子器件，其中，具备：功能元件基板，在所述功能元件基板的第一主面设置功能元件，并且所述功能元件基板是压电基板或者化合物半导体基板；基底基板，朝向与所述第一主面相反侧的所述功能元件基板的第二主面侧以供安装所述功能元件基板；金属连接体，将所述功能元件基板的所述第二主面与所述基底基板连接；第一金属体，设置于所述功能元件基板的所述第一主面，并且所述第一金属体的至少一部分在从所述第一主面侧俯视时设置到所述功能元件基板的外侧；以及导通孔，将与所述功能元件基板相比设置在外侧的所述第一金属体的部分与所述基底基板连接，并且所述导通孔的导热率比所述功能元件基板高。2.根据权利要求1所述的电子器件，其中，所述第一金属体设置成在从所述第一主面侧俯视时跨越所述功能元件基板，与所述功能元件基板相比设置到外侧的所述第一金属体的部分在从所述第一主面侧俯视时位于所述功能元件基板的对置的边的两侧，各个所述第一金属体的部分经由所述导通孔与所述基底基板连接。3.根据权利要求1或2所述的电子器件，其中，所述金属连接体设置成在从所述第一主面侧俯视时从所述功能元件基板的内侧跨越至所述功能元件基板的外侧。4.根据权利要求1或2所述的电子器件，其中，在所述功能元件基板的所述第二主面与所述金属连接体之间还具备第二金属体。5.根据权利要求4所述的电子器件，其中，所述第二金属体设置成在从所述第一主面侧俯视时从所述功能元件基板的内侧跨越至所述功能元件基板的外侧。6.根据权利要求1～5中的任意一项所述的电子器件，其中，在所述功能元件基板的所述第二主面设置凹陷部，在该凹陷部形成导热率比所述功能元件基板高的导电膜，所述导电膜与所述金属连接体相接。7.根据权利要求1～5中的任意一项所述的电子器件，其中，所述电子器件还具备设置于所述功能元件基板的所述第二主面且导热率比所述功能元件基板高的支承体，所述金属连接体经由所述支承体将所述功能元件基板的所述第二主面与所述基底基板连接。8.根据权利要求7所述的电子器件，其中，所述支承体在与所述功能元件基板侧的面相反侧的面设置凹陷部或者贯通孔，并且在该凹陷部或者该贯通孔形成导热率比所述支承体高的导电膜，所述导电膜与所述金属连接体相接。9.根据权利要求7或8所述的电子器件，其中，所述支承体包含金属与树脂的混合体、硅、碳化硅、氧化铝、氮化硼、氮化铝、氮化硅、铜以及镍中的至少一种材料。
10.根据权利要求7～9中的任意一项所述的电子器件，其中，在所述支承体与所述功能元件基板之间还具备导热...

【专利技术属性】
技术研发人员：岩本敬，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：