一种提升发光亮度的LED芯片及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种提升发光亮度的LED芯片及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，该LED芯片包括衬底与外延层，外延层包括N型半导体层、多量子阱层与P型半导体层，LED芯片还包括N电极结构与P电极结构；N电极结构包括N型电极与N型焊盘，N型电极与N型焊盘依次层叠于N型半导体层上的N型绝缘层表面，N型绝缘层的中心与N型焊盘的中心重叠，且N型绝缘层的直径大于N型焊盘的直径；P电极结构包括P型电极与P型焊盘，P型电极与P型焊盘依次层叠于P型半导体层上的P型绝缘层表面，P型焊盘的直径大于或小于P型绝缘层的直径。本发明专利技术解决了现有技术中因电极结构限制使得发光区发光不充分，导致了LED芯片发光亮度低的技术问题。LED芯片发光亮度低的技术问题。LED芯片发光亮度低的技术问题。

【技术实现步骤摘要】
一种提升发光亮度的LED芯片及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体器件
，具体涉及一种提升发光亮度的LED芯片及其制备方法。

技术介绍

[0002]目前市场上的照明灯具，用的主流芯片为正装LED芯片，通过打线方式实现电源连接。其结构由外延和芯片结构组成，外延一般包含衬底、N型半导体、量子阱、P型半导体；芯片结构从下往上依次为电流阻挡层、透明导电层、N型和P型电极、钝化层。
[0003]其中，N型电极由N型焊盘和N型电极条组成，通过光刻技术和ICP干法刻蚀技术露出N型半导体，N型电极与N型半导体实现电性连接；P型电极由P型焊盘和P型电极条组成，P型焊盘底下从下往上依次为电流阻挡层和透明导电层，焊盘底下的电流阻挡层采用挖环设计，中间有一块电流阻挡层底部直接与电流阻挡层的上表面接触，下表面与P型半导体表面接触。环绕中间电流阻挡层的周边有一圈露出来的P型半导体，直接与P型焊盘接触。P型焊盘的外圈压在透明导电层上，透明导电层的底下垫着电流阻挡层。
[0004]现有技术中，N型电极中，N型焊盘底下的外延层被刻蚀掉，浪费了发光区本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提升发光亮度的LED芯片，所述LED芯片包括衬底与外延层，所述外延层包括依次层叠于所述衬底上的N型半导体层、多量子阱层与P型半导体层，其特征在于，所述LED芯片还包括N电极结构与P电极结构；所述N电极结构包括N型电极与N型焊盘，所述N型电极与所述N型焊盘依次层叠于所述N型半导体层上的N型绝缘层表面，所述N型绝缘层的中心与所述N型焊盘的中心重叠，且所述N型绝缘层的直径大于所述N型焊盘的直径；所述P电极结构包括P型电极与P型焊盘，所述P型电极与所述P型焊盘依次层叠于所述P型半导体层上的P型绝缘层表面，所述P型焊盘的直径大于或小于所述P型绝缘层的直径。2.根据权利要求1所述的提升发光亮度的LED芯片，其特征在于，所述N型电极底部的外延层经刻蚀暴露出所述N型半导体层，所述N型焊盘与所述N型电极的连接处形成外延台阶，所述N型绝缘层包裹所述外延台阶。3.根据权利要求2所述的提升发光亮度的LED芯片，其特征在于，所述N型绝缘层于所述N型绝缘层与所述N型半导体层之间形成有若干个N型绝缘岛，相邻两个N型绝缘岛之间间隔设置以暴露出所述N型半导体层，以使所述N型绝缘层与所述N型电极形成ODR反射结构。4.根据权利要求1所述的提升发光亮度的LED芯片，其特征在于，所述N型绝缘层由晶体材料制成，所述N型绝缘层的厚度为1200
Å‑
10000
Å
。5.根据权利要求1所述的提升发光亮度的LED芯片，其特征在于，所述P型绝缘层的底部依次为所述P型半导体层、透明导电层与P型绝缘层，所述P型焊盘的直径小于所述P型绝缘层的直径，且所述P型焊盘的底部与所述P型绝缘层的上表面直接接触。6.根据权利要求5所述的提升发光亮度的LED芯片，其特征在于，所述P型绝缘层的中心设有P型绝缘层通孔，所述P型焊盘通过所述P型绝缘层通孔与所述透明导电层接触。7.根据权利要求6所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：张星星，周志兵，林潇雄，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：