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本发明公开了一种提升发光亮度的LED芯片及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，该LED芯片包括衬底与外延层，外延层包括N型半导体层、多量子阱层与P型半导体层，LED芯片还包括N电极结构与P电极结构；N电极结构包括N型电极与N型焊盘，N型电极...
该专利属于江西兆驰半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西兆驰半导体有限公司授权不得商用。

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